RCC由一個主開關晶體管、一個變壓器和一些電阻、電容、二極管組成,并不包含集成芯片。不包含集成芯片,使得RCC的成本較采用集成芯片的電源電路為低。但隨著集成電路芯片的降價(如今一個芯片的價格僅為人民幣0.5元左右),RCC的成本優(yōu)勢已經非常弱。
傳統(tǒng)的RCC一般采用功率三極管(BJT)作為開關管。較新的設計采用了金屬-氧化物-半導體場效應管(MOSFET),以實現(xiàn)更低功耗以及準諧振等功能。
RCC的變壓器由三個或以上的繞組組成,包含輸入側的一個主輸入繞組,一個反饋繞組以及輸出側的一個或多個輸出繞組。和所有的反激變換器一樣,這個變壓器需要承受大的直流偏磁。
輔助電路需要二極管、電阻、電容等,實現(xiàn)電流限制、電壓限制等功能。
RCC的功率部分如同普通的反激變換器一樣操作。信號和控制部分原理如下:
1.當加入輸入電壓Vin(電阻RG連接Tr1的基極),電流Ib流過Rb,Tr1導通,此Ib為啟動電流。Tr1的collector電流Ic波形一般從0開始。
2. Tr1一旦進入ON狀態(tài),transformer的P1線圈已加入輸入電壓Vin,因此P2線圈形成的電壓為Tr1提供了基極電流,使得Tr1可以保持導通。
3. Tr1的集電極電流成斜坡狀上升,直到電流為βIb,此時基極電流無法維持Tr1晶體管飽和導通,晶體管集電極--發(fā)射極之間的電壓上升。而這里的電壓上升使得變壓器Np上的輸入電壓下降,更導致Ib下降。于是形成了正反饋,使得Tr1最終關閉。
4. Tr1關閉后如同其他反激變換器一樣,儲存在變壓器內部的能量流到次級電容里,為負載供電。在變壓器內部能量未釋放完時,基極一直被次級反射來的負電壓下拉,晶體管保持關閉。變壓器內部能量釋放完畢后,電路工作狀態(tài)轉入第1步,形成周期性循環(huán)。
5.如果在集電極有較大電流時使用其他方法導致基極電流不足,也可以觸發(fā)正反饋機制關斷晶體管Tr1。這一特點常用于實現(xiàn)電流限制和穩(wěn)壓。(即在電流或電壓過大時減小占空比或禁止晶體管開通)
基本的RCC電路天然有著限制峰值電流的特征。由于基極電阻的限流作用,基極電流無法超過Vin/Np*Nb/Rb,從而讓集電極電流在超過βIb時觸發(fā)正反饋關斷機制。 實際應用中,這種限流是不準確的,因為晶體管的β離散性很大(同種型號晶體管β可以相差4倍),并且輸入電壓Vin不固定。實際采取的大多是電流檢測電阻 NPN晶體管對基極分流的方法。圖1中的R3是電流檢測電阻,當它上面的電壓加上1N4148的導通壓降(約0.8V)超過8050的導通電壓時,8050導通,拉出基極電流,使得基極欠流,觸發(fā)正反饋機制從而關斷。
RCC的穩(wěn)壓是通過基極繞組的反激電壓實現(xiàn)的。當晶體管關斷,基極繞組異名端反接的的電容C2充電。C2的電壓和C3的電壓成比例Nb/Ns。當C2的電壓超過了穩(wěn)壓管D8的齊納電壓,C2就流出電流,把基極電壓拉低,阻止或減緩晶體管導通,從而間接控制了C3上的輸出電壓。
RCC由一個主開關晶體管、一個變壓器和一些電阻、電容、二極管組成,并不包含集成芯片。不包含集成芯片,使得RCC的成本較采用集成芯片的電源電路為低。但隨著集成電路芯片的降價(如今一個芯片的價格僅為人民幣0.5元左右),RCC的成本優(yōu)勢已經非常弱。
傳統(tǒng)的RCC一般采用功率三極管(BJT)作為開關管。較新的設計采用了金屬-氧化物-半導體場效應管(MOSFET),以實現(xiàn)更低功耗以及準諧振等功能。
RCC的變壓器由三個或以上的繞組組成,包含輸入側的一個主輸入繞組,一個反饋繞組以及輸出側的一個或多個輸出繞組。和所有的反激變換器一樣,這個變壓器需要承受大的直流偏磁。
輔助電路需要二極管、電阻、電容等,實現(xiàn)電流限制、電壓限制等功能。
RCC的功率部分如同普通的反激變換器一樣操作。信號和控制部分原理如下:
1.當加入輸入電壓Vin(電阻RG連接Tr1的基極),電流Ib流過Rb,Tr1導通,此Ib為啟動電流。Tr1的collector電流Ic波形如圖,一般從0開始。
2. Tr1一旦進入ON狀態(tài),transformer的P1線圈已加入輸入電壓Vin,因此P2線圈形成的電壓為Tr1提供了基極電流,使得Tr1可以保持導通。
