中文名 | 特征尺寸測量用掃描電子顯微鏡 | 外文名 | Critical Dimension Scanning Electron Microscope |
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測量圖形的尺寸,一般是依靠高分辨率的電子顯微鏡(scanning electron microscope, CD-SEM)來測量光刻膠圖形的尺寸。圖1是這種顯微鏡工作的過程:它采用逐步放大(zoom in)的方法,指定了所要測量圖形的具體位置。在圖1中方框的引導(dǎo)下,光刻工藝工程師可以用電鏡一步一步找到測量的位置。另外,圖1中還標出所要測量的圖形在曝光區(qū)域中的坐標。這個坐標值是以曝光區(qū)域左下角為原點(0, 0)的。在線寬測量電鏡(CD-SEM)中輸入坐標值, CD-SEM 的運動平臺可以直接移動到所要測量的圖形處。手冊中所有需要測量的圖形都必須像圖1一樣給出其所在曝光區(qū)域的準確位置。
顯然,使用坐標值可以更方便快速地尋找到測量圖形。特別是在需要測量很多圖形時,坐標的優(yōu)點更為明顯。因此,光刻工程師都希望標準手冊能提供所有測量圖形的位置坐標(X, Y)。位置坐標可以從設(shè)計圖形(GDS 文件)中獲取,但是,設(shè)計圖形中的坐標一般是相對于本模塊(chiplet/die)的左下角的(Xchiplet, Ychiplet),必須要轉(zhuǎn)換成相對于曝光區(qū)域的左下角。轉(zhuǎn)換的辦法就是疊加上模塊在曝光區(qū)域的位置(ΔX,ΔY),即X=ΔX Xchiplet;Y=ΔY Ychiplet,如圖2所示 。
在28nm以下,線寬進一步縮小,CD-SEM測量導(dǎo)致的光刻膠損失效應(yīng)再也不能忽略了。在電子束的轟擊下,光刻膠的邊緣已經(jīng)平滑了,測得的光刻膠圖形的線寬也增大了50%左右。CD-SEM 測量導(dǎo)致的光刻膠線寬收縮(shrinkage)可以用下列公式來定量表示
式中,S和γ是常數(shù),由實驗結(jié)果擬合得到,單位分別是nm和nm/(μC/cm2)。dose=I·t/A,I是束流,單位是pA;t是照射時間,單位是s;A是受照射的面積,單位是μm2 。
電子顯微鏡的分類 1、透射電鏡 (TEM) 樣品必須制成電子能穿透的,厚度為100~2000 ?的薄膜。成像方式與光學(xué)生物顯微鏡相似,只是以電子透鏡代替玻璃透鏡。放大后的電子像在熒光屏上顯示出來,TE...
電子顯微鏡是根據(jù)電子光學(xué)原理,用電子束和電子透鏡代替光束和光學(xué)透鏡,使物質(zhì)的細微結(jié)構(gòu)在非常高的放大倍數(shù)下成像的儀器。 電子顯微鏡的分辨能力以它所能分辨的相鄰兩點的最小間距來表示。20世紀70年代,透射...
顧名思義,所謂電子顯微鏡是以電子束為照明光源的顯微鏡。由于電子束在外部磁場或電場的作用下可以發(fā)生彎曲,形成類似于可見光通過玻璃時的折射現(xiàn)象,所以我們就可以利用這一物理效應(yīng)制造出電子束的“透鏡”,從而開...
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用掃描電子顯微鏡(SEM)對PS版鋁板基上的砂目形貌進行了觀察分析,比較了不同砂目形貌對PS版性能的影響。實踐證明,SEM可以方便直觀地觀察鋁板基上砂目的細密程度、平臺和深度,為砂目的處理提供客觀可靠的依據(jù)。
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原子水平的表面特征傳感器—掃描式隧道電子顯微鏡(STM)
在集成電路領(lǐng)域,特征尺寸是指半導(dǎo)體器件中的最小尺寸。人們在談及CPU的更新?lián)Q代時,經(jīng)常會說到類似的話:這款CPU采用了28 nm工藝,跟上一代采用40 nm工藝的同系列芯片相比,性能提升了多少、功耗下降了多少。這里說到的40 nm、28 nm就是集成電路的特征尺寸。一般來說,特征尺寸越小,芯片的集成度越高,性能越好,功耗越低。
掃描電子顯微鏡 在新型陶瓷材料顯微分析中的應(yīng)用
顯微結(jié)構(gòu)的分析
