書????名 | 真空羽流效應(yīng)實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)設(shè)計(jì) | 作????者 | 蔡國飆 |
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ISBN | 9787118106657 | 頁????數(shù) | 242頁 |
定????價(jià) | 89元 | 出版社 | 國防工業(yè)出版社 |
出版時(shí)間 | 2016年2月 | 裝????幀 | 精裝 |
開????本 | 16開 |
第1章 緒論
1.1 真空羽流的基本概念
1.1.1 姿軌控發(fā)動(dòng)機(jī)
1.1.2 真空羽流
1.1.3 真空羽流效應(yīng)
1.2 羽流問題的研究方法
1.2.1 半經(jīng)驗(yàn)法與解析分析法
1.2.2 數(shù)值模擬
1.2.3 實(shí)驗(yàn)研究
1.3 典型真空羽流效應(yīng)實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)
第2章 總體方案設(shè)計(jì)
2.1 總體方案設(shè)計(jì)要求
2.2 真空羽流實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)主要組成
2.3 總體方案設(shè)計(jì)方法
2.3.1 抽氣能力需求分析與抽氣方式選擇
2.3.2 內(nèi)置式深冷泵冷板面積計(jì)算
2.3.3 內(nèi)置式深冷泵空間結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
2.4 PES總體方案設(shè)計(jì)
2.4.1 PES總體設(shè)計(jì)要求
2.4.2 深冷泵冷板面積計(jì)算和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
第3章 真空容器系統(tǒng)設(shè)計(jì)
3.1 真空容器主要設(shè)計(jì)原則
3.2 材料選擇
3.3 真空容器簡(jiǎn)體設(shè)計(jì)
3.3.1 短圓筒設(shè)計(jì)
3.3.2 長(zhǎng)圓筒設(shè)計(jì)
3.3.3 加強(qiáng)筋設(shè)計(jì)
3.4 封頭和大門機(jī)構(gòu)設(shè)計(jì)
3.4.1 封頭設(shè)計(jì)
3.4.2 大門機(jī)構(gòu)設(shè)計(jì)
3.5 法蘭設(shè)計(jì)
3.5.1 法蘭結(jié)構(gòu)形式
3.5.2 開孔補(bǔ)強(qiáng)
3.6 鞍座設(shè)計(jì)
3.6.1 鞍座選用原則
3.6.2 鞍座位置選擇
3.6.3 鞍座輕重型選擇
3.6.4 鞍座底板寬度
3.6.5 鞍座墊板寬度
3.6.6 鞍座的設(shè)計(jì)參數(shù)
3.6.7 鞍座的強(qiáng)度校核
3.7 觀察窗機(jī)構(gòu)
3.7.1 磁力耦合觀察窗機(jī)構(gòu)
3.7.2 花瓣形擋板觀察窗
3.8 真空容器強(qiáng)度校核
3.9 真空容器的壓升率與漏氣率
3.1 0PES真空容器設(shè)計(jì)
3.1 0.1 真空容器簡(jiǎn)體設(shè)計(jì)
3.1 0.2 加強(qiáng)筋設(shè)計(jì)
3.1 0.3 封頭設(shè)計(jì)
3.1 0.4 大門機(jī)構(gòu)設(shè)計(jì)
3.1 0.5 開孔補(bǔ)強(qiáng)
3.1 0.6 鞍座設(shè)計(jì)
3.1 0.7 真空容器強(qiáng)度校核
