一種垂直結構的白光LED芯片及其制造方法技術領域

《一種垂直結構的白光LED芯片及其制造方法》屬于LED生產(chǎn)技術領域，更具體地說，該發(fā)明涉及一種垂直結構的白光LED芯片及其制造方法。

圖1是《一種垂直結構的白光LED芯片及其制造方法》提供的垂直結構白光LED芯片的結構示意圖，其中101為銦鎵鋁氮半導體發(fā)光薄膜層，102為鈍化層，103為金屬反光層，104為壓焊金屬層，105為金錫層，106為銀反射鏡p型歐姆接觸層，107為導電基板，108為基板背鍍共晶焊歐姆接觸層，109為基板背鍍共晶金屬層，110為n型電極焊盤，111為含有熒光粉的硅膠層。

圖2A至圖2E是《一種垂直結構的白光LED芯片及其制造方法》的一個實施例的實現(xiàn)過程示意圖。

圖3A至圖3E是《一種垂直結構的白光LED芯片及其制造方法》的另一個實施例的實現(xiàn)過程示意圖。

一種垂直結構的白光LED芯片及其制造方法專利目的

《一種垂直結構的白光LED芯片及其制造方法》所要解決的一個技術問題是提供一種白光LED芯片制造方法，通過該方法制得的白光LED芯片，在產(chǎn)品封裝時，不需要采用熒光粉點膠封裝工藝，并且發(fā)光亮度均勻，出光效率高，生產(chǎn)成本低。

一種垂直結構的白光LED芯片及其制造方法技術方案

《一種垂直結構的白光LED芯片及其制造方法》提供一種垂直結構的白光LED芯片的制造方法，包括如下步驟：在生長襯底上外延生長銦鎵鋁氮半導體發(fā)光薄膜，形成垂直結構的銦鎵鋁氮發(fā)光二極管晶圓片，在所述晶圓片的電極焊盤上形成一層掩膜層，在所述晶圓片上涂覆一層混有熒光粉的硅膠并對其進行熱固化，形成一層熒光粉硅膠層，切割所述電極焊盤上的熒光粉硅膠層，使其與晶圓片臺面上的其他硅膠分離，刻蝕所述電極焊盤上的掩膜層及熒光粉硅膠層，暴露出電極焊盤，對所述晶圓片劃片獲得單顆芯片。

優(yōu)選地，所述掩膜層為光刻膠柱體。

優(yōu)選地，所述光刻膠柱體的厚度為10~150微米，形成方法包括但不限于下列方法中的一種：光刻法，直接點滴光刻膠法，成型的光刻膠柱體粘結在電極焊盤法，預先成型的掩膜圖形通過熱壓方法實現(xiàn)掩膜方法，金屬圖形用膠粘劑粘合在晶圓片上的方法。

優(yōu)選地，所述生長襯底包括但不限于下列襯底中的一種：Cu，Cr，Si，SiC，藍寶石。

優(yōu)選地，所述切割的方法包括但不限于下列方法中的一種：激光切割，機械切割。

優(yōu)選地，所述熒光粉硅膠層的涂覆方法包括但不限于下列方法中的一種：旋涂法，噴涂法，印刷法。

優(yōu)選地，所述熒光粉硅膠層至少覆蓋金屬焊盤1微米，在芯片邊緣，所述熒光粉硅膠層至少大于銦鎵鋁氮薄膜臺面2微米。

優(yōu)選地，所述所述刻蝕的方法包括但不限于下列方法中的一種：濕法刻蝕，ICP刻蝕，RIE刻蝕。

優(yōu)選地，所述劃片切割的切割方法包括但不限于下列方法中的一種：激光劃片，機械劃片。

《一種垂直結構的白光LED芯片及其制造方法》所要解決的另一個技術問題是提供一種白光LED 芯片，該芯片發(fā)光時光斑現(xiàn)象得到大大改善，且出光率高，成本低。

為了解決上述技術問題，《一種垂直結構的白光LED芯片及其制造方法》提供一種垂直結構的白光LED 芯片，該垂直結構的白光LED 芯片采用上述所述的垂直結構的白光LED 芯片的制造方法制得，包括垂直結構的銦鎵鋁氮發(fā)光二極管晶圓片，位于所述晶圓片上的熒光粉硅膠層，并且所述熒光粉硅膠層覆蓋了所述晶圓片的除電極焊盤外的所有表面。

