本書(shū)是中文版的Cell/B.E.處理器編程手冊(cè),是Cell/B.E.處理器的通用編程參考書(shū)。本書(shū)介紹了基于Cell/B.E.處理器的程序開(kāi)發(fā)所需要的全部獨(dú)特機(jī)制,此外還涵蓋了如何幫助程序員在Cell/B.E.處理器上開(kāi)發(fā)用戶(hù)應(yīng)用程序、庫(kù)、驅(qū)動(dòng)程序、中間件、編譯器及操作系統(tǒng)等相關(guān)內(nèi)容。
本書(shū)主要包含以下內(nèi)容。
·通用硬件和編程環(huán)境概述:第1章至第3章。
·其他硬件概述和特權(quán)態(tài)(管理態(tài))編程:第4章至第16章。其中,部分章節(jié)還包含一些關(guān)于用戶(hù)態(tài)的編程內(nèi)容,例如遞減器等。
·問(wèn)題態(tài)(用戶(hù)態(tài))編程:第17章至第24章及附錄。
本書(shū)假設(shè)讀者已經(jīng)具備C/C++的編程經(jīng)驗(yàn),并且熟悉單指令多數(shù)據(jù)(SIMD)向量指令集,例如PowerPC體系結(jié)構(gòu)中的向量/SIMD多媒體擴(kuò)展指令集、AltiVec、Intel MMX、SSE、3DNOW!、x86-64或者VIS指令集。本書(shū)不依賴(lài)于任何系統(tǒng),且不對(duì)開(kāi)發(fā)工具或操作系統(tǒng)環(huán)境做任何假設(shè)。
全面、系統(tǒng)介紹Cell/B.E.編程的著作
第1章 Cell寬帶引擎處理器概述
第2章 PowerPC處理器部件
第3章 協(xié)同處理部件
第4章 虛擬存儲(chǔ)環(huán)境
第5章 內(nèi)存映射
第6章 高速緩存管理
第7章 輸入/輸出體系結(jié)構(gòu)
第8章 資源分配管理
第9章 PPE中斷
第10章 PPE多線(xiàn)程
第11章 系統(tǒng)管理器和邏輯分區(qū)
第12章 SPE上下文切換
第13章 時(shí)基與遞減器
第14章 對(duì)象、可執(zhí)行文件及SPE的加載
第15章 電源與溫度管理
第16章 性能監(jiān)測(cè)
第17章 SPE通道和相關(guān)MMIO接口
第18章 SPE事件
第19章 DMA傳輸與處理器交互通信
第20章 共享存儲(chǔ)同步
第21章 并行編程
第22章 單指令多數(shù)據(jù)編程
第23章 SIMD擴(kuò)展與SPU編程
第24章 SPE編程技巧
附錄A PPE指令集和內(nèi)置指令
附錄B SPU指令集與內(nèi)置指令
附錄C 性能監(jiān)測(cè)信號(hào)
術(shù)語(yǔ)表
《大設(shè)計(jì)》無(wú)所不在。在會(huì)議室和戰(zhàn)場(chǎng)上;在工廠(chǎng)車(chē)間中也在超市貨架上;在自家的汽車(chē)和廚房中;在廣告牌和食品包裝上;甚至還出現(xiàn)在電影道具和電腦圖標(biāo)中。然而,設(shè)計(jì)卻并非只是我們?nèi)粘I瞽h(huán)境中的一種常見(jiàn)現(xiàn)象,它...
構(gòu)成設(shè)計(jì)的內(nèi)容簡(jiǎn)介
本書(shū)分為上篇“平面構(gòu)成”和下篇“色彩構(gòu)成”兩個(gè)部分,每一部分的最后章節(jié)選編了一些本校歷年來(lái)學(xué)生的優(yōu)秀作品作為參考,圖文并茂、深入淺出。此外,本書(shū)最后部分附有構(gòu)成運(yùn)用范例及題型練習(xí),可供自考學(xué)生參考。本...
本書(shū)從招貼的起源、發(fā)展到現(xiàn)代招貼設(shè)計(jì)的運(yùn)用,闡述了招貼的分類(lèi)、功能及設(shè)計(jì)形式等基本知識(shí)。全書(shū)以圖文并茂的形式講述了如何將理論知識(shí)運(yùn)用到實(shí)際的招貼設(shè)計(jì)中。全文內(nèi)容基礎(chǔ),表述深度恰當(dāng),以簡(jiǎn)單的理論知識(shí)引領(lǐng)...