3.1 0.8 PES真空容器的壓升率與漏氣率測(cè)試
第4章 真空抽氣系統(tǒng)設(shè)計(jì)
4.1 真空抽氣系統(tǒng)設(shè)計(jì)理論
4.1.1 真空抽氣系統(tǒng)設(shè)計(jì)的主要參數(shù)
4.1.2 管道流導(dǎo)的計(jì)算
4.1.3 抽氣時(shí)間的計(jì)算
4.2 真空泵的選擇和配置
4.2.1 主泵選擇的一般原則
4.2.2 管道及閥門布置應(yīng)遵循的原則
4.2.3 粗真空抽氣系統(tǒng)常見主泵比較和選擇
4.2.4 高真空抽氣系統(tǒng)常見主泵比較和選擇
4.2.5 防污染設(shè)計(jì)
4.3 真空度測(cè)量技術(shù)
4.3.1 全壓力測(cè)量
4.3.2 分壓力測(cè)量
4.3.3 真空計(jì)校準(zhǔn)
4.4 真空檢漏技術(shù)
4.4.1 基本概念
4.4.2 檢漏方法
4.4.3 檢漏方法的選擇原則
4.5 PES真空抽氣系統(tǒng)設(shè)計(jì)
4.5.1 系統(tǒng)方案配置
4.5.2 真空系統(tǒng)工作模式及計(jì)算
4.5.3 系統(tǒng)調(diào)試
第5章 內(nèi)置式深冷泵設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
5.1 液氦深冷泵設(shè)計(jì)的基本原則
5.2 常見深冷泵的結(jié)構(gòu)形式
5.2.1 空間環(huán)模深冷泵的常見形式
5.2.2 真空羽流實(shí)驗(yàn)深冷泵的基本結(jié)構(gòu)
5.3 深冷泵材料選擇
5.3.1 常用深冷泵材料的性能比較
5.3.2 材料和焊接工藝的選擇
5.4 壁板方案選擇和設(shè)計(jì)
5.4.1 壁板選擇原則
5.4.2 常見深冷泵壁板的形式
5.4.3 壁板幾何尺寸設(shè)計(jì)計(jì)算
5.4.4 深冷泵熱負(fù)荷計(jì)算
5.5 深冷泵管路設(shè)計(jì)
5.5.1 流道均壓理論
5.5.2 深冷泵常見的管路形式
5.6 總管和支管尺寸的確定
5.7 支撐結(jié)構(gòu)
5.7.1 支撐結(jié)構(gòu)的選擇原則
5.7.2 支撐材料選擇
5.7.3 支撐方案選擇
5.8 進(jìn)出口結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
5.8.1 進(jìn)出口設(shè)計(jì)要求
5.8.2 液氮深冷泵進(jìn)出口結(jié)構(gòu)
5.8.3 液氦(氣氦)深冷泵進(jìn)出口結(jié)構(gòu)
5.9 PES深冷泵設(shè)計(jì)
5.9.1 PES設(shè)計(jì)技術(shù)要求
5.9.2 PES深冷泵設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
第6章 液氮?dú)獾饬鞒滔到y(tǒng)設(shè)計(jì)
6.1 液氮外流程系統(tǒng)設(shè)計(jì)
6.1.1 液氮系統(tǒng)設(shè)計(jì)
6.1.2 PES液氮系統(tǒng)設(shè)計(jì)
6.2 氣氮外流程系統(tǒng)設(shè)計(jì)
6.2.1 氣氮系統(tǒng)設(shè)計(jì)
6.2.2 PES氣氮系統(tǒng)設(shè)計(jì)
6.3 液氮、氣氮系統(tǒng)聯(lián)合調(diào)試
6.3.1 PES氮系統(tǒng)設(shè)備
6.3.2 調(diào)試流程
6.3.3 調(diào)試結(jié)果
第7章 液氦外流程系統(tǒng)設(shè)計(jì)
7.1 液氦系統(tǒng)方案介紹
7.1.1 開式系統(tǒng)
7.1.2 閉式回收液化系統(tǒng)
