微電子工藝課程大綱

第一講 介紹緒論與第1章 硅片的制備

緒論：1、 微電子工藝是講什么的？

2、 微電子工藝的發(fā)展歷程如何？

3、 微電子工藝有什么特點(diǎn)？

4、半導(dǎo)體單晶硅有什么特性？

第1章 硅片的制備

1.1多晶硅制備；1.2單晶生長(zhǎng)-CZ法

1.2單晶生長(zhǎng)-機(jī)理

1.2單晶生長(zhǎng)-摻雜

1.2單晶生長(zhǎng)-MCZ與FZ法

1.3硅片制備

第一講 作業(yè)

第二講 介紹第2章 外延，包括：外延概述、汽相外延、分子束外延、其它外延、外延層缺陷及檢測(cè)共五節(jié)內(nèi)容

2.1 外延概述

2.2 汽相外延

2.3 分子束外延

2.4 其它外延方法

2.5 外延層缺陷及檢測(cè)

第二講 作業(yè)

第三講，介紹第3章 熱氧化，包括：SiO2薄膜概述、硅的熱氧化、初始氧化階段及薄氧化層制備等6節(jié)內(nèi)容

3.1 二氧化硅薄膜概述

3.2 硅的熱氧化

3.3 初始氧化階段及薄氧化層制備

3.4 熱氧化過(guò)程中的雜質(zhì)再分布

3.5 氧化層的質(zhì)量及檢測(cè)

3.6 其它氧化方法

第三講 作業(yè)

第四講 介紹第4章 擴(kuò)散，包括：擴(kuò)散機(jī)構(gòu)、晶體中擴(kuò)散的基本特點(diǎn)及宏觀動(dòng)力學(xué)方程、雜質(zhì)的擴(kuò)散摻雜等共7節(jié)內(nèi)容。

4.1 擴(kuò)散機(jī)構(gòu)

4.2 晶體中擴(kuò)散的基本特點(diǎn)及宏觀動(dòng)力學(xué)方程

4.3 雜質(zhì)的擴(kuò)散摻雜

4.4 熱擴(kuò)散工藝中影響雜質(zhì)分布的其他因素

4.5 擴(kuò)散工藝條件與方法

4.6 擴(kuò)散工藝質(zhì)量與檢測(cè)

4.7 擴(kuò)散工藝的發(fā)展

第四講 作業(yè)

第五講 介紹第5章 離子注入，包括：離子注入原理、注入離子在靶中的分布、注入損傷等，共八節(jié)內(nèi)容

5.1 概述

5.2 離子注入原理

5.3 注入離子在靶中的分布

5.4 注入損傷

5.5 退火

5.6 離子注入設(shè)備與工藝

5.7 離子注入的其它應(yīng)用

5.8 離子注入與熱擴(kuò)散比較及摻雜新技術(shù)

第五講 作業(yè)

期中測(cè)驗(yàn)

第六講，介紹第6章 化學(xué)汽相淀積，包括：CVD概述，CVD工藝原理、方法，二氧化硅薄膜淀積等共七節(jié)內(nèi)容。

6.1 CVD概述

6.2 CVD工藝原理

6.3 CVD工藝方法

6.4 二氧化硅薄膜的淀積

6.5 氮化硅薄膜淀積

6.6 多晶硅薄膜的淀積

6.7 CVD金屬及金屬化合物薄膜

第六講 作業(yè)

第七講 介紹第7章物理汽相淀積，包括PVD概述、真空系統(tǒng)及真空的獲得、真空鍍鋁等五節(jié)內(nèi)容

7.1 PVD概述

7.2 真空系統(tǒng)及真空的獲得

7.3 真空蒸鍍

7.4 濺射

7.5 PVD金屬及化合物薄膜

第七講 作業(yè)

第八講 介紹第8章 光刻工藝，包括光刻概述，光刻工藝流程以及光刻技術(shù)等8節(jié)內(nèi)容。

8.2 基本光刻工藝流程

8.3 光刻掩膜板制造技術(shù)

8.4 光刻膠

8.5 紫外曝光技術(shù)

8.6 光刻增強(qiáng)技術(shù)

8.7 其它曝光技術(shù)

8.8 光刻新技術(shù)展望

8.1 光刻概述

第八講 作業(yè)

第九講 介紹第九章 刻蝕技術(shù) 包括：刻蝕技術(shù)概述、濕法刻蝕技術(shù)、干法刻蝕技術(shù)及常用薄膜的刻蝕等共5節(jié)內(nèi)容。

9.1 刻蝕技術(shù)--概述

9.2 刻蝕技術(shù) -- 濕法刻蝕技術(shù)