3. Tr1的集電極電流成斜坡狀上升,直到電流為βIb,此時基極電流無法維持Tr1晶體管飽和導通,晶體管集電極--發(fā)射極之間的電壓上升。而這里的電壓上升使得變壓器Np上的輸入電壓下降,更導致Ib下降。于是形成了正反饋,使得Tr1最終關閉。
4. Tr1關閉后如同其他反激變換器一樣,儲存在變壓器內部的能量流到次級電容里,為負載供電。在變壓器內部能量未釋放完時,基極一直被次級反射來的負電壓下拉,晶體管保持關閉。變壓器內部能量釋放完畢后,電路工作狀態(tài)轉入第1步,形成周期性循環(huán)。
5.如果在集電極有較大電流時使用其他方法導致基極電流不足,也可以觸發(fā)正反饋機制關斷晶體管Tr1。這一特點常用于實現(xiàn)電流限制和穩(wěn)壓。(即在電流或電壓過大時減小占空比或禁止晶體管開通)
基本的RCC電路天然有著限制峰值電流的特征。由于基極電阻的限流作用,基極電流無法超過Vin/Np*Nb/Rb,從而讓集電極電流在超過βIb時觸發(fā)正反饋關斷機制。 實際應用中,這種限流是不準確的,因為晶體管的β離散性很大(同種型號晶體管β可以相差4倍),并且輸入電壓Vin不固定。實際采取的大多是電流檢測電阻+NPN晶體管對基極分流的方法。圖中的R3是電流檢測電阻,當它上面的電壓加上1N4148的導通壓降(約0.8V)超過8050的導通電壓時,8050導通,拉出基極電流,使得基極欠流,觸發(fā)正反饋機制從而關斷。
RCC的穩(wěn)壓是通過基極繞組的反激電壓實現(xiàn)的。當晶體管關斷,基極繞組異名端反接的的電容C2充電。C2的電壓和C3的電壓成比例Nb/Ns。當C2的電壓超過了穩(wěn)壓管D8的齊納電壓,C2就流出電流,把基極電壓拉低,阻止或減緩晶體管導通,從而間接控制了C3上的輸出電壓。
目前被普遍認識的是RCC電路對元件、布線、生產工藝要求很高。使用劣質元件、水準不高的布板、變壓器繞制不恰當都可能導致RCC電路無法工作,或在正常工作一段時間后失效。常見失效模式包括但不限于:
RCC最常見也最典型的失效現(xiàn)象是主開關管燒毀。大部分此類故障是由變壓器基極線圈漏感導致的。 變壓器基極線圈的漏感和基極串聯(lián)的電阻形成LR低通濾波電路,對電流信號有延遲作用,導致在集電極電壓上升時,基極電流減小的正反饋出現(xiàn)延遲。而這樣的延遲對于絕大部分雙極型開關管是致命的,它導致晶體管越出安全工作區(qū),以及發(fā)熱量過大,最終導致不可逆的二次擊穿。
此類故障較少出現(xiàn)在使用功率MOSFET制作的RCC上,因為功率MOSFET的安全工作區(qū)遠大于雙極型晶體管。并且功率MOSFET為電壓控制型,開通/關斷閾值范圍窄,MOSFET較為不易出現(xiàn)同時承受大電流和高電壓的情況,即使偶爾出現(xiàn)也不會發(fā)生不可逆的失效。 曾經有一批基于MOSFET的RCC電源常常因開關管損壞而失效,經查證,是因為廠家技術考慮不周,機械模仿110V地區(qū)產品,在220V交流線路(整流后電壓高達311V)上,使用了耐壓500V的MOSFET(型號是IRF840)。
另一常見的問題是輸出電壓明顯超過設計輸出電壓,導致負載過熱、燒毀。特別是當負載為鋰離子電池時,輸出過高電壓極端危險,可能導致電池內部氣體液體泄漏甚至爆炸。 原因一是變壓器繞組間不完全耦合,存在漏感,導致互調整率差。在變換器處于輕載狀態(tài),占空比小的時候,此問題更加嚴重。二是和集成芯片中包含的運算放大器(放大倍數(shù)高達數(shù)百倍、數(shù)千倍)相比,電壓環(huán)路開環(huán)增益太小,精確穩(wěn)壓困難。
并且這兩個缺點幾乎是不可能同時妥善解決的。解決二次擊穿問題要求基極線圈和主線圈近繞以保持耦合良好,而解決輸出電壓不穩(wěn)的問題要求次級線圈和基極線圈近繞,又要求初次級之間數(shù)千伏的電氣隔離。在有限繞線位置的變壓器骨架下,要達到這兩個矛盾的目的,是十分困難的。 2100433B
你好,這樣子的話你可以試試看下面的方法介紹 如果是單純的過電流保護,電流數(shù)量達到一定值,就跳閘,那么你沒戲,除非去配電柜換一個大電流的開關。(去值班室搞到鑰匙,有電工常識 的人...
變換器,是將信源發(fā)出的信息按一定的目的進行變換。矩陣式變換器是一種新型的交-交電源變換器。和傳統(tǒng)的變換器相比,它具有如下優(yōu)點:不需要中間直流儲能環(huán)節(jié);能夠四象限運行;具有優(yōu)良的輸入電流波形和輸出電壓波...