7.2 主要技術(shù)要求
7.3 系統(tǒng)工作過程
7.4 系統(tǒng)參數(shù)計(jì)算
7.4.1 最佳預(yù)冷時(shí)間分析
7.4.2 預(yù)冷所需液氦量
7.5 關(guān)鍵設(shè)備設(shè)計(jì)
7.5.1 液氦閥箱設(shè)計(jì)
7.5.2 液氦管道設(shè)計(jì)
7.6 PES液氦系統(tǒng)設(shè)計(jì)
7.6.1 主要技術(shù)要求
7.6.2 PES液氦系統(tǒng)方案介紹
7.6.3 液氦熱沉預(yù)冷過程中需要的液氦量
7.6.4 預(yù)冷結(jié)束后維持系統(tǒng)正常工作所需液氦量
7.6.5 系統(tǒng)調(diào)試I
第8章 羽流實(shí)驗(yàn)測(cè)量方法
8.1 羽流流場(chǎng)參數(shù)測(cè)量
8.1.1 羽流壓力測(cè)量
8.1.2 羽流溫度
8.1.3 羽流速度
8.1.4 羽流組分測(cè)量
8.1.5 羽流顯示技術(shù)
8.2 羽流氣動(dòng)力效應(yīng)測(cè)量
8.2.1 直接測(cè)量方法
8.2.2 間接測(cè)量方法
8.3 羽流氣動(dòng)熱效應(yīng)測(cè)量
8.4 羽流污染效應(yīng)測(cè)量
第9章 實(shí)驗(yàn)測(cè)量與控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)
9.1 實(shí)驗(yàn)測(cè)量與控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)要求
9.2 數(shù)據(jù)采集方案設(shè)計(jì)
9.2.1 基于PC標(biāo)準(zhǔn)總線的測(cè)控系統(tǒng)
9.2.2 基于VXI總線的測(cè)控系統(tǒng)
9.2.3 基于LXI總線的測(cè)控系統(tǒng)
9.2.4 基于PXI總線的測(cè)控系統(tǒng)
9.2.5 基于PLC的測(cè)控系統(tǒng)
9.3 PES測(cè)控方案
9.3.1 硬件方案設(shè)計(jì)
9.4 信號(hào)傳輸方式設(shè)計(jì)
9.4.1 測(cè)量信號(hào)傳輸
9.4.2 控制信號(hào)傳輸
9.4.3 系統(tǒng)軟件方案設(shè)計(jì)
第10章 實(shí)驗(yàn)工質(zhì)供應(yīng)與發(fā)動(dòng)機(jī)系統(tǒng)設(shè)計(jì)
10.1 實(shí)驗(yàn)工質(zhì)供應(yīng)系統(tǒng)設(shè)計(jì)
10.1.1 模型發(fā)動(dòng)機(jī)工質(zhì)供應(yīng)系統(tǒng)設(shè)計(jì)
10.1.2 標(biāo)準(zhǔn)姿軌控發(fā)動(dòng)機(jī)工質(zhì)供應(yīng)系統(tǒng)設(shè)計(jì)
10.2 模型發(fā)動(dòng)機(jī)設(shè)計(jì)
10.2.1 單工質(zhì)模型發(fā)動(dòng)機(jī)
10.2.2 雙工質(zhì)模型發(fā)動(dòng)機(jī)
10.3 標(biāo)準(zhǔn)姿軌控發(fā)動(dòng)機(jī)設(shè)計(jì)
10.4 關(guān)鍵部件設(shè)計(jì)
10.4.1 常用閥門
10.4.2 氣體減壓器
10.4.3 氣蝕文氏管
第11章 實(shí)驗(yàn)臺(tái)架與實(shí)驗(yàn)件系統(tǒng)設(shè)計(jì)
11.1 實(shí)驗(yàn)臺(tái)架與實(shí)驗(yàn)件系統(tǒng)基本原則和要求
