微透鏡

當前，在光信息領域使用的微透鏡陣列（折射型和衍射型）的結構都是圓孔徑、方形排列或六角形排列，這種結構的微透鏡陣列因圓形透鏡元間存在較大的空隙，填充系數(shù)（有效受光面積與總受光面積之比）不大，至少有21%或10%的光信息漏泄，產(chǎn)生嚴重的圖文信息的丟失與失真，這是微透鏡陣列應用必須解決的重大問題。為了促進光學圖像傳遞、轉換與接受，光束整形、光信息耦合陣列、圖文交叉互連網(wǎng)絡、綜合成像和多孔徑光學系統(tǒng)等高性能器件的發(fā)展，必須盡快提高微透鏡陣列的填充系數(shù)。為此，本項目主要開展方形自聚焦透鏡和高填充系數(shù)（優(yōu)于93%）的方形孔徑微透鏡陣列的理論和實驗研究，制作高填充系數(shù)的方型孔徑微透鏡陣列，并對其像差特性作較深入地探討。由于這方面文獻報導很少，難度大、問題多、要求高。我們有條件、有信心通過團結奮斗，提供合格樣品，發(fā)表高水平論文3篇以上，申請專利2項，很好完成任務。

目前對于表面微結構的制作，常見的方法一般都是利用硅進行刻蝕，利用體硅刻蝕技術制作各種微納結構也是研究熱點。

刻蝕最簡單分類是:干法刻蝕和濕法刻蝕。感應禍合等離子體(InductivelyCoupled Plasma. ICP)刻蝕是一種干法刻蝕，原理是通過電感禍合等離子體輝光放電分解反應氣體，對樣品表面進行物理轟擊以及化學反應生成揮發(fā)性氣體，達到刻蝕的目的。ICP刻蝕技術由于其具有精度高、刻蝕快、均勻性和刻蝕垂直度好、污染少和刻蝕表面平整光滑等優(yōu)點，常用于刻蝕高深寬比結構，在微結構加工中被廣泛應用。

溝槽型的微結構基底可以得到雙焦距微透鏡，但在制作溝槽型基底前，首先要制作一些陣列柱狀的微結構進行一些規(guī)律的探索與驗證。由熱力學分析可知影響接觸角的微結構特征參數(shù)主要就是柱寬、柱間距和柱高，所以制作這幾個參數(shù)不同的微結構基底進行接觸角實驗。