優(yōu)選地，所述熒光粉至少包括下列中的一種：釔鋁石榴石熒光粉、鋁酸鹽熒光粉、紅色氮化物熒光粉、綠色鋁酸鹽熒光粉。

優(yōu)選地，所述熒光粉硅膠層的熒光粉與硅膠的質量比介于1:10至5:1之間，熒光粉硅膠層的厚度小于100微米。

一種垂直結構的白光LED芯片及其制造方法有益效果

《一種垂直結構的白光LED芯片及其制造方法》提供的垂直結構的白光LED芯片的制造方法的有益效果在于：該發(fā)明制造方法工藝簡單，而且通過該方法制得的白光LED 芯片，在LED 產(chǎn)品封裝時，不需要采用熒光粉點膠封裝工藝，并且發(fā)出的白光均勻，出光效率高，生產(chǎn)成本低。

《一種垂直結構的白光LED芯片及其制造方法》提供的垂直結構的白光LED芯片的有益效果在于：該發(fā)明白光LED芯片的封裝工藝簡單，不需要熒光粉點膠工藝，同時發(fā)出的白光亮度均勻，且出光率高，成本低。

發(fā)光二極管（Light Emitting Diode，簡稱LED）廣泛運用于照明領域，而照明領域的光一般為白光，實現(xiàn)二極管的白光通常的方法是先形成藍光芯片，然后在封裝的時候在封裝材料中加入熒光粉，藍光芯片發(fā)出的藍光激發(fā)封裝材料里的熒光粉發(fā)出黃光或綠光或紅光或多種顏色的混合光，由藍光和這些被激發(fā)出的光共同混合形成白光。一般來說藍光芯片的制備和白光封裝是相對獨立的工序，先將藍光芯片按波長和光功率進行分檔，然后不同檔次的藍光芯片再封裝成白光，這種獲得白光LED燈珠的過程稱為傳統(tǒng)封裝。傳統(tǒng)封裝主要存在以下缺點：1）藍光芯片安裝在封裝支架后，需要對每顆芯片進行點熒光膠，這樣工作效率低下，封裝設備投入大，制造成本高；2）每顆芯片的熒光膠量一致性很難得到保證，因此封裝良率偏低；3）熒光膠在整個芯片的臺面上無法均勻分布，尤其是微觀的熒光粉量很難與微觀的藍光發(fā)光強度相匹配，這樣封裝品質很難保證；4）芯片焊線后點熒光膠，容易導致焊線的金球部分熒光膠的含量偏多，導致掛球現(xiàn)象，大大降低封裝良率和封裝品質。因此，光斑不均勻的白光LED做成燈具后，會導致燈具的白光在空間分布上不均勻。

2013年前的藍光芯片主要有同側結構和垂直結構。對于同側結構的芯片，它的襯底一般是透藍光的藍寶石襯底和碳化硅襯底，即使芯片背面鍍上不透光的反射膜，也會有5個面同時出光，因而這種結構的芯片做成的發(fā)光器件很難獲得光斑均勻的白光，在芯片側邊會存在明顯的黃圈。垂直結構的芯片，由于發(fā)光薄膜是從外延襯底轉移到新的不透光的支撐基板上，對于該結構的芯片做成的發(fā)光器件而言它只有一個面發(fā)光，因而，它最容易獲得光斑均勻的白光。如果將垂直結構的芯片，做成白光芯片，則這種芯片不但制造工藝簡單，而且很容易獲得光斑均勻的白光，并且封裝的時候僅需焊線和做透鏡，不需要經(jīng)過繁雜難控制的點熒光膠過程。而如果將垂直結構的晶圓片直接做成白光芯片，則這種芯片能大大降低半導體照明產(chǎn)業(yè)鏈的成本。