在陶瓷的制備過程中,原始材料及其制品的顯微形貌、孔隙大小、晶界和團聚程度等將決定其最后的性能。掃描電子顯微鏡可以清楚地反映和記錄這些微觀特征,是觀察分析樣品微觀結(jié)構(gòu)方便、易行的有效方法,樣品無需制備,只需直接放入樣品室內(nèi)即可放大觀察;同時掃描電子顯微鏡可以實現(xiàn)試樣從低倍到高倍
的定位分析,在樣品室中的試樣不僅可以沿三維空間移動,還能夠根據(jù)觀察需要進行空間轉(zhuǎn)動,以利于使用者對感興趣的部位進行連續(xù)、系統(tǒng)的觀察分析。掃描電子顯微鏡拍出的圖像真實、清晰,并富有立體感,在新型陶瓷材料的三維顯微組織形態(tài)的觀察研究方面獲得了廣泛地應(yīng)用。
由于掃描電子顯微鏡可用多種物理信號對樣品進行綜合分析,并具有可以直接觀察較大試樣、放大倍數(shù)范圍寬和景深大等特點,當陶瓷材料處于不同的外部條件和化學(xué)環(huán)境時,掃描電子顯微鏡在其微觀結(jié)構(gòu)分析研究方面同樣顯示出極大的優(yōu)勢。主要表現(xiàn)為: ⑴力學(xué)加載下的微觀動態(tài) (裂紋擴展)研究 ; ⑵加熱
條件下的晶體合成、氣化、聚合反應(yīng)等研究 ; ⑶晶體生長機理、生長臺階、缺陷與位錯的研究; ⑷成分的非均勻性、殼芯結(jié)構(gòu)、包裹結(jié)構(gòu)的研究; ⑸晶粒相成分在化學(xué)環(huán)境下差異性的研究等。
納米尺寸的研究
納米材料是納米科學(xué)技術(shù)最基本的組成部分,現(xiàn)在可以用物理、化學(xué)及生物學(xué)的方法制備出只有幾個納米的“顆粒 ”。納米材料的應(yīng)用非常廣泛,比如通常陶瓷材料具有高硬度、耐磨、抗腐蝕等優(yōu)點,納米陶瓷在一定的程度上也可增加韌性、改善脆性等,新型陶瓷納米材料如納米稱、納米天平等亦是重要的應(yīng)用領(lǐng)域。納米材料的一切獨特性主要源于它的納米尺寸,因此必須首先確切地知道其尺寸,否則對納米材料的
研究及應(yīng)用便失去了基礎(chǔ)。縱觀當今國內(nèi)外的研究狀況和最新成果,目前該領(lǐng)域的檢測手段和表征方法可以使用透射電子顯微鏡、掃描隧道顯微鏡、原子力顯微鏡等技術(shù),但高分辨率的掃描電子顯微鏡在納米級別材料的形貌觀察和尺寸檢測方面因具有簡便、可操作性強的優(yōu)勢被大量采用。另外如果將掃描電子顯微
鏡與掃描隧道顯微鏡結(jié)合起來,還可使普通的掃描電子顯微鏡升級改造為超高分辨率的掃描電子顯微鏡。圖 2所示是納米鈦酸鋇陶瓷的掃描電鏡照片,晶粒尺寸平均為 20nm。
鐵電疇的觀測
壓電陶瓷由于具有較大的力電功能轉(zhuǎn)換率及良好的性能可調(diào)控性等特點在多層陶瓷驅(qū)動器、微位移器、換能器以及機敏材料與器件等領(lǐng)域獲得了廣泛的應(yīng)用。隨著現(xiàn)代技術(shù)的發(fā)展,鐵電和壓電陶瓷材料與器件正向小型化、集成化、多功能化、智能化、高性能和復(fù)合結(jié)構(gòu)發(fā)展,并在新型陶瓷材料的開發(fā)和研究中發(fā)揮重要作用。鐵電疇 (簡稱電疇)是其物理基礎(chǔ),電疇的結(jié)構(gòu)及疇變規(guī)律直接決定了鐵電體物理性質(zhì)和應(yīng)用方向。電子顯微術(shù)是目前觀測電疇的主要方法,其優(yōu)點在于分辨率高,可直接觀察電疇和疇壁的顯微結(jié)構(gòu)及相變的動態(tài)原位觀察 (電疇壁的遷移)。
掃描電子顯微鏡觀測電疇是通過對樣品表面預(yù)先進行化學(xué)腐蝕來實現(xiàn)的,由于不同極性的疇被腐蝕的程度不一樣,利用腐蝕劑可在鐵電體表面形成凹凸不平的區(qū)域從而可在顯微鏡中進行觀察。因此,可以將樣品表面預(yù)先進行化學(xué)腐蝕后,利用掃描電子顯微鏡圖像中的黑白襯度來判斷不同取向的電疇結(jié)構(gòu)。對不同的鐵電晶體選擇合適的腐蝕劑種類、濃度、腐蝕時間和溫度都能顯示良好的疇圖樣。圖 3是掃描電子顯微鏡觀察到的 PLZT材料的 90°電疇。掃描電子顯微鏡 與其他設(shè)備的組合以實現(xiàn)多種分析功能
