微電子工藝

大學物理，大學化學

第一講 介紹緒論與第1章 硅片的制備

緒論：1、 微電子工藝是講什么的？

2、 微電子工藝的發(fā)展歷程如何？

3、 微電子工藝有什么特點？

4、半導體單晶硅有什么特性？

第1章 硅片的制備

1.1多晶硅制備；1.2單晶生長-CZ法

1.2單晶生長-機理

1.2單晶生長-摻雜

1.2單晶生長-MCZ與FZ法

1.3硅片制備

第一講 作業(yè)

第二講 介紹第2章 外延，包括：外延概述、汽相外延、分子束外延、其它外延、外延層缺陷及檢測共五節(jié)內容

2.1 外延概述

2.2 汽相外延

2.3 分子束外延

2.4 其它外延方法

2.5 外延層缺陷及檢測

第二講 作業(yè)

第三講，介紹第3章 熱氧化，包括：SiO2薄膜概述、硅的熱氧化、初始氧化階段及薄氧化層制備等6節(jié)內容

3.1 二氧化硅薄膜概述

3.2 硅的熱氧化

3.3 初始氧化階段及薄氧化層制備

3.4 熱氧化過程中的雜質再分布

3.5 氧化層的質量及檢測

3.6 其它氧化方法

第三講 作業(yè)

第四講 介紹第4章 擴散，包括：擴散機構、晶體中擴散的基本特點及宏觀動力學方程、雜質的擴散摻雜等共7節(jié)內容。

4.1 擴散機構

4.2 晶體中擴散的基本特點及宏觀動力學方程

4.3 雜質的擴散摻雜

4.4 熱擴散工藝中影響雜質分布的其他因素

4.5 擴散工藝條件與方法

4.6 擴散工藝質量與檢測

4.7 擴散工藝的發(fā)展

第四講 作業(yè)

第五講 介紹第5章 離子注入，包括：離子注入原理、注入離子在靶中的分布、注入損傷等，共八節(jié)內容

5.1 概述

5.2 離子注入原理

5.3 注入離子在靶中的分布

5.4 注入損傷

5.5 退火

5.6 離子注入設備與工藝

5.7 離子注入的其它應用

5.8 離子注入與熱擴散比較及摻雜新技術

第五講 作業(yè)

期中測驗

第六講，介紹第6章 化學汽相淀積，包括：CVD概述，CVD工藝原理、方法，二氧化硅薄膜淀積等共七節(jié)內容。

6.1 CVD概述

6.2 CVD工藝原理

6.3 CVD工藝方法

6.4 二氧化硅薄膜的淀積

6.5 氮化硅薄膜淀積

6.6 多晶硅薄膜的淀積

6.7 CVD金屬及金屬化合物薄膜

第六講 作業(yè)

第七講 介紹第7章物理汽相淀積，包括PVD概述、真空系統(tǒng)及真空的獲得、真空鍍鋁等五節(jié)內容

7.1 PVD概述

7.2 真空系統(tǒng)及真空的獲得

7.3 真空蒸鍍

7.4 濺射

7.5 PVD金屬及化合物薄膜

第七講 作業(yè)

第八講 介紹第8章 光刻工藝，包括光刻概述，光刻工藝流程以及光刻技術等8節(jié)內容。

8.2 基本光刻工藝流程

8.3 光刻掩膜板制造技術

8.4 光刻膠

8.5 紫外曝光技術

8.6 光刻增強技術

8.7 其它曝光技術

8.8 光刻新技術展望

8.1 光刻概述

第八講 作業(yè)

第九講 介紹第九章 刻蝕技術 包括：刻蝕技術概述、濕法刻蝕技術、干法刻蝕技術及常用薄膜的刻蝕等共5節(jié)內容。

9.1 刻蝕技術--概述

9.2 刻蝕技術 -- 濕法刻蝕技術

9.3 刻蝕技術-- 干法刻蝕技術

9.4 SiO2薄膜的干法刻蝕技術

9.5 刻蝕技術-- 多晶硅等其它薄膜的干法刻蝕技術

第九講 作業(yè)

第十講 介紹典型工藝集成，包括金屬化、隔離技術，以及CMOS電路、雙極型電路工藝。

10.1--1 工藝集成--金屬化與多層互連

10.1--2 工藝集成--金屬化與多層互連--尖楔現象

10.2 工藝集成--集成電路中的隔離技術

10.3 CMOS集成電路的工藝集成

10.4 雙極型集成電路的工藝集成

結語 我的中國芯

第十周作業(yè)

與傳統(tǒng)電子技術相比，微電子技術具備一定特征，具體表現為以下幾個方面：

①微電子技術主要是通過在固體

內的微觀電子運動來實現信息處理或信息加工。

②微電子

信號傳遞能夠在極小的尺度下進行。

③微電子技術可將某個子系統(tǒng)或電子功能部件集成于芯片當中，具有較高的集成性，也具有較為全面的功能性。

④微電子技術可在晶格級微區(qū)進行工作。

由于無線電電路設計的近似性、元器件的離散性和裝配工藝的局限性，裝配完的整機一般都要進行不同程度的測試與調整。所以在電子產品的生產過程中，調試是一個非常重要的環(huán)節(jié)，調試工藝水平在很大程度上決定了整機的質量。

微電子設備組裝靜態(tài)測試與調整

靜態(tài)測試與調整的內容較多，適用于產品研制階段或初學者試制電路使用。在生產階段，為了提高生產效率。往往只作簡單針對性的調試，主要以調節(jié)可調性元件為主。對于不合格電路，也只作簡單檢查，如觀察有沒有短路或斷路等。若不能發(fā)現故障，則應立即在底板上標明故障現象，再轉向維修生產線進行維修，這樣才不會耽誤生產線的運行。

微電子設備組裝動態(tài)測試與調整

動態(tài)測試與調整是保證電路各項參數、性能、指標的重要步驟。其測試與調整的內容包括動態(tài)工作電壓、波形的形狀及其幅值和放大倍數、動態(tài)范圍、相位關系、通頻帶、輸出功率等。對于數字電路來說，只要器件選擇合適，直流工作點正常，邏輯關系就不會有太大問題，一般測試電平的轉換和工作速度即可 。2100433B

微電子技術是一門作用于半導體上的微小型集成電路系統(tǒng)的學科。微電子技術的關鍵在于研究集成電路的工作方式以及如何實際制造應用。集成電路的發(fā)展依賴于半導體器件的不斷演化。微電子技術可在納米級超小的區(qū)域內通過固體內的微觀電子運動來實現信息的處理與傳遞，并且有著很好的集成性。

從本質上來看，微電子技術的核心在于集成電路，它是在各類半導體器件不斷發(fā)展過程中所形成的。在信息化時代下，微電子技術對人類生產、生活都帶來了極大的影響。