格式:pdf
大?。?span id="sqs8wdg" class="single-tag-height">3.0MB
頁(yè)數(shù): 32頁(yè)
評(píng)分: 4.4
LED 視頻處理器 用 戶(hù) 使 用 手 冊(cè) (V2.56) 使用產(chǎn)品前請(qǐng)仔細(xì)閱讀本使用說(shuō)明書(shū)。 請(qǐng)妥善保管本使用說(shuō)明書(shū)。 目 錄 (一) 安全使用指南 ................................................................. 錯(cuò)誤!未定義書(shū)簽。 (二) 處理器介紹 ..................................................................... 錯(cuò)誤!未定義書(shū)簽。 (三) 硬件連接 ......................................................................... 錯(cuò)誤!未定義書(shū)簽。 1、 背面板信號(hào)接口圖 ................................................
格式:pdf
大?。?span id="v3zjywl" class="single-tag-height">3.0MB
頁(yè)數(shù): 1頁(yè)
評(píng)分: 4.5
<正>本書(shū)主編王雙亭,河南理工大學(xué)教授,畢業(yè)于解放軍測(cè)繪學(xué)院航空攝影測(cè)量專(zhuān)業(yè),主要從事數(shù)字?jǐn)z影測(cè)量和遙感信息提取方面的教學(xué)與研究工作。本書(shū)系統(tǒng)地介紹了攝影測(cè)量的基本原理、技術(shù)和最新成果。全書(shū)共分為六章:第一章介紹攝影測(cè)量的基本概念、發(fā)展過(guò)程及所面臨的問(wèn)題;第二章介紹了攝影像片的獲取原理與技術(shù);第三章介紹了中心
主要內(nèi)容
1、認(rèn)識(shí)產(chǎn)品規(guī)格
2、設(shè)計(jì)思想與步驟
3、Array基板設(shè)計(jì)
4、CF設(shè)計(jì)
5、Cell設(shè)計(jì)
第一節(jié) 認(rèn)識(shí)TFT-LCD的產(chǎn)品規(guī)格
1、基本規(guī)格 (設(shè)計(jì)規(guī)格)
作為一個(gè)設(shè)計(jì)者,首先對(duì)于顯示屏的設(shè)計(jì)規(guī)格一定要有所了解。顯示器的規(guī)格,很難有一個(gè)完全的定義,因?yàn)楫a(chǎn)品對(duì)于消費(fèi)者而言更多的是主觀(guān)的感覺(jué),不同廠(chǎng)商提供的顯示器規(guī)格,也會(huì)有所差別,但是對(duì)設(shè)計(jì)者而言,需要把客戶(hù)的要求、廠(chǎng)商的要求轉(zhuǎn)化成客觀(guān)量化的數(shù)據(jù)作為設(shè)計(jì)的目標(biāo),也就是要轉(zhuǎn)化成可設(shè)計(jì)的規(guī)格。即設(shè)計(jì)規(guī)格(專(zhuān)業(yè)規(guī)格)。下表中給出了一些顯示器件的最基本的規(guī)格參數(shù)。
2、各專(zhuān)業(yè)領(lǐng)域的整合(其它專(zhuān)業(yè)規(guī)格)
TFT是一種整合多元知識(shí)的技術(shù),是“光、電、機(jī)”的一個(gè)綜合體,牽涉了很多原理,所以一個(gè)TFT-LCD也是由各個(gè)專(zhuān)業(yè)領(lǐng)域的設(shè)計(jì)者一同努力所設(shè)計(jì)出來(lái)的,除了所著重的TFT面板本身以外,以下幾個(gè)領(lǐng)域的設(shè)計(jì)也是非常重要的。
(1)液晶光學(xué)、色度學(xué)設(shè)計(jì)
這個(gè)領(lǐng)域需要熟知液晶的物理材料特性和光學(xué)知識(shí),負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)產(chǎn)品的液晶模式,包括其材料,間隙,配向角度,偏光片角度,光學(xué)補(bǔ)償膜等等,以符合產(chǎn)品規(guī)格中的視角,亮度,對(duì)比和反應(yīng)時(shí)間等要求,也要設(shè)計(jì)彩色濾光片的三原色之色坐標(biāo),以符合產(chǎn)品規(guī)格中色彩飽和度的要求,還有如液晶的操作電壓,抗反射膜的選用等等,也是該領(lǐng)域要考慮的。
(2)模組機(jī)構(gòu)設(shè)計(jì)