1.一種垂直結構的白光LED芯片的制造方法，其特征在于包括：在生長襯底上外延生長銦鎵鋁氮半導體發(fā)光薄膜，形成垂直結構的銦鎵鋁氮發(fā)光二極管晶圓片；在所述晶圓片的電極焊盤上形成一層掩膜層；在所述晶圓片上涂覆一層混有熒光粉的硅膠并對其進行熱固化，形成一層熒光粉硅膠層；切割所述電極焊盤上的熒光粉硅膠層，使其與晶圓片臺面上的其他硅膠分離；刻蝕所述電極焊盤上的掩膜層及熒光粉硅膠層，暴露出電極焊盤；對所述晶圓片劃片獲得單顆芯片。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種垂直結構的白光LED芯片的制造方法，其特征在于所述掩膜層為光刻膠柱體。

3.根據(jù)權利要求2所述的一種垂直結構的白光LED芯片的制造方法，其特征在于所述光刻膠柱體的厚度為10~150微米，形成方法包括但不限于下列方法中的一種：光刻法，直接點滴光刻膠法，成型的光刻膠柱體粘結在電極焊盤法，預先成型的掩膜圖形通過熱壓方法實現(xiàn)掩膜，金屬圖形用膠粘劑粘合在晶圓片上。

4.根據(jù)權利要求1所述的一種垂直結構的白光LED芯片的制造方法，其特征在于所述生長襯底包括但不限于下列襯底中的一種：Cu，Cr，Si，SiC，藍寶石。

5.根據(jù)權利要求1所述的一種垂直結構的白光LED芯片的制造方法，其特征在于所述切割的方法包括但不限于下列方法中的一種：激光切割，機械切割。

6.根據(jù)權利要求1所述的一種垂直結構的白光LED芯片的制造方法，其特征在于所述熒光粉硅膠層的涂覆方法包括但不限于下列方法中的一種：旋涂法，噴涂法，印刷法。

7.根據(jù)權利要求1所述的一種垂直結構的白光LED芯片的制造方法，其特征在于所述熒光粉硅膠層至少覆蓋金屬焊盤1微米，在芯片邊緣，所述熒光粉硅膠層至少大于銦鎵鋁氮薄膜臺面2微米。

8.根據(jù)權利要求1所述的一種垂直結構的白光LED芯片的制造方法，其特征在于所述刻蝕的方法包括但不限于下列方法中的一種：濕法刻蝕，ICP刻蝕，RIE刻蝕。

9.根據(jù)權利要求1所述的一種垂直結構的白光LED芯片的制造方法，其特征在于所述劃片切割的切割方法包括但不限于下列方法中的一種：激光劃片，機械劃片。

10.一種垂直結構的白光LED芯片，包括:垂直結構的銦鎵鋁氮發(fā)光二極管晶圓片；位于所述晶圓片上的熒光粉硅膠層；其特征在于所述熒光粉硅膠層覆蓋了所述晶圓片的除電極焊盤外的所有表面。

11.根據(jù)權利要求10所述的一種垂直結構的白光LED芯片，其特征在于所述熒光粉至少包括下列中的一種：釔鋁石榴石熒光粉、鋁酸鹽熒光粉、紅色氮化物熒光粉、綠色鋁酸鹽熒光粉。

12.根據(jù)權利要求10所述的一種垂直結構的白光LED芯片，其特征在于所述熒光粉硅膠層的熒光粉與硅膠的質量比介于1:10至5:1之間，熒光粉硅膠層的厚度小于100微米。