直流變換器分為并聯(lián)直流變換器和非并聯(lián)直流變換器兩種。
目前被普遍認識的是RCC電路對元件、布線、生產工藝要求很高。使用劣質元件、水準不高的布板、變壓器繞制不恰當都可能導致RCC電路無法工作,或在正常工作一段時間后失效。常見失效模式包括但不限于:
RCC最常見也最典型的失效現(xiàn)象是主開關管燒毀。大部分此類故障是由變壓器基極線圈漏感導致的。 變壓器基極線圈的漏感和基極串聯(lián)的電阻形成LR低通濾波電路,對電流信號有延遲作用,導致在集電極電壓上升時,基極電流減小的正反饋出現(xiàn)延遲。而這樣的延遲對于絕大部分雙極型開關管是致命的,它導致晶體管越出安全工作區(qū),以及發(fā)熱量過大,最終導致不可逆的二次擊穿。
此類故障較少出現(xiàn)在使用功率MOSFET制作的RCC上,因為功率MOSFET的安全工作區(qū)遠大于雙極型晶體管。并且功率MOSFET為電壓控制型,開通/關斷閾值范圍窄,MOSFET較為不易出現(xiàn)同時承受大電流和高電壓的情況,即使偶爾出現(xiàn)也不會發(fā)生不可逆的失效。 曾經有一批基于MOSFET的RCC電源常常因開關管損壞而失效,經查證,是因為廠家技術考慮不周,機械模仿110V地區(qū)產品,在220V交流線路(整流后電壓高達311V)上,使用了耐壓500V的MOSFET(型號是IRF840)。
另一常見的問題是輸出電壓明顯超過設計輸出電壓,導致負載過熱、燒毀。特別是當負載為鋰離子電池時,輸出過高電壓極端危險,可能導致電池內部氣體液體泄漏甚至爆炸。 原因一是變壓器繞組間不完全耦合,存在漏感,導致互調整率差。在變換器處于輕載狀態(tài),占空比小的時候,此問題更加嚴重。二是和集成芯片中包含的運算放大器(放大倍數(shù)高達數(shù)百倍、數(shù)千倍)相比,電壓環(huán)路開環(huán)增益太小,精確穩(wěn)壓困難。
并且這兩個缺點幾乎是不可能同時妥善解決的。解決二次擊穿問題要求基極線圈和主線圈近繞以保持耦合良好,而解決輸出電壓不穩(wěn)的問題要求次級線圈和基極線圈近繞,又要求初次級之間數(shù)千伏的電氣隔離。在有限繞線位置的變壓器骨架下,要達到這兩個矛盾的目的,是十分困難的。
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大?。?span id="cf2jhch" class="single-tag-height">392KB
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評分: 4.7
。 精選資料,歡迎下載 正激變換器 實際應用中,由于電壓等級變換、安全、系統(tǒng)串并聯(lián)等原因,開 關電源的輸入輸出往往需要電氣隔離。 在基本的非隔離 DCDC 變 換器中加入變壓器,就可以派生出帶隔離變壓器的 DCDC 變換 器。例如,單端正激變換器就是有 BUCK 變換器派生出來的。 一 工作原理 1 單管正激變換器 單端正激變換器是由 BUCK變換器派生而來的。圖( a1)為 BUCK 變換器的原理圖, 將開關管右邊插入一個隔離變壓器, 就可以得到圖 (a2)的單端正激變換器 圖( a1)BUCK 變換器 。 精選資料,歡迎下載 圖( a2)單端正激變換器 BUCK 變換器工作原理: 電路進入平恒以后,由電感單個周期內充放電量相等, 由電感周期內充放電平恒可以得到: T dtLuTL U 0 0 1 。 精選資料,歡迎下載 即: 可得: 單端正激變換器的工作原理和和 BUCK 相似。 其工
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評分: 4.6
可逆 PWM 變換器工作原理 ? 可逆 PWM 變換器的主電路有多種結構形式,而 H 型 PWM 變換器在直流 脈寬調速系統(tǒng)中最為常用,它是由 4個三極電力晶體管 VT, VT2, VT.和 VT, 以及 4 個續(xù)流 =極管 VD,,VD2,VD3 和 VD,構成的橋式電路 (如圖 1所示 )。 在橋式電路的一個對角線上接電源 Us,在另一一對角線上接直流電動機 M 的電樞,而 U,Ub2,! B8和 U 分別為 4個三極管的基極驅動電壓,由于基 極驅動電壓的極性和大小不同,在 H型變換器中又分類出三類控制方式, 分別為雙極式控制、單極式控制和受限單極式控制。在不同的控制方式下, 調速系統(tǒng)的電壓、電流各不相同,使電機的運行特性和調速系統(tǒng)的調速性能 也不同。而在直流調速系統(tǒng)中對電機運行特性影響最大的是電流。電流的大 小、方向、連續(xù)性直接影響電機的運行性能,所以應對可逆 PW M 變換器中 的