4225-PMU支持四種掃描類(lèi)型:線(xiàn)性?huà)呙?、脈沖、任意波形和分段ARB(已申請(qǐng)專(zhuān)利)。分段ARB模式簡(jiǎn)化了波形的創(chuàng)建、存儲(chǔ)和生成過(guò)程,最高支持由2048個(gè)用戶(hù)自定義線(xiàn)段組成的波形,具有出色的波形生成靈活性。
電壓輸出具有可編程定時(shí),從60ns至DC(10ns步長(zhǎng))
以高達(dá)200兆次采樣/秒(MS/s)的采樣速率同步測(cè)量I和V
可選兩種電壓源量程(±10V或±40V)和四種電流測(cè)量量程(800mA、200mA、10mA、100µA)
每種模塊提供集成同步I-V源和測(cè)量的雙通道;可在八同步通道機(jī)箱中插入多達(dá)4個(gè)模塊
4220-PGU脈沖發(fā)生器單元是僅支持電壓源功能的4225-PMU替代品
可選的4225-RPM遠(yuǎn)程放大器/開(kāi)關(guān)擴(kuò)展了電流量程(10mA、1mA、100µA、10µA、1µA、100nA)能在4225-PMU、4210-CVU、4200-SMU和4210-SMU之間進(jìn)行源/測(cè)量切換
每個(gè)4225-PMU插件模塊提供集成源和測(cè)量的雙通道,但僅占用九槽機(jī)架中的一個(gè)插槽。與同類(lèi)競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品相比,4225-PMU的每條通道結(jié)合了高速電壓輸出(脈沖寬度范圍從60ns至DC)和電流和電壓的同步測(cè)量。由于結(jié)合了超高速電壓源以及電壓和電流測(cè)量能力,現(xiàn)有4200-SCS系統(tǒng)才能輕松升級(jí)成為適于超快I-V測(cè)試的寬范圍應(yīng)用的靈活測(cè)量工具。每個(gè)機(jī)架最多可安裝4個(gè)4225-PMU模塊,實(shí)現(xiàn)最高8個(gè)超快源和測(cè)量通道,其余5個(gè)機(jī)架槽空閑可用于安裝其它類(lèi)型的測(cè)量?jī)x器。這些硬件和軟件功能還可用于新型4200-SCS系統(tǒng)作為工廠(chǎng)安裝選件。
1、具有常規(guī)模擬儀表的安裝的操作方式,可與模擬儀表兼容。 2、具有豐富的運(yùn)算處理功能。 3、一機(jī)多能,可簡(jiǎn)化系統(tǒng)工程,縮小控制室盤(pán)面尺寸。 ...
4225-PMU超快I-V模塊概述
4225-PMU超快I-V模塊 進(jìn)一步豐富了4200-SCS半導(dǎo)體特征分析系統(tǒng)的可選測(cè)試儀器系列。它在4200-SCS已有的強(qiáng)大測(cè)試環(huán)境中集成了超快的電壓波形發(fā)生和信號(hào)觀(guān)察功能,提高了系統(tǒng)對(duì)材料、器件和工藝進(jìn)行特征分析的能力。
同樣重要的是,利用4225-PMU可以像使用傳統(tǒng)高分辨率源測(cè)量單元(SMU)進(jìn)行直流測(cè)量那樣,輕松實(shí)現(xiàn)超快的I-V源和測(cè)量操作。
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通過(guò)對(duì)目前廣泛應(yīng)用于輻照加速器上的掃描磁鐵電源的研究,給出了一種實(shí)時(shí)跟蹤參考波形的電流型可編程掃描磁鐵電源的實(shí)現(xiàn)方案,設(shè)計(jì)了一臺(tái)輸出電流峰值為7A、掃描頻率為5~50 Hz連續(xù)可調(diào)、線(xiàn)性誤差小于0.1%的電流型掃描磁鐵電源。該電源輸出電流穩(wěn)定,同時(shí)能夠防止電子束二次掃描,保護(hù)鈦窗,防止因局部束流過(guò)大而損壞。電源輸出線(xiàn)性度良好,性能穩(wěn)定,已成功應(yīng)用于地那米加速器中。