11.2 推力測(cè)量裝置
11.3 艙內(nèi)移動(dòng)機(jī)構(gòu)
11.3.1 艙外驅(qū)動(dòng)移動(dòng)機(jī)構(gòu)
11.3.2 艙內(nèi)驅(qū)動(dòng)移動(dòng)機(jī)構(gòu)
11.4 支撐平臺(tái)
11.5 其他輔助設(shè)備
11.5.1 溫控系統(tǒng)
11.5.2 攝像系統(tǒng)
參考文獻(xiàn)2100433B
《真空羽流效應(yīng)實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)設(shè)計(jì)》對(duì)真空羽流效應(yīng)實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)設(shè)計(jì)技術(shù)進(jìn)行了系統(tǒng)全面的論述,一套完善的真空羽流效應(yīng)實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)包括真空容器系統(tǒng)、真空抽氣系統(tǒng)、內(nèi)置式深冷泵系統(tǒng)(熱沉系統(tǒng))、液氮?dú)獾饬鞒滔到y(tǒng)、液氦外流程系統(tǒng)、設(shè)備運(yùn)行控制系統(tǒng)、實(shí)驗(yàn)測(cè)量與控制系統(tǒng)、實(shí)驗(yàn)工質(zhì)供應(yīng)系統(tǒng)以及實(shí)驗(yàn)臺(tái)架與實(shí)驗(yàn)件系統(tǒng)?!墩婵沼鹆餍?yīng)實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)設(shè)計(jì)》在總體方案設(shè)計(jì)基礎(chǔ)上,針對(duì)真空羽流實(shí)驗(yàn)特性,對(duì)上述主要分系統(tǒng)設(shè)計(jì)進(jìn)行了詳細(xì)論述。
高大空間空調(diào)系統(tǒng)設(shè)計(jì)?
現(xiàn)在的方案是旋流風(fēng)口上送下回,冬季加了地暖輔助供暖
后來人們還做過這樣一個(gè)實(shí)驗(yàn),在一個(gè)淺平的錫盤中,放入一個(gè)體積很小磁性很強(qiáng)的永久磁鐵,然后把溫度降低,使錫出現(xiàn)超導(dǎo)性。這時(shí)可以看到,小磁鐵竟然離開錫盤表面,飄然升起,與錫盤保持一定距離后,便懸空不動(dòng)了。...
得看什么氣柜 要是濕式氣柜建議不要使用真空側(cè)漏 因?yàn)橛锌赡軗p壞氣柜。雙膜氣柜可以 但是一般使用正壓試漏。
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評(píng)分: 4.4
第 2 頁 ( 共 5 頁 ) 二:空氣負(fù)壓吸盤主要用于搬運(yùn)體積大、重量輕的零件,根據(jù)空氣負(fù)壓吸盤產(chǎn)生負(fù) 壓的方法不同,可分為真空式、噴氣式和擠氣式. (1)根據(jù)圖示分別簡(jiǎn)述三種工作 方式的原理及其不同點(diǎn)。(15分) (2)圖 4是真空式吸盤的一種管路連接方式,分析其工作原理,并簡(jiǎn)述圖示各元件 的作用。(15分) (3)設(shè)計(jì)工程應(yīng)用中常見噴氣式吸盤的管路圖,并簡(jiǎn)述設(shè)計(jì)方案。 (15分) 圖 1 噴氣式 圖 2 真空式 圖 3 擠壓式 (3)噴氣式吸盤的管路圖 (9 分) 圖 4 真空式吸盤管路圖 1-電機(jī) 2-真空泵 3-電磁閥 4-電磁閥 5-吸盤 6-通大氣 噴氣式吸盤利用流體力學(xué)原理,壓縮空氣高速 流經(jīng)噴嘴時(shí),其出口處氣壓低于吸盤腔內(nèi)氣壓, 于是吸盤腔內(nèi)氣體被高速氣流帶走而形成負(fù) 壓。(3分) 該方式產(chǎn)生真空的壓縮空氣工廠內(nèi)易獲得,成 本較低,市場(chǎng)上有各種規(guī)格的商品化