在實際分析工作中,往往在獲得形貌放大像后,希望能在同一臺儀器上進行原位化學(xué)成分或晶體結(jié)構(gòu)分析,提供包括形貌、成分、晶體結(jié)構(gòu)或位向在內(nèi)的豐富資料,以便能夠更全面、客觀地進行判斷分析。為了適應(yīng)不同分析目的的要求,在掃描電子顯微鏡上相繼安裝了許多附件,實現(xiàn)了一機多用,成為一種快速、直觀、綜合性分析儀器。把掃描電子顯微鏡應(yīng)用范圍擴大到各種顯微或微區(qū)分析方面,充分顯示了掃描電鏡的多種性能及廣泛的應(yīng)用前景。
目前掃描電子顯微鏡的最主要組合分析功能有:X射線顯微分析系統(tǒng)(即能譜儀,EDS),主要用于元素的定性和定量分析,并可分析樣品微區(qū)的化學(xué)成分等信息;電子背散射系統(tǒng) (即結(jié)晶學(xué)分析系統(tǒng)),主要用于晶體和礦物的研究。隨著現(xiàn)代技術(shù)的發(fā)展,其他一些掃描電子顯微鏡組合分析功能也相繼出現(xiàn),例如顯微熱臺和冷臺系統(tǒng),主要用于觀察和分析材料在加熱和冷凍過程中微觀結(jié)構(gòu)上的變化;拉伸臺系統(tǒng),主要用于觀察和分析材料在受力過程中所發(fā)生的微觀結(jié)構(gòu)變化。掃描電子顯微鏡與其他設(shè)備組合而具有的新型分析功能為新材料、新工藝的探索和研究起到重要作用。
成像
次級電子和背散射電子可以用于成像,但后者不如前者,所以通常使用次級電子。
表面分析
歐革電子、特征X射線、背散射電子的產(chǎn)生過程均與樣品原子性質(zhì)有關(guān),所以可以用于成分分析。但由于電子束只能穿透樣品表面很淺的一層(參見作用體積),所以只能用于表面分析。
表面分析以特征X射線分析最常用,所用到的探測器有兩種:能譜分析儀與波譜分析儀。前者速度快但精度不高,后者非常精確,可以檢測到“痕跡元素”的存在但耗時太長。
我們知道,集成電路從電路設(shè)計到芯片制造,要經(jīng)歷非常復(fù)雜的過程,其中芯片制造需要依賴微電子技術(shù)中的微細加工手段,因此也就會涉及到各種尺寸:襯底的厚度、PN結(jié)的深度、金屬連線的寬度、氧化物膜的厚度、MOS-FET溝道的長度,等等。這其中最小的尺寸往往就是最小線條的寬度,俗稱“線寬”。線寬最小能達到多少,往往取決于Foundry的技術(shù)和設(shè)備,比如光刻設(shè)備分辨率。對現(xiàn)在主流的CMOS工藝來說,這個“線寬”其實是作為柵極的多晶硅的寬度,也就是晶體管的溝道長度。因此可以簡單認為特征尺寸就是芯片制造工藝線中能加工的最小尺寸,也是設(shè)計中采用的最小設(shè)計尺寸單位(“λ設(shè)計規(guī)則”中的λ),它是IC設(shè)計和制造最重要的技術(shù)水平指標。
從圖中可以看出,對于MOS-FET來說,柵極線條的寬度就是晶體管溝道的長度。根據(jù)MOS-FET的原理,在柵極加上一定電壓后能促成溝道的形成,溝道形成后載流子能在兩個有源區(qū)之間流動,就形成電流,相當于開啟了晶體管。這條溝道就像一條河,而電子和空穴就是運載貨物的船,要把貨物(信息)運到對岸去。要想提高運送的速度,可以使用不同的動力使船跑快一些,比如輪船比小帆船跑得快,核動力航母又比普通輪船跑得快;讓載流子吸收光或熱的能量,以及給晶體管加上不同的偏置電壓,就類似于這種效果。但是還有一個更快捷有效的方法,那就是縮小航程——顯然,這條河越窄,過河的時間越短,運貨的速度也就越快。因此,特征尺寸的縮小可以提高載流子的等效速度,而載流子的運動速度決定了晶體管集成電路的工作頻率,這就是為什么線寬的縮小能使CPU的頻率提升的深層次原因,它體現(xiàn)了集成電路微觀世界與芯片宏觀應(yīng)用之間的聯(lián)系,也說明了微電子工藝的提升對IC性能的提升是最有效的。
特征尺寸(溝道長度)的縮小雖然有明顯的好處,但是也會帶來一系列負面效應(yīng),統(tǒng)稱為“短溝道效應(yīng)”。例如,場效應(yīng)管強調(diào)的是柵極電壓的控制作用,但是在溝道短到一定程度時,源與漏之間會存在漏電流,即使撤掉了柵極電壓,也可能關(guān)不斷MOS管。這容易理解,因為之前的大河變成了一條小水溝,可以一躍而過,就不需要坐船渡過了。漏電流的存在會使電路的靜態(tài)功耗增大。為了降低“短溝道效應(yīng)”帶來的負面影響,需要在器件結(jié)構(gòu)、制造工藝等方面進行改進。