9.3 刻蝕技術(shù)-- 干法刻蝕技術(shù)

9.4 SiO2薄膜的干法刻蝕技術(shù)

9.5 刻蝕技術(shù)-- 多晶硅等其它薄膜的干法刻蝕技術(shù)

第九講 作業(yè)

第十講 介紹典型工藝集成，包括金屬化、隔離技術(shù)，以及CMOS電路、雙極型電路工藝。

10.1--1 工藝集成--金屬化與多層互連

10.1--2 工藝集成--金屬化與多層互連--尖楔現(xiàn)象

10.2 工藝集成--集成電路中的隔離技術(shù)

10.3 CMOS集成電路的工藝集成

10.4 雙極型集成電路的工藝集成

結(jié)語(yǔ) 我的中國(guó)芯

第十周作業(yè)

大學(xué)物理，大學(xué)化學(xué)

與傳統(tǒng)電子技術(shù)相比，微電子技術(shù)具備一定特征，具體表現(xiàn)為以下幾個(gè)方面：

①微電子技術(shù)主要是通過(guò)在固體

內(nèi)的微觀電子運(yùn)動(dòng)來(lái)實(shí)現(xiàn)信息處理或信息加工。

②微電子

信號(hào)傳遞能夠在極小的尺度下進(jìn)行。

③微電子技術(shù)可將某個(gè)子系統(tǒng)或電子功能部件集成于芯片當(dāng)中，具有較高的集成性，也具有較為全面的功能性。

④微電子技術(shù)可在晶格級(jí)微區(qū)進(jìn)行工作。

由于無(wú)線電電路設(shè)計(jì)的近似性、元器件的離散性和裝配工藝的局限性，裝配完的整機(jī)一般都要進(jìn)行不同程度的測(cè)試與調(diào)整。所以在電子產(chǎn)品的生產(chǎn)過(guò)程中，調(diào)試是一個(gè)非常重要的環(huán)節(jié)，調(diào)試工藝水平在很大程度上決定了整機(jī)的質(zhì)量。

微電子設(shè)備組裝靜態(tài)測(cè)試與調(diào)整

靜態(tài)測(cè)試與調(diào)整的內(nèi)容較多，適用于產(chǎn)品研制階段或初學(xué)者試制電路使用。在生產(chǎn)階段，為了提高生產(chǎn)效率。往往只作簡(jiǎn)單針對(duì)性的調(diào)試，主要以調(diào)節(jié)可調(diào)性元件為主。對(duì)于不合格電路，也只作簡(jiǎn)單檢查，如觀察有沒(méi)有短路或斷路等。若不能發(fā)現(xiàn)故障，則應(yīng)立即在底板上標(biāo)明故障現(xiàn)象，再轉(zhuǎn)向維修生產(chǎn)線進(jìn)行維修，這樣才不會(huì)耽誤生產(chǎn)線的運(yùn)行。

微電子設(shè)備組裝動(dòng)態(tài)測(cè)試與調(diào)整

動(dòng)態(tài)測(cè)試與調(diào)整是保證電路各項(xiàng)參數(shù)、性能、指標(biāo)的重要步驟。其測(cè)試與調(diào)整的內(nèi)容包括動(dòng)態(tài)工作電壓、波形的形狀及其幅值和放大倍數(shù)、動(dòng)態(tài)范圍、相位關(guān)系、通頻帶、輸出功率等。對(duì)于數(shù)字電路來(lái)說(shuō)，只要器件選擇合適，直流工作點(diǎn)正常，邏輯關(guān)系就不會(huì)有太大問(wèn)題，一般測(cè)試電平的轉(zhuǎn)換和工作速度即可 。2100433B

微電子技術(shù)是一門作用于半導(dǎo)體上的微小型集成電路系統(tǒng)的學(xué)科。微電子技術(shù)的關(guān)鍵在于研究集成電路的工作方式以及如何實(shí)際制造應(yīng)用。集成電路的發(fā)展依賴于半導(dǎo)體器件的不斷演化。微電子技術(shù)可在納米級(jí)超小的區(qū)域內(nèi)通過(guò)固體內(nèi)的微觀電子運(yùn)動(dòng)來(lái)實(shí)現(xiàn)信息的處理與傳遞，并且有著很好的集成性。

從本質(zhì)上來(lái)看，微電子技術(shù)的核心在于集成電路，它是在各類半導(dǎo)體器件不斷發(fā)展過(guò)程中所形成的。在信息化時(shí)代下，微電子技術(shù)對(duì)人類生產(chǎn)、生活都帶來(lái)了極大的影響。