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評(píng)分: 4.6
介紹一種基于STM32處理器的速熱真空脫氣系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案。以STM32F103VCT6微控制器為核心,通過對(duì)流速、溫度、真空度的檢測(cè)和反饋控制,實(shí)現(xiàn)對(duì)蒸餾水、去離子水等純化水快速脫氣,同時(shí),通過使用該芯片的FSMC功能配合CPLD的實(shí)現(xiàn)TFT屏的人機(jī)界面。
1.一次電光效應(yīng)和晶體的折射率橢球
由電場(chǎng)所引起的晶體折射率的變化,稱為電光效應(yīng)。通??蓪㈦妶?chǎng)引起的折射率的變化用下式表示:
n=n0+aE0+bE02+……(1)
式中a和b為常數(shù),n0為不加電場(chǎng)時(shí)晶體的折射率。由一次項(xiàng)aE0引起折射率變化的效應(yīng),稱為一次電光效應(yīng),也稱線性電光效應(yīng)或普克爾(Pokells)效應(yīng);由二次項(xiàng)bE02引起折射率變化的效應(yīng),稱為二次電光效應(yīng),也稱平方電光效應(yīng)或克爾(Kerr)效應(yīng)。一次電光效應(yīng)只存在于不具有對(duì)稱中心的晶體中,二次電光效應(yīng)則可能存在于任何物質(zhì)中,一次效應(yīng)要比二次效應(yīng)顯著。
光在各向異性晶體中傳播時(shí),因光的傳播方向不同或者是電矢量的振動(dòng)方向不同,光的折射率也不同。如圖1,通常用折射率球來描述折射率與光的傳播方向、振動(dòng)方向的關(guān)系。在主軸坐標(biāo)中,折射率橢球及其方程為
(2)
圖1
式中n1、n2、n3為橢球三個(gè)主軸方向上的折射率,稱為主折射率。當(dāng)晶體加上電場(chǎng)后,折射率橢球的形狀、大小、方位都發(fā)生變化,橢球方程變成
(3)
晶體的一次電光效應(yīng)分為縱向電光效應(yīng)和橫向電光效應(yīng)兩種??v向電光效應(yīng)是加在晶體上的電場(chǎng)方向與光在晶體里傳播的方向平行時(shí)產(chǎn)生的電光效應(yīng);橫向電光效應(yīng)是加在晶體上的電場(chǎng)方向與光在晶體里傳播方向垂直時(shí)產(chǎn)生的電光效應(yīng)。通常KD*P(磷酸二氘鉀)類型的晶體用它的縱向電光效應(yīng),LiNbO3(鈮酸鋰)類型的晶體用它的橫向電光效應(yīng)。本實(shí)驗(yàn)研究鈮酸鋰晶體的一次電光效應(yīng),用鈮酸鋰晶體的橫向調(diào)制裝置測(cè)量鈮酸鋰晶體的半波電壓及電光系數(shù),并用兩種方法改變調(diào)制器的工作點(diǎn),觀察相應(yīng)的輸出特性的變化。
鈮酸鋰晶體屬于三角晶系,3m晶類,主軸z方向有一個(gè)三次旋轉(zhuǎn)軸,光軸與z軸重合,是單軸晶體,折射率橢球是旋轉(zhuǎn)橢球,其表達(dá)式為
(4)
式中n0和ne分別為晶體的尋常光和非常光的折射率。加上電場(chǎng)后折射率橢球發(fā)生畸變,當(dāng)x軸方向加電場(chǎng),光沿z軸方向傳播時(shí),晶體由單軸晶變?yōu)殡p軸晶,垂直于光軸z軸方向的折射率橢球截面由圓變?yōu)闄E圓,此橢圓方程為
(5)
其中的稱為電光系數(shù)。上式進(jìn)行主軸變換后可得到
(6)