該領(lǐng)域要熟知各機(jī)械零件和力學(xué)知識(shí),負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)產(chǎn)品的外觀(guān),選用各零件的材料與制程,以符合產(chǎn)品規(guī)格中尺寸,重量等需求,并使模組組裝生產(chǎn)過(guò)程流暢易行,另外,背光模組和光學(xué)膜的選用,涉及產(chǎn)品厚度,重量和功率消耗,也需要與其他方面的設(shè)計(jì)一起考慮。
(3)電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)
該領(lǐng)域熟知各電子零件和電學(xué)知識(shí),以及各種顯示界面的定義,以負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)產(chǎn)品的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),符合產(chǎn)品規(guī)格中系統(tǒng)界面,功率消耗,操作電壓等要求。
3、產(chǎn)品規(guī)格的協(xié)調(diào)制定
對(duì)于TFT-LCD,包含很多的專(zhuān)業(yè)領(lǐng)域的知識(shí),自然也就涉及很多的專(zhuān)業(yè)規(guī)格,這些專(zhuān)業(yè)規(guī)格彼此并不是孤立的,設(shè)計(jì)時(shí)也并不是所有規(guī)格的一個(gè)簡(jiǎn)單的加和,而是要互相協(xié)調(diào),明確設(shè)計(jì)目標(biāo)及定位,才能保證產(chǎn)品的最終設(shè)計(jì)成功。
專(zhuān)業(yè)規(guī)格協(xié)調(diào)舉例
(1)厚度
產(chǎn)品的厚度,它是很多零組件厚度的總和,包括兩塊玻璃基板,兩個(gè)偏光片,光學(xué)補(bǔ)償膜,光學(xué)增亮膜,背光模組,框架等,如果要減少設(shè)計(jì)的厚度以符合產(chǎn)品要求,可以采用薄型偏光片而增加成本,也可以選擇減少光學(xué)補(bǔ)償膜而犧牲視角,也可以選擇光學(xué)增亮膜而犧牲亮度,也可采用薄型框架而增加破損的風(fēng)險(xiǎn),至于要采取哪一種方法,就要視產(chǎn)品的定位和其他規(guī)格的競(jìng)爭(zhēng)力而定,并沒(méi)有一定的答案。
(2)亮度
TFT-LCD模組成品的亮度,是光源強(qiáng)度和光效率的乘積,以表中產(chǎn)品為例,亮度要求為假設(shè)既有的產(chǎn)品設(shè)計(jì),是使用亮度為的CCFL背光源,而液晶單元的光效為7.35%,畫(huà)素的開(kāi)口率為85%,則得到的亮度會(huì)是
為了要達(dá)成產(chǎn)品要求,可以使用亮度提高到背光源,但是會(huì)增加消耗功率,燈管的壽命也會(huì)減少,也可以設(shè)法增加液晶單元本身的光效率到8.82%,也可以設(shè)法增加畫(huà)素的開(kāi)口率。此時(shí)可以協(xié)調(diào)成:采用的背光源,使液晶單元的光效率增加為8.1%,畫(huà)素的開(kāi)口率為88%,使得到的亮度成為
再由各設(shè)計(jì)領(lǐng)域協(xié)調(diào)決定其專(zhuān)業(yè)規(guī)格,此時(shí)需要液晶光學(xué)設(shè)計(jì)的專(zhuān)業(yè)去努力的將原來(lái)的光效提高到8.12%,也許要采用新的模式,也許要降低色彩飽和度,假設(shè)在各專(zhuān)業(yè)領(lǐng)域努力之后,仍無(wú)法達(dá)成要求,此時(shí)便需要重新進(jìn)行協(xié)調(diào),增加背光源亮度或液晶單元的光效,有可能需要更換液晶材料,因此又使畫(huà)素的充電和電容耦合效應(yīng)改變,于是又要重新設(shè)計(jì)一次畫(huà)素,又有新的開(kāi)口率設(shè)計(jì),可以想象,產(chǎn)品的規(guī)格進(jìn)步,需要各領(lǐng)域一再的設(shè)法協(xié)調(diào),以定出各專(zhuān)業(yè)規(guī)格。
4、和面板設(shè)計(jì)相關(guān)的專(zhuān)業(yè)規(guī)格
在經(jīng)過(guò)產(chǎn)品規(guī)格的協(xié)調(diào)制定后,就可將其中的一些規(guī)格,轉(zhuǎn)換成各領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)規(guī)格,與TFT面板設(shè)計(jì)相關(guān)的專(zhuān)業(yè)規(guī)格有:
(1)次畫(huà)素大小和畫(huà)素陣列數(shù)目
根據(jù)產(chǎn)品規(guī)格中的Size, Resolution, Aspect Ratio Active Area,可以得知次畫(huà)素的大小和畫(huà)素陣列數(shù)目,這些規(guī)格是不需要進(jìn)行協(xié)調(diào)的。