實施例1

圖2給出了根據(jù)《一種垂直結構的白光LED芯片及其制造方法》一個實施例制備垂直結構的白光LED芯片的步驟。如圖2A所示，在硅襯底上外延生長銦鎵鋁氮半導體發(fā)光薄膜201，沉積p型歐姆接觸層206和金屬反光層203，在導電支撐基板207正面沉積金錫層205，將硅襯底的銦鎵鋁氮半導體發(fā)光薄膜與導電的支撐基板壓焊在一起，形成金錫壓焊的壓焊金屬層204，然后去除硅襯底，實現(xiàn)銦鎵鋁氮薄膜從硅襯底到支撐基板的轉移，轉移后的銦鎵鋁氮半導體發(fā)光薄膜經(jīng)過表面粗化，分割成臺面陣列，沉積鈍化層202和n型歐姆接觸電極及金屬焊盤210，在導電基板背鍍共晶焊歐姆接觸層208及共晶金屬層209，從而形成垂直結構的銦鎵鋁氮發(fā)光二極管晶圓片。再在晶圓片上進行常見的光刻工藝，在焊盤210和切割道上形成n電極焊盤上的掩膜層和晶圓片切割道上的掩膜層211，該光刻膠的厚度為10~150微米。然后在其上旋涂熒光膠形成熒光膠層212，完成熒光膠旋涂后的晶圓片如圖2B所示，該熒光膠的熒光粉是LED白光封裝中常用的紅、綠、黃等熒光粉，該硅膠是常見的雙組份的環(huán)氧硅膠，也可以是環(huán)氧樹脂。配置時熒光粉與硅膠充分攪拌和混合，熒光粉與硅膠的比例，根據(jù)白光芯片的色溫和顯色指數(shù)的要求不同，可以在1:100至100:1之間變化，攪拌熒光膠可以在真空中完成攪拌。完成熒光膠的攪拌后，在晶圓片上涂覆熒光膠層，在涂覆熒光膠層前必須對晶圓片進行等離子體過氧去殘膠處理，以防止界面上殘留的光刻膠影響發(fā)光效率。在完成熒光膠的旋涂工藝后，對晶圓片進行真空脫泡或離心脫泡處理，防止硅膠和粗化過的GaN臺面之間形成微小的氣泡，然后再對其進行固化，在晶圓片上的硅膠完成固化后，然后用激光在掩膜圖形上對熒光膠層進行切割，切割后如圖2C所示，激光切割切割后的效果如圖2C中213所示，激光僅切透硅膠層，但不切透掩膜層。完成切割后掩膜層部分被暴露，然后用去膠液將掩膜層去除，使得芯片的焊盤和切割道得以暴露，從而利于白光芯片的焊線，如圖2D所示。去掩膜層時，要求去膠液不但不能破壞藍光晶圓片的結構，而且不能破壞硅膠和熒光粉，并且不能導致硅膠黃化或發(fā)黑而影響其折射率和透射率。最后對晶圓片進行切割，獲得分立器件，如圖2E所示。切割晶圓片的方法為常見的硅片切割方法，可以是機械劃片方法，也可以是激光劃片方法，也可以是常見芯片劃片方法的組合。

實施例2

圖3給出了根據(jù)《一種垂直結構的白光LED芯片及其制造方法》一個實施例制備垂直結構的白光LED芯片的步驟。如圖3A所示，在藍寶石襯底上外延生長銦鎵鋁氮半導體發(fā)光薄膜301，沉積p型歐姆接觸層306和金屬反光層303，在導電支撐基板307正面沉積金錫層305，將藍寶石襯底的銦鎵鋁氮半導體發(fā)光薄膜與導電的支撐基板壓焊在一起，形成金錫壓焊的壓焊金屬層304，然后去除藍寶石襯底，實現(xiàn)銦鎵鋁氮薄膜從生長襯底到支撐基板的轉移，轉移后的銦鎵鋁氮半導體發(fā)光薄膜經(jīng)過表面粗化，分割成臺面陣列，沉積鈍化層302和n型歐姆接觸電極及金屬焊盤310，從而形成垂直結構的銦鎵鋁氮發(fā)光二極管晶圓片。在晶圓片的焊盤310上點UV固化膠形成n電極焊盤上的掩膜層311，如圖3B所示。該UV固化膠能基本上自己形成半球形，然后對其進行固化。也可以是其他硅膠，或環(huán)氧樹脂，或是與電極金屬不同低熔點的金屬。然后在晶圓片上旋涂熒光膠，形成熒光粉硅膠層312，如圖3C所示。然后，用激光去除掩膜圖形上的熒光粉和硅膠及掩膜層，如圖3D所示，最后將晶圓片切割成分立器件，如圖3E所示。