考慮到<<1,經(jīng)簡(jiǎn)化得到
(7)
折射率橢球截面的橢圓方程化為
(8)
2.電光調(diào)制原理
要用激光作為傳遞信息的工具,首先要解決如何將傳輸信號(hào)加到激光輻射上去的問題,我們把信息加載于激光輻射的過程稱為激光調(diào)制,把完成這一過程的裝置稱為激光調(diào)制器。由已調(diào)制的激光輻射還原出所加載信息的過程則稱為解調(diào)。因?yàn)榧す鈱?shí)際上只起到了"攜帶"低頻信號(hào)的作用,所以稱為載波,而起控制作用的低頻信號(hào)是我們所需要的,稱為調(diào)制信號(hào),被調(diào)制的載波稱為已調(diào)波或調(diào)制光。按調(diào)制的性質(zhì)而言,激光調(diào)制與無線電波調(diào)制相類似,可以采用連續(xù)的調(diào)幅、調(diào)頻、調(diào)相以及脈沖調(diào)制等形式,但激光調(diào)制多采用強(qiáng)度調(diào)制。強(qiáng)度調(diào)制是根據(jù)光載波電場(chǎng)振幅的平方比例于調(diào)制信號(hào),使輸出的激光輻射的強(qiáng)度按照調(diào)制信號(hào)的規(guī)律變化。激光調(diào)制之所以常采用強(qiáng)度調(diào)制形式,主要是因?yàn)楣饨邮掌饕话愣际侵苯拥仨憫?yīng)其所接受的光強(qiáng)度變化的緣故。
激光調(diào)制的方法很多,如機(jī)械調(diào)制、電光調(diào)制、聲光調(diào)制、磁光調(diào)制和電源調(diào)制等。其中電光調(diào)制器開關(guān)速度快、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單。因此,在激光調(diào)制技術(shù)及混合型光學(xué)雙穩(wěn)器件等方面有廣泛的應(yīng)用。電光調(diào)制根據(jù)所施加的電場(chǎng)方向的不同,可分為縱向電光調(diào)制和橫向電光調(diào)制。利用縱向電光效應(yīng)的調(diào)制,叫做縱向電光調(diào)制,利用橫向電光效應(yīng)的調(diào)制,叫做橫向電光調(diào)制。這次實(shí)驗(yàn)中,我們只做LiNbO3晶體的橫向調(diào)制實(shí)驗(yàn)。
(1) 橫向電光調(diào)制
圖2
圖2為典型的利用LiNbO3晶體橫向電光效應(yīng)原理的激光振幅調(diào)制器。其中起偏振片的偏振方向平行于電光晶體的x軸,檢偏振片的偏振方向平行于y軸。因此入射光經(jīng)起偏振片后變?yōu)檎駝?dòng)方向平行于x軸的線偏振光,它在晶體的感應(yīng)軸x′和y′軸上的投影的振幅和相位均相等,設(shè)分別為
ex′=A0cosωt,ey′=A0cosωt(9)
或用復(fù)振幅的表示方法,將位于晶體表面(z=0)的光波表示為
Ex′(0)=A,Ey′(0)=A(10)
所以,入射光的強(qiáng)度是
(11)
當(dāng)光通過長(zhǎng)為l的電光晶體后,x′和y′兩分量之間就產(chǎn)生相位差δ,即
Ex′(l)=A,Ey′(l)=A(12)
通過檢偏振片出射的光,是該兩分量在y軸上的投影之和
(13)
其對(duì)應(yīng)的輸出光強(qiáng)It可寫成
(14)
由(11)和(14)式,光強(qiáng)透過率T為
(15)
由(7)式
(16)
