施華洛世奇SLC new 15X56WB基本參數(shù)

工作原理：折射式

放大倍率：15

產(chǎn)品規(guī)格：15*56mm

變焦類型：定焦

調(diào)焦方式：中央調(diào)焦

棱鏡系統(tǒng)：屋脊(P鍍膜涂層-消除色散及鬼影)

產(chǎn)品用途：觀鳥、觀景

變焦類型：定焦

調(diào)焦方式：中央調(diào)焦

棱鏡系統(tǒng)：屋脊(P鍍膜涂層-消除色散及鬼影)...

產(chǎn)品用途：觀鳥、觀景

物鏡口徑：56mm

出瞳直徑：3.7mm

出瞳距離：13mm

瞳距調(diào)節(jié)：59-72mm

最近焦距：8m

施華洛世奇SLC new 15X56WB詳細(xì)參數(shù)切換到傳統(tǒng)表格版

物鏡口徑：56mm

出瞳直徑：3.7mm

出瞳距離：13mm

瞳距調(diào)節(jié)：59-72mm

最近焦距：8m

實(shí)際視場：4.4度

可視角度：64度

屈光度調(diào)整： /-5屈光度

黃昏因子：17

視野：77m/1000m

防水功能：具備充氮防水功能

鍍膜方式：多層SWAROTOP及SWARODURE多層鍍膜， 寬頻及耐磨外層鍍膜

產(chǎn)品體積：215×128×71mm

產(chǎn)品重量：1340g

其他參數(shù)：具有充氮防霧效果

創(chuàng)新SWAROBRIGHT干擾鏡

機(jī)體: 鋁合金, 外覆特殊橡膠

隨機(jī)配件：肩帶及鏡袋

存儲(chǔ)單元分為兩類：SLC（Single-Level Cell 單層單元）和MLC（Multi-Level Cell多層單元）。此外，SLC閃存的優(yōu)點(diǎn)是復(fù)寫次數(shù)高達(dá)100000次，比MLC閃存高10倍。此外，為了保證MLC的壽命，控制芯片都校驗(yàn)和智能磨損平衡技術(shù)算法，使得每個(gè)存儲(chǔ)單元的寫入次數(shù)可以平均分?jǐn)?，達(dá)到100萬小時(shí)故障間隔時(shí)間(MTBF)。

對(duì)MLC和SLC兩大架構(gòu)現(xiàn)在網(wǎng)上存在一個(gè)普遍的認(rèn)識(shí)誤區(qū)，那就是大家都認(rèn)為MLC架構(gòu)的NAND閃存是劣品，只有SLC架構(gòu)的NAND閃存才能在質(zhì) 量上有保障。我們先來回憶一下MLC的發(fā)展歷程以及SLC目前的發(fā)展?fàn)顩r再來給這個(gè)假設(shè)做定論吧。

MLC技術(shù)開始升溫應(yīng)該說是從2003年2月東芝推出了第一款MLC架構(gòu)NAND Flash開始，當(dāng)時(shí)作為NAND Flash的主導(dǎo)企業(yè)三星電子對(duì)此架構(gòu)很是不屑，依舊我行我素大力推行SLC架構(gòu)。第二年也就是2004年4月東芝接續(xù)推出了采用MLC技術(shù)的4Gbit和 8Gbit NAND Flash，顯然這對(duì)于本來就以容量見長的NAND閃存更是如虎添翼。三星電子長期以來一直倡導(dǎo)SLC架構(gòu)，聲稱SLC優(yōu)于 MLC，但該公司于2004和2005年發(fā)表的關(guān)于MLC技術(shù)的ISSCC論文卻初步顯示它的看法發(fā)生了轉(zhuǎn)變。三星在其網(wǎng)站上仍未提供關(guān)于MLC閃存的任 何營銷材料，但此時(shí)卻已經(jīng)開發(fā)出了一款4Gbit的MLC NAND閃存。該產(chǎn)品的裸片面積是156mm2，比東芝的90nm工藝MLC NAND閃存大 了18m㎡。兩家主流NAND閃存廠商在MLC架構(gòu)上的競爭就從這時(shí)開始正式打響了。除了這三星和東芝這兩家外，現(xiàn)在擁有了英特爾MLC技術(shù)的IM科技公司更是在工藝和MLC上都希望超越競爭對(duì)手，大有后來者居上的沖勁。MLC技術(shù)的競爭就這樣如火如荼地進(jìn)行著。