2020年7月14日，《一種垂直結構的白光LED芯片及其制造方法》獲得第二十一屆中國專利獎優(yōu)秀獎。

《一種白光LED的點膠工藝方法》涉及白光LED的點膠工藝方法。

一種變壓器及其制作方法和芯片專利目的

《一種變壓器及其制作方法和芯片》實施例提供一種變壓器及其制作方法和芯片，能夠使變壓器具有高的Q值，而且結構尺寸小。

一種變壓器及其制作方法和芯片技術方案

《一種變壓器及其制作方法和芯片》實施例的技術方案是這樣實現(xiàn)的：

一種變壓器的制作方法，所述變壓器包括初級線圈、次級線圈、第一初級調(diào)諧電容和第一次級調(diào)諧電容，所述方法包括：

將所述第一初級調(diào)諧電容和/或所述第一次級調(diào)諧電容排布在所述初級線圈和所述次級線圈所圍成的區(qū)域中；其中所述第一初級調(diào)諧電容包括一個以上的第二初級調(diào)諧電容，所述第一次級調(diào)諧電容包括一個以上的第二次級調(diào)諧電容；并聯(lián)連接一個以上的所述第二初級調(diào)諧電容，和并聯(lián)連接一個以上的所述第二次級調(diào)諧電容；一個以上的所述第二初級調(diào)諧電容及其連線、和/或一個以上的所述第二次級調(diào)諧電容及其之間的連線構成一個局部屏蔽網(wǎng)絡或一個局部屏蔽網(wǎng)絡的其中一部分。

優(yōu)選地，所述將所述第一初級調(diào)諧電容和/或所述第一次級調(diào)諧電容排布在所述初級線圈和所述次級線圈所圍成的區(qū)域中，包括：

將所有的或部分的一個以上的所述第二初級調(diào)諧電容和/或一個以上的所述第二次級調(diào)諧電容排布在所述初級線圈和所述次級線圈所圍成的空白區(qū)域中或所述空白區(qū)域的正下方。

優(yōu)選地，所述變壓器包括片上無源變壓器或片上變壓器式巴倫。

優(yōu)選地，所述一個以上的所述第二初級調(diào)諧電容的電容值完全相等或不完全相等；

和/或，所述一個以上的所述第二次級調(diào)諧電容的電容值完全相等或不完全相等。

優(yōu)選地，所述方法還包括：

所述初級線圈和所述次級線圈采用同層金屬對稱互繞在同一塊襯底上，且金屬線之間交叉的地方采用上層金屬或下層金屬過渡。

一種變壓器，所述變壓器包括：初級線圈、次級線圈、第一初級調(diào)諧電容和第一次級調(diào)諧電容；其中，所述第一初級調(diào)諧電容包括并聯(lián)連接的一個以上的第二初級調(diào)諧電容，所述第一次級調(diào)諧電容包括并聯(lián)連接的一個以上的第二次級調(diào)諧電容；

所述第一初級調(diào)諧電容和/或所述第一次級調(diào)諧電容排布在所述初級線圈和所述次級線圈所圍成的區(qū)域中；且一個以上的所述第二初級調(diào)諧電容及其之間的連線、和/或一個以上的所述第二次級調(diào)諧電容及其之間的連線構成一個局部屏蔽網(wǎng)絡或一個局部屏蔽網(wǎng)絡的其中一部分。

優(yōu)選地，所述初級線圈和所述次級線圈采用同層金屬對稱互繞在同一塊襯底上，且金屬線之間交叉的地方采用上層金屬或下層金屬過渡。

優(yōu)選地，所有的或部分的所述第二初級調(diào)諧電容、和/或所有的或部分的所述第二次級調(diào)諧電容排布在所述初級線圈和所述次級線圈所圍成的空白區(qū)域或所述空白區(qū)域的正下方的正下方。