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主要介紹了一種具有可編程特點(diǎn)的多串行接口模塊的研究與設(shè)計(jì)工作,該模塊利用自身的CPU完成對(duì)模塊的控制與報(bào)文通訊,利用IDT公司推出的異步高速雙口RAMIDT7130完成與主計(jì)算機(jī)的通訊,同時(shí),通訊的模式可以通過(guò)主CPU在線(xiàn)設(shè)定。由于模塊與主控計(jì)算機(jī)之間采用雙CPU并行工作的模式,該模塊在工業(yè)控制與儀表測(cè)試等實(shí)時(shí)性要求較高的領(lǐng)域中有著十分廣闊的應(yīng)用前景。
超快I-V源和測(cè)量技術(shù)隨著越來(lái)越多傳統(tǒng)直流I-V測(cè)量功能的消失而迅速發(fā)展。注意到,傳統(tǒng)SMU設(shè)計(jì)[25]能夠提供和測(cè)量最高約1A的電流,最低約1皮安的電流。盡管增加遠(yuǎn)程前置放大器后最低可以解析0.1fA的電流信號(hào),但是這些只支持直流I-V測(cè)量的系統(tǒng)配置最佳速度僅為10毫秒。相比之下,超快I-V測(cè)量方案能夠進(jìn)行最快10ns的測(cè)量,這對(duì)于涉及器件恢復(fù)時(shí)間特征分析的應(yīng)用是非常關(guān)鍵的。專(zhuān)門(mén)針對(duì)超快I-V測(cè)試而設(shè)計(jì)的可選的遠(yuǎn)程放大器將這些新型測(cè)量方案的電流分辨率向下擴(kuò)展到幾十皮安,僅僅稍高于待測(cè)器件產(chǎn)生的約翰遜噪聲[26]決定的極限值。在單個(gè)機(jī)架內(nèi)集成了超快I-V源和測(cè)量?jī)x器與遠(yuǎn)程放大器的系統(tǒng)支持的特征分析應(yīng)用比以往任何時(shí)候都更加寬泛,包括相變存儲(chǔ)器器件測(cè)試、單脈沖電荷俘獲/高k介質(zhì)測(cè)試、LDMOS或砷化鎵中功率放大器器件特征分析、SOI恒溫測(cè)試、超快負(fù)偏溫不穩(wěn)定性(NBTI)測(cè)試、基于電荷的電容測(cè)量(CBCM[27])、MEMS電容測(cè)試和越來(lái)越多的其它一些測(cè)試。
圖3給出了支持越來(lái)越多的超快I-V應(yīng)用的四種掃描類(lèi)型:瞬態(tài)I-V掃描,其中對(duì)電壓和電流進(jìn)行了連續(xù)數(shù)字化;快速脈沖式I-V測(cè)試,其中是在脈沖穩(wěn)定之后對(duì)電壓和/電流進(jìn)行了采樣;濾波式脈沖,其中產(chǎn)生一個(gè)變化的脈沖電壓同時(shí)用一臺(tái)直流SMU測(cè)量產(chǎn)生的電流;脈沖應(yīng)力/直流測(cè)量,其中產(chǎn)生脈沖式電壓,緊接著直流SMU測(cè)量。除了這些傳統(tǒng)的掃描類(lèi)型,4225-PMU[28]還具有完整的任意波形發(fā)生功能以及Segment ARB?模式,能夠十分方便地構(gòu)建、存儲(chǔ)和產(chǎn)生最多包含2048條用戶(hù)自定義線(xiàn)段的波形。每條線(xiàn)段可以有不同的持續(xù)時(shí)間,這一特性使其具有出色的波形發(fā)生靈活性。