另一方面我們?cè)賮砜纯碨LC技術(shù)，存取原理上SLC架構(gòu)是0和1兩個(gè)充電值，即每Cell只能存取1bit數(shù)據(jù)，有點(diǎn)兒類似于開關(guān)電路，雖然簡單但卻 非常穩(wěn)定。如同電腦的CPU部件一樣，要想在一定體積里容納更多的晶體管數(shù)，就必須提高生產(chǎn)工藝水平，減小單晶體管體積。目前SLC技術(shù)受限于低硅效率問 題，要想大幅度提高制程技術(shù)就必須采用更先進(jìn)的流程強(qiáng)化技術(shù)，這就意味著廠商必須更換現(xiàn)有的生產(chǎn)設(shè)備，投入大不說而且還是個(gè)無底洞。而MLC架構(gòu)可以一次 儲(chǔ)存4個(gè)以上的充電值，因此擁有比較好的存儲(chǔ)密度，再加上可利用現(xiàn)有的生產(chǎn)設(shè)備來提高產(chǎn)品容量，廠商即享有生產(chǎn)成本上的優(yōu)勢同時(shí)產(chǎn)品良率又得到了保證，自然比SLC架構(gòu)更受歡迎。

既然MLC架構(gòu)技術(shù)上更加先進(jìn)，同時(shí)又具備成本和良率等優(yōu)勢，那為什么遲遲得不到用戶的認(rèn)同呢。除了認(rèn)識(shí)上的誤區(qū)外，MLC架構(gòu)NAND Flash 確實(shí)存在著讓使用者難以容忍的缺點(diǎn)，但這都只是暫時(shí)的。為了讓大家能更直觀清楚地認(rèn)識(shí)這兩種架構(gòu)的優(yōu)缺點(diǎn)，我們來做一下技術(shù)參數(shù)上的對(duì)比。

首先是存取次數(shù)。MLC架構(gòu)理論上只能承受約1萬次的數(shù)據(jù)寫入，而SLC架構(gòu)可承受約10萬次，是MLC的10倍。這其中也存在一個(gè)誤區(qū)，網(wǎng)上很多媒體都有寫MLC和SLC知識(shí)普及的文章，筆者一一拜讀過，可以說內(nèi)容不夠嚴(yán)謹(jǐn)，多數(shù)都是你抄我我抄你，相互抄來抄去，連錯(cuò)誤之處也都完全相同，對(duì)網(wǎng)友很不負(fù)責(zé)。就拿存取次數(shù)來說吧，這個(gè)1萬次指的是數(shù)據(jù)寫入次數(shù)，而非數(shù)據(jù)寫入加讀取的總次數(shù)。數(shù)據(jù)讀取次數(shù)的多寡對(duì)閃存壽命有一定影響，但絕非像寫入那樣嚴(yán)重，這個(gè)壽命值正隨著MLC技術(shù)的不斷發(fā)展和完善而改變著。MLC技術(shù)并非一家廠商壟斷，像東芝（Toshiba）已生產(chǎn)了好幾代MLC架構(gòu)NAND閃存，包括前不久宣布和美國SanDisk公司共同開發(fā)的采用最先進(jìn)56nm工藝的16Gb（2gigabyte）和 8Gb（1gigabyte）MLC NAND閃存，16Gb是單芯片的業(yè)內(nèi)最大容量。

東芝在MLC閃存設(shè)計(jì)方面擁有經(jīng)驗(yàn)與技術(shù)，去年東芝利用90nm工藝與三星的73nm產(chǎn)品競爭。東芝90nm MLC閃存的位密度達(dá) 29 Mbits/ mm2，超過了三星的73nm閃存（位密度為25.8 Mbits/mm2）。對(duì)于給定的存儲(chǔ)密度，東芝閃存的裸片面積也比三星的要小。例如東芝的4-Gbit 90nm NAND裸片面積是138 mm2，而三星的4-Gbit 73nm NAND裸片面積是156 mm2，這使東 芝在成本方面更具競爭力。三星方面現(xiàn)在正奮起直追，與東芝之間的競爭異常激烈。再加上IMFT、海力士等廠商的參與，MLC技術(shù)發(fā)展勢頭迅猛，今天 MLC NAND Flash寫壽命還只有1萬次，明天也許就會(huì)是2萬次、3萬次甚至達(dá)到與SLC同等級(jí)別的10萬次，這是完全有可能的。