優(yōu)選地，所述一個以上的所述第二初級調(diào)諧電容的電容值完全相等或不完全相等；

和/或，所述一個以上的所述第二次級調(diào)諧電容的電容值完全相等或不完全相等。

一種芯片，所述芯片包括上述任一項所述的變壓器。

一種變壓器及其制作方法和芯片改善效果

《一種變壓器及其制作方法和芯片》實施例一種變壓器及其制作方法和芯片，將所述第一初級調(diào)諧電容和/或所述第一次級調(diào)諧電容排布在所述初級線圈和所述次級線圈所圍成的區(qū)域中；其中所述第一初級調(diào)諧電容包括一個以上的第二初級調(diào)諧電容，所述第一次級調(diào)諧電容包括一個以上的第二次級調(diào)諧電容；并聯(lián)連接一個以上的所述第二初級調(diào)諧電容，和并聯(lián)連接一個以上的所述第二次級調(diào)諧電容；一個以上的所述第二初級調(diào)諧電容及其連線、和/或一個以上的所述第二次級調(diào)諧電容及其之間的連線構成一個局部屏蔽網(wǎng)絡或一個局部屏蔽網(wǎng)絡的其中一部分；如此，能夠使變壓器具有高的Q值，而且結構尺寸小。

一種白光LED的點膠工藝方法專利目的

《一種白光LED的點膠工藝方法》的目的是為了提供一種白光LED的點膠工藝方法，利用《一種白光LED的點膠工藝方法》的工藝方法能提高白光LED發(fā)光顏色、亮度和色溫的一致性，提高產(chǎn)品的良品率，縮短白光LED的生產(chǎn)工藝周期，節(jié)約能源，降低生產(chǎn)成本。

一種白光LED的點膠工藝方法技術方案

（1）將熒光粉和膠水按比例加入到配膠容器中；

（2）將配膠容器用偏心夾具固定在行星式離心攪拌機中；

（3）啟動行星式離心攪拌機，行星式離心攪拌機使配膠容器在密閉的腔體內(nèi)繞偏心夾具的中心自轉，并繞腔體中心公轉，使熒光粉與膠水混合均勻；行星式離心攪拌機將密閉腔體抽成真空狀態(tài)，脫去熒光粉和膠水混合物中的氣泡；熒光粉和膠水的攪拌時間為10-35分鐘；

（4）將抽完氣泡的熒光粉和膠水混合物放置到50-80℃的恒溫箱內(nèi)保存15-40分鐘，使熒光粉和膠水混合物的黏度到達4000-8000厘帕秒；同時將支架放入到恒溫箱內(nèi)；

（5）再一次將配膠容器放入到行星式離心攪拌機，對配膠容器內(nèi)的熒光粉膠水混合物進行攪拌；

（6）將攪拌均勻的熒光粉膠水混合物倒入到溫度可調(diào)針筒內(nèi)，控制溫度可調(diào)針筒的溫度，使其比恒溫箱內(nèi)保存膠水的溫度低10-25℃控制在30-55℃之間；