由此可見,δ和加在晶體上的電壓有關(guān),當(dāng)電壓增加到某一值時(shí)x′、y′方向的偏振光經(jīng)過晶體后可產(chǎn)生λ/2的光程差,相應(yīng)的相位差δ=π,由(15)式可知此時(shí)光強(qiáng)透過率T=100%,這時(shí)加在晶體上的電壓稱作半波電壓,通常用表示。是描述晶體電光效應(yīng)的重要參數(shù)。在實(shí)驗(yàn)中,這個(gè)電壓越小越好,如果小,需要的調(diào)制信號(hào)電壓也小。根據(jù)半波電壓值,我們可以估計(jì)出電光效應(yīng)控制透過強(qiáng)度所需電壓。由(16)式可得到
(17)
其中d和l分別為晶體的厚度和長(zhǎng)度。由此可見,橫向電光效應(yīng)的半波電壓與晶片的幾何尺寸有關(guān)。由(17)式可知,如果使電極之間的距離d盡可能的減少,而增加通光方向的長(zhǎng)度l,則可以使半波電壓減小,所以晶體通常加工成細(xì)長(zhǎng)的扁長(zhǎng)方體。由(16)、(17)式可得
因此,可將(15)式改寫成
(18)
其中U0是加在晶體上的直流電壓,Umsinωt是同時(shí)加在晶體上的交流調(diào)制信號(hào),Um是其振幅,ω是調(diào)制頻率。從(18)式可以看出,改變U0或Um,輸出特性將相應(yīng)的有變化。對(duì)單色光和確定的晶體來說,為常數(shù),因而T將僅隨晶體上所加的電壓變化。
(2)改變直流偏壓對(duì)輸出特性的影響
①當(dāng)、Um<<時(shí),將工作點(diǎn)選定在線性工作區(qū)的中心處,如圖3(a)所示,此時(shí),可獲得較高效率的線性調(diào)制,把代入(18)式,得
(19)
由于Um<<時(shí)
即T∝sinωt(20)
這時(shí),調(diào)制器輸出的信號(hào)和調(diào)制信號(hào)雖然振幅不同,但是兩者的頻率卻是相同的,輸出信號(hào)不失真,我們稱為線性調(diào)制。
②當(dāng)、Um<<時(shí),如圖3(b)所示,把代入(18)式
即T∝cos2ωt(21)
從(21)式可以看出,輸出信號(hào)的頻率是調(diào)制信號(hào)頻率的二倍,即產(chǎn)生"倍頻"失真。若把代入(18)式,經(jīng)類似的推導(dǎo),可得
(22)
即T∝cos2ωt,輸出信號(hào)仍是"倍頻"失真的信號(hào)。
(a)(b)
圖3
③直流偏壓U0在0伏附近或在附近變化時(shí),由于工作點(diǎn)不在線性工作區(qū),輸出波形將失真。
④當(dāng),Um>時(shí),調(diào)制器的工作點(diǎn)雖然選定在線性工作區(qū)的中心,但不滿足小信號(hào)調(diào)制的要求,(19)式不能寫成(20)式的形式。因此,工作點(diǎn)雖然選定在了線性區(qū),輸出波形仍然是失真的。
【實(shí)驗(yàn)儀器】
電光效應(yīng)實(shí)驗(yàn)儀,電光調(diào)制電源、接收放大器、He-Ne激光器、二蹤示波器和萬用表。
(1)晶體電光調(diào)制電源。調(diào)制電源由-200V-+200V之間連續(xù)可調(diào)的直流電源、單一頻率振蕩器(振蕩頻率約為1kHz)、音樂片和放大器組成,電源面板上有三位半數(shù)字面板表,可顯示直流電壓值。晶體上加的直流電壓的極性可以通過面板上的"極性"鍵改變,直流電壓的大小用"偏壓"旋鈕調(diào)節(jié)。調(diào)制信號(hào)可由機(jī)內(nèi)振蕩器或音樂片提供,此調(diào)制信號(hào)是用裝在面板上的"信號(hào)選擇"鍵來選擇三個(gè)信號(hào)中的任意一個(gè)信號(hào)。所有的調(diào)制信號(hào)的大小是通過"幅度"旋鈕控制的。通過前面板上的"輸出"插孔輸出的參考信號(hào),接到二蹤示波器的一個(gè)通道與被調(diào)制后的接收信號(hào)比較,觀察調(diào)制器的輸出特性。