拿MLC NAND Flash的寫壽命我們一起來算筆帳，假如近期筆者購買了一款2GB容量MP3播放器，閃存是東芝產(chǎn)的MLC架構(gòu) NAND Flash，理論上只能承受約1萬次數(shù)據(jù)寫入。筆者是個(gè)瘋狂的音樂愛好者，每天都要更新一遍閃存里的歌曲文件，這樣下來一年要執(zhí)行365次數(shù)據(jù)寫入，1萬次可夠折騰至少27年的，去除7年零頭作為數(shù)據(jù)讀取對(duì)閃存壽命的損耗，這款MP3播放器如果其它部件不出問題筆者就可以正常使用至少20年。 20年對(duì)于一款電子產(chǎn)品有著怎樣的意義？就算筆者戀舊，也不可能20年就用一款MP3播放器吧。況且就算是SLC架構(gòu)，閃存里的數(shù)據(jù)保存期限最多也只有 10年，1萬次的數(shù)據(jù)寫入壽命其實(shí)一點(diǎn)兒也不少。

其次是讀取和寫入速度。這里仍存在認(rèn)識(shí)上的誤區(qū)，所有閃存芯片讀取、寫入或擦除數(shù)據(jù)都是在閃存控制芯片下完成的，閃存控制芯片的速度決定了閃存里數(shù)據(jù) 的讀取、擦除或是重新寫入的速度?？赡苣銜?huì)拿現(xiàn)成的例子來辯駁，為什么在同樣的控制芯片、同樣的外圍電路下SLC速度比MLC快。首先就MLC架構(gòu)目前與 之搭配的控制技術(shù)來講這點(diǎn)筆者并不否認(rèn)，但如果認(rèn)清其中的原因你就不會(huì)再說SLC在速度方面存在優(yōu)勢了。SLC技術(shù)被開發(fā)的年頭遠(yuǎn)早于MLC技術(shù)，與之相 匹配的控制芯片技術(shù)上已經(jīng)非常成熟，筆者評(píng)測過的SLC產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫入速度最快能達(dá)到9664KB/s（ KISS KS900），讀取速度最快能達(dá)到13138KB/s（ mobiBLU DAH-1700）， 而同樣在高速USB2.0接口協(xié)議下寫入速度最慢的還不足1500KB/s，讀取速度最慢的也沒有超過2000KB/s。都是SLC閃存芯片，都是高速 USB2.0接口協(xié)議，為什么差別會(huì)如此大。筆者請(qǐng)教了一位業(yè)內(nèi)資深設(shè)計(jì)師，得到的答案是閃存控制芯片效能低，且與閃存之間的兼容性不好，這類產(chǎn)品不僅速 度慢而且在數(shù)據(jù)操作時(shí)出錯(cuò)的概率也大。這個(gè)問題在MLC閃存剛投入市場時(shí)同樣也困擾著MLC技術(shù)的發(fā)展，好在去年12月我們終于看到了曙光。這就是擎泰科技（Skymedi Corporation）為我們帶來的新一代高速USB2.0控制芯片SK6281及SD 2.0/MMC 4.2的combo快閃 記憶卡控制芯片SK6621，在MLC NAND閃存的支持與速度效能上皆有良好表現(xiàn)。其所支持的MLC芯片已經(jīng)達(dá)到了Class4的傳輸速度。