瞬態(tài)I-V、快速脈沖I-V、脈沖發(fā)生器、脈沖發(fā)生器、濾波脈沖、脈沖應(yīng)力/測(cè)量直流
隨著新型器件與測(cè)試應(yīng)用的出現(xiàn)以及半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)研究需求的不斷發(fā)展,超高速源/測(cè)量功能將變得越來(lái)越重要。能夠適應(yīng)這些變化的需求,具有良好性?xún)r(jià)比和靈活性的測(cè)試系統(tǒng)不但可使研究人員延續(xù)以前的工作,而且可以跟上測(cè)量技術(shù)的發(fā)展。2100433B
要想成為主流測(cè)試技術(shù),下一代超快I-V測(cè)試[7]系統(tǒng)必須具有很寬的源與測(cè)量動(dòng)態(tài)量程。這意味著它們必須能夠提供對(duì)閃存器件進(jìn)行特征分析所需的充足電壓,以及處理最新的CMOS[8]工藝所需的足夠低的電壓。例如,對(duì)于CMOS工藝中的一種嵌入式閃存——該閃存可能需要高達(dá)20V的電壓進(jìn)行編程,但是CMOS工藝工作電壓為3V,因此所采用的測(cè)試系統(tǒng)必須能夠提供滿(mǎn)足兩種需求的電壓。它還需要有足夠?qū)挼碾娏髁砍烫幚碜钚碌墓に嚕凶銐蚩斓纳仙龝r(shí)間和足夠長(zhǎng)的脈寬滿(mǎn)足各種應(yīng)用需求。它必須簡(jiǎn)單易用,具有使系統(tǒng)能夠可靠提交精確測(cè)量結(jié)果的互連系統(tǒng)。
當(dāng)前,超快I-V和測(cè)量功能正逐漸集成到參數(shù)分析儀中用于對(duì)越來(lái)越多的器件特征進(jìn)行特征分析,尤其是負(fù)偏溫度不穩(wěn)定性(NBTI[9])和正偏溫度不穩(wěn)定性(PBTI[10])降低。超快I-V測(cè)量工具通過(guò)使研究人員快速一致地實(shí)現(xiàn)器件可靠性測(cè)量,提高了可靠性設(shè)計(jì)(DIR[11])壽命測(cè)量的精度,而這種測(cè)量支持器件和電路設(shè)計(jì)的建模。
近來(lái),有些研究人員被迫配置他們自己的超快BTI測(cè)試系統(tǒng)。這些內(nèi)部開(kāi)發(fā)的系統(tǒng)通常包含脈沖發(fā)生器或任意波形發(fā)生器,以及配置了電流探頭或某種互阻抗放大器的示波器用于幫助測(cè)量低電流。盡管如果仔細(xì)選擇儀器和互連設(shè)備,我們可以構(gòu)建出適合非常特殊電氣條件需求的BTI系統(tǒng),但是仍然存在幾個(gè)主要的技術(shù)挑戰(zhàn)。
波形發(fā)生[12]。標(biāo)準(zhǔn)脈沖發(fā)生器和任意波形發(fā)生器的設(shè)計(jì)是在固定循環(huán)間隔上產(chǎn)生波形,而不是大多數(shù)可靠性測(cè)試(包括NBTI和PBTI測(cè)試)所需的Log(time)數(shù)。
測(cè)量定時(shí)與數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。盡管示波器[13]經(jīng)過(guò)配置可以根據(jù)波形特征(例如下降沿)進(jìn)行觸發(fā),但是它們無(wú)法有選擇地保存波形的指定部分樣本。這樣它們就必須存儲(chǔ)很大的數(shù)據(jù)集進(jìn)行后處理。只有那些最昂貴的示波器或者那些擴(kuò)展了昂貴存儲(chǔ)器選件的示波器才能存儲(chǔ)足夠的數(shù)據(jù)彌補(bǔ)這些不足。