(2)調(diào)制器。調(diào)制器由三個(gè)可旋轉(zhuǎn)的偏振片、一個(gè)可旋轉(zhuǎn)的1/4波片和一塊鈮酸鋰晶體組成,采用橫向調(diào)制方式。晶體放在兩個(gè)正交的偏振片之間,起偏振片和晶體的x軸平行。檢偏振片和晶體之間可插入1/4波片,偏振片和波片均可繞其幾何軸旋轉(zhuǎn)。晶體放在四維調(diào)節(jié)架上,可精細(xì)調(diào)節(jié),使光束嚴(yán)格沿晶體光軸方向通過。
(3)接收放大器。接收放大器由3DU光電三極管和功率放大器組成。光電三極管把被調(diào)制了的氦氖激光經(jīng)光電轉(zhuǎn)換,輸入到功率放大器上,放大后的信號(hào)接到二蹤示波器,同參考信號(hào)比較,觀察調(diào)制器的輸出特性。交流信號(hào)輸出的大小通過"交流輸出"旋鈕調(diào)節(jié)。放大器內(nèi)裝有揚(yáng)聲器,用來再現(xiàn)聲音調(diào)制信號(hào),放大器面板上還有"直流輸出"插孔,接到萬用表的200mV直流電壓檔,用于測(cè)量光電三極管接收到的光強(qiáng)信號(hào)的大小。
一定條件下,導(dǎo)電材料的電阻值R隨磁感應(yīng)強(qiáng)度B的變化規(guī)律稱為磁阻效應(yīng)。如圖1所示,當(dāng)半導(dǎo)體處于磁場(chǎng)中時(shí),導(dǎo)體或半導(dǎo)體的載流子將受洛侖茲力的作用,發(fā)生偏轉(zhuǎn),在兩端產(chǎn)生積聚電荷并產(chǎn)生霍耳電場(chǎng)。如果霍耳電場(chǎng)作用和某一速度載流子的洛侖茲力作用剛好抵消,那么小于或大于該速度的載流子將發(fā)生偏轉(zhuǎn),因而沿外加電場(chǎng)方向運(yùn)動(dòng)的載流子數(shù)量將減少,電阻增大,表現(xiàn)出橫向磁阻效應(yīng)。若將圖1中a端和b端短路,則磁阻效應(yīng)更明顯。通常以電阻率的相對(duì)改變量來表示磁阻的大小,即用Δρ/ρ(0)表示。其中ρ(0)為零磁場(chǎng)時(shí)的電阻率,設(shè)磁電阻在磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的磁場(chǎng)中電阻率為ρ(B),則Δρ=ρ(B)-ρ(0)。由于磁阻傳感器電阻的相對(duì)變化率ΔR/R(0)正比于Δρ/ρ(0),這里ΔR=R(B)-R(0),因此也可以用磁阻傳感器電阻的相對(duì)改變量ΔR/R(0)來表示磁阻效應(yīng)的大小。
實(shí)驗(yàn)證明,當(dāng)金屬或半導(dǎo)體處于較弱磁場(chǎng)中時(shí),一般磁阻傳感器電阻相對(duì)變化率ΔR/R(0)正比于磁感應(yīng)強(qiáng)度B的平方,而在強(qiáng)磁場(chǎng)中ΔR/R(0)與磁感應(yīng)強(qiáng)度B呈線性關(guān)系。磁阻傳感器的上述特性在物理學(xué)和電子學(xué)方面有著重要應(yīng)用。
處于磁場(chǎng)中的磁阻器件和一個(gè)外接電阻串聯(lián),接在恒流源的分壓電路中,通過對(duì)R的調(diào)節(jié)可以調(diào)節(jié)磁阻器件中電流的大小,電壓表聯(lián)接1或2可以分別監(jiān)測(cè)外接電阻的電壓和磁阻器件的電壓。
按照火焰及煙的流動(dòng)情形分為:
1、軸對(duì)稱型煙羽流:上升過程不與四周墻壁或障礙物接觸,并且不受氣流干擾的煙羽流;
2、陽臺(tái)溢出型煙羽流:從著火房間的門(窗)梁處溢出,并沿著火房間外的陽臺(tái)或水平突出物流動(dòng),至陽臺(tái)或水平突出物的邊緣向上溢出至相鄰高大空間的煙羽流;
3、窗口型煙羽流:從發(fā)生通風(fēng)受限火災(zāi)的房間或隔間的門、窗等開口處溢出至相鄰高大空間的煙羽流。