MLC NAND Flash自身技術(shù)的原因，只有控制芯片效能夠強(qiáng)時(shí)才能支持和彌補(bǔ)其速度上的缺點(diǎn)，支持MLC制程的控制芯片需要較嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)，以充分發(fā)揮NAND閃存芯片的性能。擎泰科技所推出的系列控制芯片經(jīng)過長時(shí)間可靠性測試及針對(duì)不同裝置兼容性進(jìn)行的比對(duì)較正，已能支持目前市場主流的MLC 閃存，如英特爾JS29F16G08CAMB1、JS29F08G08AAMB1，三星K9G4G08U0A、K9G8G08U0M、 K9LAG08U0M、K9HBG08U1M，東芝TC58NVG2D4CTG00、TC58NVG3D4CTG00、TH58NVG4D4CTG00， 美光（Micron）、海力士（Hynix）等等。此外，藉由良好的韌體設(shè)計(jì)，可大幅提升性能，達(dá)到最高的存取速度，例如：SK6621支持MLC可到 Class4水準(zhǔn)，其所支持SLC皆可支持到Class6的傳輸速度。SK6281還達(dá)到了Vista ReadyBoost速度的需求 （Enhanced for Windows ReadyBoost），且支持單顆MLC時(shí)可達(dá)22MB/s的讀取速度及6MB/s的寫入速度，綜合下來 并不比SLC慢多少。你手上的MP3播放器USB傳輸速度慢并不全是因?yàn)殚W存芯片采用了MLC架構(gòu)，它與控制芯片的關(guān)系要更加密切一些。

第三是功耗。SLC架構(gòu)由于每Cell僅存放1bit數(shù)據(jù)，故只有高和低2種電平狀態(tài)，使用1.8V的電壓就可以驅(qū)動(dòng)。而MLC架構(gòu)每Cell需要存 放多個(gè)bit，即電平至少要被分為4檔（存放2bit），所以需要有3.3V及以上的電壓才能驅(qū)動(dòng)。最近傳來好消息，英特爾新推出的65納米MLC寫入速 度較以前產(chǎn)品提升了二倍，而工作電壓僅為1.8V，并且憑借低功耗和深層關(guān)機(jī)模式，其電池使用時(shí)間也得到了延長。

第四是出錯(cuò)率。在一次讀寫中SLC只有0或1兩種狀態(tài)，這種技術(shù)能提供快速的程序編程與讀取，簡單點(diǎn)說每Cell就像我們?nèi)粘Ｉ钪惺褂玫拈_關(guān)一樣， 只有開和關(guān)兩種狀態(tài)，非常穩(wěn)定，就算其中一個(gè)Cell損壞，對(duì)整體的性能也不會(huì)有影響。在一次讀寫中MLC有四種狀態(tài)（以每Cell存取2bit為例）， 這就意味著MLC存儲(chǔ)時(shí)要更精確地控制每個(gè)存儲(chǔ)單元的充電電壓，讀寫時(shí)就需要更長的充電時(shí)間來保證數(shù)據(jù)的可靠性。它已經(jīng)不再是簡單的開關(guān)電路，而是要控制 四種不同的狀態(tài)，這在產(chǎn)品的出錯(cuò)率方面和穩(wěn)定性方面有較大要求，而且一旦出現(xiàn)錯(cuò)誤，就會(huì)導(dǎo)致2倍及以上的數(shù)據(jù)損壞，所以MLC對(duì)制造工藝和控制芯片有著更 高的要求。目前一些MP3主控制芯片已經(jīng)采用了硬件4bit ECC校驗(yàn)，這樣就可以使MLC的出錯(cuò)率和對(duì)機(jī)器性能的影響減小到最低。

第五是制造成本。為什么硬盤容量在成倍增大的同時(shí)生產(chǎn)成本卻能保持不變，簡單點(diǎn)說就是在同樣面積的盤片上存儲(chǔ)更多的數(shù)據(jù)，也就是所謂的存儲(chǔ)密度增大 了。MLC技術(shù)與之非常類似，原來每Cell僅存放1bit數(shù)據(jù)，而現(xiàn)在每Cell能存放2bit甚至更多數(shù)據(jù)，這些都是在存儲(chǔ)體體積不增大的前提下實(shí)現(xiàn)的，所以相同容量大小的MLC NAND Flash制造成本要遠(yuǎn)低于SLC NAND Flash。

綜上所述，MLC技術(shù)是今后NAND Flash的發(fā)展趨勢，就像CPU單核心、雙核心、四核心一樣，MLC技術(shù)通過每Cell存儲(chǔ)更多的bit來實(shí) 現(xiàn)容量上的成倍跨越，直至更先進(jìn)的架構(gòu)問世。而SLC短期內(nèi)仍然會(huì)是市場的佼佼者，但隨著MLC技術(shù)的不斷發(fā)展和完善，SLC必將退出歷史的舞臺(tái)。