精度、準(zhǔn)確性和靈敏度。偏溫不穩(wěn)定性是一種高動(dòng)態(tài)的現(xiàn)象,需要靈敏而高速的測(cè)量才能進(jìn)行準(zhǔn)確的特征分析。假設(shè)所有其它因素不變,測(cè)量的物理原理在很大程度上決定了測(cè)量速度和靈敏度之間的關(guān)系。當(dāng)進(jìn)行亞毫秒級(jí)測(cè)量時(shí),所有的噪聲源[14]都應(yīng)該考慮在內(nèi);對(duì)于亞微秒級(jí)應(yīng)用,即使量子效應(yīng)也不能被忽略。示波器、電流探頭[15]和互阻抗放大器都有單獨(dú)定義的性能指標(biāo),它們不一定為協(xié)同工作進(jìn)行了優(yōu)化。要想在高速情況下實(shí)現(xiàn)精密而準(zhǔn)確的測(cè)量,我們通常很難以某種方式將這些部件組合起來(lái)實(shí)現(xiàn)具有很寬動(dòng)態(tài)量程的最優(yōu)性能。
互連。內(nèi)部構(gòu)建的系統(tǒng)通常采用分路器和T型偏置器[16],它們限制了測(cè)試系統(tǒng)配置的性能。例如,T型偏置器可能限制帶寬為100ns到10μs。盡管這適合于高速測(cè)量,但是它無(wú)法使得任何有效的預(yù)應(yīng)力(prestress)和后應(yīng)力(poststress)直流測(cè)量成為應(yīng)力測(cè)量序列的組成部分。它也無(wú)法在10ms到直流的中間時(shí)序范圍內(nèi)進(jìn)行測(cè)量。
測(cè)試控制與數(shù)據(jù)管理。傳統(tǒng)的示波器不支持?jǐn)?shù)據(jù)流,因此必須等待測(cè)試結(jié)束后才能傳輸測(cè)試結(jié)果。當(dāng)測(cè)試一結(jié)束時(shí),大量的數(shù)據(jù)必須傳輸?shù)娇刂朴?jì)算機(jī)上進(jìn)行后期處理,它需要將復(fù)雜的波形解析為單個(gè)的測(cè)試結(jié)果,然后進(jìn)一步減少進(jìn)入實(shí)際測(cè)量的數(shù)據(jù)。
測(cè)試終端。由于從示波器傳輸數(shù)據(jù)之前無(wú)法分析測(cè)試結(jié)果,因此在測(cè)試開(kāi)始之前必須確定測(cè)試持續(xù)的時(shí)間。這就使得我們不可能終止基于參數(shù)變換的測(cè)試,或者實(shí)時(shí)檢測(cè)出突發(fā)的故障。
自動(dòng)化。晶圓級(jí)或晶匣級(jí)自動(dòng)化測(cè)試需要控制測(cè)試儀器和晶圓探針臺(tái),內(nèi)部構(gòu)建的測(cè)試系統(tǒng)通常無(wú)法做到。此外,融合一些高級(jí)功能(如條件測(cè)試終端)也會(huì)給運(yùn)行這類(lèi)系統(tǒng)所需的定制軟件增加很大的復(fù)雜性。
更多的通道數(shù)。即使內(nèi)部構(gòu)建的系統(tǒng)在開(kāi)始安裝時(shí)工作良好,系統(tǒng)集成設(shè)計(jì)者也需要增加通道或測(cè)試系統(tǒng)的數(shù)量以滿(mǎn)足不斷發(fā)展的應(yīng)用需求,尤其定制系統(tǒng)的升級(jí)是極其復(fù)雜的。典型測(cè)試系統(tǒng)的維護(hù)問(wèn)題,例如校準(zhǔn)、操作和這些定制配置的關(guān)聯(lián),也需要不相稱(chēng)的大量技術(shù)資源,而這些資源常常供應(yīng)有限。