1998年,經(jīng)全國(guó)科學(xué)技術(shù)名詞審定委員會(huì)審定發(fā)布。
《電氣工程名詞》第一版。 2100433B
萬(wàn)用表打二極管檔,G極不管它,黑表筆接D極,紅表筆接S極能導(dǎo)通的話(huà)就是N溝道,反過(guò)來(lái)表筆互換能導(dǎo)通就是P溝道,導(dǎo)通電壓一般0.4-0.7V,這樣能明白了吧
場(chǎng)效應(yīng)管N溝道和P溝道怎樣區(qū)分??
區(qū)分方法:場(chǎng)效應(yīng)管的極性判斷,管型判斷(如圖)G極與D極和S極正反向均為∞
p溝道與n溝道m(xù)os管開(kāi)關(guān)電路哪種比較好?
N行電流電壓是正的 P型是負(fù)的 功放機(jī)比較常用 所謂的對(duì)。N溝道MOS比較常用;P溝道少人用;只有在功放上做對(duì)管用得多些.
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經(jīng)濟(jì)數(shù)據(jù)名稱(chēng)公布時(shí)間公布大致日期公布部門(mén)排位 國(guó)內(nèi)生產(chǎn)總值( GDP)21 點(diǎn) 30分一季度的月底商務(wù)部 1 失業(yè)率 21點(diǎn) 30分每月第 1 個(gè)周五勞工部 2 黃金投資 , 零售銷(xiāo)售 21點(diǎn) 30 分月中, 13、14、15日等商務(wù)部 消費(fèi)者信心指數(shù) 23點(diǎn) 00分月底咨詢(xún)商會(huì) 商業(yè)和批發(fā)、零售庫(kù)存 21.30/23 點(diǎn)月中商務(wù)部 采購(gòu)和非采購(gòu)經(jīng)理人指數(shù) 23 點(diǎn) 00 分月初, 1、2、 3日等 NAPM6 工業(yè)生產(chǎn) 21.15/22.15 分每月 15日美聯(lián)儲(chǔ) 工業(yè)訂單和耐用品訂單 23 點(diǎn) /21.30 分月底或月初商務(wù)部 8 領(lǐng)先指標(biāo) 23點(diǎn) 00 分月中或靠近月底咨詢(xún)商會(huì) 貿(mào)易數(shù)據(jù) 21點(diǎn) 30 分月中或靠近月底商務(wù)部 10 消費(fèi)者物價(jià)指數(shù)( CPI)21 點(diǎn) 30 分每月 20-25 日勞工部 生產(chǎn)者物價(jià)指數(shù)( PPI)21 點(diǎn) 30 分每月第 2周五勞工部 預(yù)算報(bào)
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近日,澳大利亞相關(guān)部門(mén)發(fā)布文件,提醒制造商和進(jìn)口商關(guān)注額定制冷能力不超過(guò)65kW的空調(diào)器最低能效標(biāo)準(zhǔn),同時(shí)公布了新能效等級(jí)計(jì)算方法以及標(biāo)識(shí)的陸續(xù)實(shí)施時(shí)間。根據(jù)新規(guī)定,從2010年4月起,澳大利亞對(duì)大部分空調(diào)冷卻裝置制定更加嚴(yán)格的最低能效標(biāo)準(zhǔn),首次對(duì)產(chǎn)品的加熱裝置設(shè)定最低能效標(biāo)準(zhǔn),引入降低待機(jī)能耗和曲軸箱加熱器
改變柵壓可以改變溝道中的電子密度,從而改變溝道的電阻。這種MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管稱(chēng)為P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。如果N型硅襯底表面不加?xùn)艍壕鸵汛嬖赑型反型層溝道,加上適當(dāng)?shù)钠珘?,可使溝道的電阻增大或減小。這樣的MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管稱(chēng)為P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。統(tǒng)稱(chēng)為PMOS晶體管。
P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對(duì)值相等的情況下,PMOS晶體管的跨導(dǎo)小于N溝道MOS晶體管。此外,P溝道MOS晶體管閾值電壓的絕對(duì)值一般偏高,要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性,與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大,充電放電過(guò)程長(zhǎng),加之器件跨導(dǎo)小,所以工作速度更低,在NMOS電路(見(jiàn)N溝道金屬—氧化物—半導(dǎo)體集成電路)出現(xiàn)之后,多數(shù)已為NMOS電路所取代。只是,因PMOS電路工藝簡(jiǎn)單,價(jià)格便宜,有些中規(guī)模和小規(guī)模數(shù)字控制電路仍采用PMOS電路技術(shù)。
PMOS集成電路是一種適合在低速、低頻領(lǐng)域內(nèi)應(yīng)用的器件。PMOS集成電路采用-24V電壓供電。如圖1所示的CMOS-PMOS接口電路采用兩種電源供電。采用直接接口方式,一般CMOS的電源電壓選擇在10~12V就能滿(mǎn)足PMOS對(duì)輸入電平的要求。
MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有很高的輸入阻抗,在電路中便于直接耦合,容易制成規(guī)模大的集成電路。
如果在制造時(shí),把襯底改為N型,漏極與源極為P型,則可構(gòu)成P溝道增強(qiáng)型或耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管,其工作原理與N型溝道場(chǎng)效應(yīng)管相同。使用時(shí)UGG、UDD的極性應(yīng)與N溝道MOS管相反。
MOS管在使用時(shí)襯底和源極通常是接在一起的,>如果需要分開(kāi),則襯源間的電壓uBS必須保證襯源間的PN結(jié)是反向偏置,即NMOS管的UBS為負(fù),PMOS管的UBS為正。
三道溝竹海(北緯N25°25′30.05″ 東經(jīng)E105°0′40.10″)位于興仁縣與普安縣交界處,原三道溝國(guó)有工業(yè)紙廠就位于這里,這里距313省道僅8公里,距普安縣632縣道僅三公里,距興仁西北環(huán)線(xiàn)僅4公里。三道溝竹海處在一市(興義市)兩縣(興仁縣、普安縣)構(gòu)成的三角區(qū)域的中央。交通便利,四通八達(dá)。