（7）將支架從恒溫箱內(nèi)取出放置到支架加熱保溫器內(nèi)，利用溫度可調(diào)針筒將熒光粉和膠水混合物點到支架上；

（8）將點好熒光粉和膠水混合物的支架從加熱保溫器內(nèi)取出放入到保溫型料盒內(nèi)；

（9）將裝有點好熒光粉和膠水混合物支架的保溫型料盒放入到恒溫烤箱內(nèi)進行烘烤，避免材料在恒溫烤箱內(nèi)溫度的迅速升高，使膠體與支架結合不緊密；

（10）將烘烤完的點有熒光粉和膠水混合物的支架連同保溫型料盒放入到保溫型料架內(nèi)冷卻，可避免材料在出烤后溫度迅速降低，影響產(chǎn)品品質；

（11）取出點有熒光粉和膠水混合物的支架。

上述工藝，配膠容器放置在行星式離心攪拌機密閉腔體內(nèi)，在混合攪拌熒光粉和膠水時，配膠容器既產(chǎn)生自轉又產(chǎn)生公轉，使熒光粉與膠水混合攪拌均勻；密閉的容器抽真空的目的是為了脫去熒光粉和膠水混合物中的氣泡，防止點膠后熒光粉和膠水混合物中有氣泡而影響發(fā)光顏色、亮度、色溫以及產(chǎn)品的一致性，同時能提高產(chǎn)品的良品率；在點膠之前對熒光粉和膠水混合物進行恒溫保存能提高膠水混合物的黏度，黏度增大，熒光粉在膠水中不容易沉淀，使得不同時間內(nèi)先后從溫度可調(diào)針筒內(nèi)吐出的熒光粉和膠水混合物一致性大大提高，從而保證了不同時間段同一杯膠點在芯片上的熒光粉和膠水混合物的量一致、均勻，提高了批量生產(chǎn)的產(chǎn)品發(fā)光顏色、色品坐標和色溫的一致性和集中性；在恒溫保存后再一次進行攪拌是為了進一步提高熒光粉和膠水混合物的均勻度，提高產(chǎn)品的良品率；點膠時，維持溫度可調(diào)針筒上的溫度在30-55℃是為了維持熒光粉和膠水混合物的黏度，即繼續(xù)保證熒光粉和膠水混合物的黏度在4000-8000厘帕秒之間，降低熒光粉在膠水中的沉淀速度；對支架進行加熱，一方面為了除潮，另一方面熒光粉和膠水混合物的流動性更好，提高產(chǎn)品的良品率；在烘烤過程中，將點有熒光粉和膠水混合物的支架放入到保溫型料盒然后整體放入到烤箱內(nèi)，這樣的烘烤方式，保溫型料盒因為其較低的導熱率與較高的比熱容使保溫型料盒內(nèi)的溫度變化平緩，避免在恒溫烤箱內(nèi)溫度突然升高使膠水與支架結合不緊密，膠體突然熱膨脹導致LED燈內(nèi)部結構被破壞，造成不必要的損失；將烘烤完的點有熒光粉和膠水混合物的支架連同保溫型料盒同時放入到保溫型料架內(nèi)緩慢冷卻，這種冷卻方式能緩慢降溫，同時減少在恒溫烤箱中的加熱時間，節(jié)約能源，有效合理利用資源，熒光粉和膠水的內(nèi)部組織不會發(fā)生劇烈的變化，使得白光LED的結構穩(wěn)定，不易變形，提高產(chǎn)品的良品率。

作為具體化，所述的偏心夾具上設有配膠容器放置空腔，配膠容器放置空腔的中心軸線偏離于偏心夾具的旋轉中心。

作為改進，所述的溫度可調(diào)針筒包括筒體、機械螺桿吐膠器，機械螺桿吐膠器包括吐膠筒及擠出螺桿，筒體壁上設有膠水出口，吐膠筒上設有膠水進口，筒體壁上的膠水出口和吐膠筒上的膠水進口相連通，所述的擠出螺桿設在吐膠筒內(nèi)，吐膠筒的出膠口為錐形；筒體外表面上纏繞有加熱線圈。所述的筒體給吐膠筒提供熒光粉與膠水的混合物；所述的熒光粉和膠水混合物通過擠出螺桿的轉動擠出，黏度在3000-9000厘帕秒的情況下能精確的控制吐膠的量，克服氣壓式點膠浮動過大的缺陷；所述的針頭為錐形口，減少吐膠時與膠水的接觸面積，避免出現(xiàn)“拉絲”現(xiàn)象；所述的筒體外表面上纏繞有加熱線圈，可增加膠體的流動性；所述的筒體壁上設有膠水進口。

作為改進，所述的保溫型料盒包括箱體，箱體的一側設有開口，開口處設有密封門，所述的箱體頂部設有通氣孔，所述的箱體內(nèi)壁上設有支架導軌槽。

設置開口便于放置點有熒光粉和膠水混合物的支架，在烘烤時，關閉箱體上的封閉門，能夠有效的限制氣體在保溫型料盒內(nèi)形成對流，防止氣體中的物質與熒光粉和膠水混合物發(fā)生化學反應，提高熒光粉和膠水混合物的穩(wěn)定，設置通氣孔便于排出熒光粉與膠水混合物以及支架中的氣體和水蒸汽。

作為改進，所述的保溫型料盒為鑄鐵材料。鑄鐵材料的熱導率較低，比熱容高，密度大，同體積材料可以存儲較多的熱量，因此，溫度變化率較小，烘烤的效果好。

作為改進，所述的保溫型料架包括架體，架體內(nèi)設有放置腔體，放置腔體與空氣之間設有隔熱層。這種結構降低保溫型料架中各放置腔體內(nèi)的保溫型料盒與空氣的熱對流，起到保溫作用。