SLC(信令鏈路編碼)

某個(gè)方向上的信令鏈路一般都編成一個(gè)組，叫信令鏈路組。這條信令鏈路在這個(gè)組中的號(hào)碼就是SLC。SLC號(hào)是做數(shù)據(jù)的時(shí)候工程人員定義的。

“SLC特訓(xùn)系統(tǒng)”是中國校園健康行動(dòng)學(xué)生健康安全教育辦公室秘書長梁鐘聯(lián)合眾多教育、軍事、救援和培訓(xùn)專家為中國青少年特制的一套科學(xué)有效的訓(xùn)練系統(tǒng)，也是京都特訓(xùn)營的核心教程。主要通過“生存”、“勵(lì)志”和“超越”三個(gè)方面的素質(zhì)教育和科學(xué)培訓(xùn)，幫助受訓(xùn)對(duì)象樹立正確的人生觀，掌握生存技能，激發(fā)成才動(dòng)力，構(gòu)建和諧健康的親子關(guān)系、師生關(guān)系和人際關(guān)系，讓青少年在珍愛生命健康成長的基礎(chǔ)上勵(lì)志成才，最終實(shí)現(xiàn)超越自我超越夢(mèng)想的目標(biāo)。

SLC MLC課程簡介

“生存”課程

“生存” ，是一切的前提。當(dāng)前，由于社會(huì)發(fā)展、環(huán)境改變等諸多因素影響，我國學(xué)生的綜合素質(zhì)現(xiàn)狀不容樂觀。數(shù)據(jù)顯示：我國每年約有1.6萬名中小學(xué)生非正常死亡，平均每天有40多名學(xué)生死于食物中毒、溺水、交通事故等意外事件；環(huán)境變化引起自然災(zāi)害頻發(fā)，社會(huì)因素引起的校園暴力事件頻發(fā)；特別是近幾年來一些重大災(zāi)害和事故中，學(xué)生傷亡慘重！而且一些隱藏在學(xué)生日常生活中的人生觀、價(jià)值觀扭曲，心理健康問題和各種安全隱患問題凸顯！這些血的教訓(xùn)警示我們：加強(qiáng)青少年的自護(hù)自救教育和生存技能培訓(xùn)已經(jīng)刻不容緩！

SLC MLC“勵(lì)志”課程

“勵(lì)志”，是一門學(xué)問，不僅僅是要激活一個(gè)人的財(cái)富欲望，更要激活一個(gè)人的生命能量，喚醒一個(gè)民族的創(chuàng)造熱情。勵(lì)志，并不是讓弱者取代另一個(gè)人成為強(qiáng)者，而是讓一個(gè)弱者能與強(qiáng)者比肩，擁有實(shí)力相當(dāng)?shù)纳蛣?chuàng)造力。勵(lì)志，即是喚醒一個(gè)人的內(nèi)在潛能。惟有從內(nèi)心深處展開的力量，用心靈體驗(yàn)總結(jié)出的精華，才是一個(gè)人真正獲得尊嚴(yán)和自信的有效途徑。

SLC MLC“超越”課程

“超越”，是從劣勢向優(yōu)勢轉(zhuǎn)化的臨界狀態(tài)，從量變到質(zhì)變的微妙平衡點(diǎn)。超越，就是認(rèn)識(shí)自我，敢于挑戰(zhàn)自我，戰(zhàn)勝自我，超越自我，超越他人而走向成功的過程。超越是指一個(gè)人能夠突破自身的局限性及時(shí)空的限制，與時(shí)俱進(jìn)的正確認(rèn)識(shí)客觀規(guī)律，掌握規(guī)律，并在正確判斷事物發(fā)展趨勢后做出科學(xué)的決策的一種思維方式。超越是一個(gè)很高的境界，只有能實(shí)現(xiàn)自我超越的人，才能在改造主觀世界的同時(shí)改造客觀世界，才能在為社會(huì)造福的同時(shí)實(shí)現(xiàn)自我的夢(mèng)想和價(jià)值。

SLC MLC課程原則

以人為本

因材施訓(xùn)

寓教于樂

激發(fā)潛能

Software Licens Code 軟件許可碼，即軟件注冊(cè)碼和授權(quán)機(jī)制。2100433B