(2)開(kāi)口率
依據(jù)產(chǎn)品規(guī)格中的Brightness和Color Saturation,在充分協(xié)調(diào)之后,設(shè)定開(kāi)口率的設(shè)計(jì)目標(biāo)。
(3)最小視訊電壓容許誤差
依據(jù)產(chǎn)品規(guī)格中的View Angle, Contrast Ratio , Response Time, 以及Supply Voltage等等,由液晶光學(xué)專(zhuān)業(yè)領(lǐng)域設(shè)計(jì)者制定出所采用的液晶單元設(shè)計(jì)(液晶材料、模式、間隙、取向等),那么液晶單元所對(duì)應(yīng)的電壓-穿透度關(guān)系,液晶電壓-電容關(guān)系基本上就可以確定下來(lái)。根據(jù)電壓-穿透度關(guān)系和產(chǎn)品規(guī)格中的灰階數(shù)就可以決定出最小視訊電壓容許誤差(最小灰階電壓差如何確定?)。液晶的電壓-電容關(guān)系,也會(huì)作為設(shè)計(jì)時(shí)考量充電,電荷保持,電容耦合以及信號(hào)延遲等的計(jì)算基礎(chǔ)。
第二節(jié) 設(shè)計(jì)思想與步驟
1、設(shè)計(jì)思想
(1)畫(huà)素完全相同
我們知道,陣列中每個(gè)畫(huà)素的大小和形狀是一樣的,但是每個(gè)畫(huà)素的細(xì)部設(shè)計(jì),并不一定要完全一樣,利用畫(huà)素設(shè)計(jì)的細(xì)部改變,可以解決一些問(wèn)題。比如通過(guò)精密計(jì)算沿著掃描線(xiàn)改變TFT的寄生電容的大小,可以補(bǔ)償電容耦合效應(yīng)和信號(hào)延遲效應(yīng),但是這樣設(shè)計(jì)會(huì)使得整個(gè)布局非常復(fù)雜,又會(huì)產(chǎn)生其他的問(wèn)題,因此目前在絕大多數(shù)的TFT設(shè)計(jì)中,都是采用完全相同的畫(huà)素設(shè)計(jì)。
(2)最壞情況設(shè)計(jì)
為了使得設(shè)計(jì)出來(lái)的顯示器在各種情況下都能夠滿(mǎn)足驅(qū)動(dòng)原理的要求,采用的設(shè)計(jì)觀(guān)念是“最壞情況設(shè)計(jì)”,即在設(shè)計(jì)時(shí)考慮在極限情況下能夠使用,那么其他情形就沒(méi)有問(wèn)題。比如畫(huà)面的幀頻在60~75Hz,則以75Hz考慮充電時(shí)間,而以60Hz考慮電荷保持時(shí)間,這樣在兩個(gè)極限條件下如果能夠滿(mǎn)足,其它頻率下肯定能夠滿(mǎn)足。
2、設(shè)計(jì)步驟
從前面的討論我們知道,在設(shè)計(jì)過(guò)程中,需要將所有的條件要同時(shí)考慮,但是同時(shí)考慮這么多的項(xiàng)目會(huì)混淆我們的思路,有沒(méi)有辦法快速的找到符合設(shè)計(jì)的方法呢?答案是肯定的。先把最重要的設(shè)計(jì)參數(shù)作初步估計(jì),找出所要設(shè)計(jì)產(chǎn)品的粗坯,結(jié)合該產(chǎn)品的考量重點(diǎn),尋找合理的設(shè)計(jì)參數(shù),建立畫(huà)素初始布局,計(jì)算各個(gè)電容,開(kāi)口率等,最后根據(jù)設(shè)計(jì)值執(zhí)行最后的布局。
第三節(jié) Array基板設(shè)計(jì)
設(shè)計(jì)對(duì)象及設(shè)計(jì)目標(biāo)的確定
設(shè)計(jì)對(duì)象:13英寸TFT-LCD面板(下基板、上基板,液晶盒)
設(shè)計(jì)目標(biāo):基本規(guī)格,開(kāi)口率、最小視訊電壓差等
具體設(shè)計(jì)步驟:基本參數(shù)確定(尺寸、制程、電學(xué)參數(shù)等);主要參數(shù)計(jì)算(Cs、開(kāi)口率計(jì)算);初始布局確定;驗(yàn)證;執(zhí)行最終布局
1、基本的專(zhuān)業(yè)規(guī)格參數(shù)設(shè)計(jì)
2、制程參數(shù)設(shè)計(jì)(制程選擇、制程準(zhǔn)則及能力限制、材料工藝參數(shù)等)
(a)制程選擇
設(shè)計(jì)一個(gè)TFT面板,必須基于一個(gè)確定的TFT制程以及制程設(shè)計(jì)準(zhǔn)則。和IC的制程相似,制作TFT和各電極所需的形狀,是先將這些形狀制作在掩模版上,通過(guò)光刻的方式轉(zhuǎn)寫(xiě)到玻璃基板,因此,在設(shè)計(jì)之前,必須了解TFT的制程,知道Array基板上各種膜層之間的層次關(guān)系及用途。若采用的制程不同,設(shè)計(jì)原理雖然相同,但考慮的重點(diǎn)則有所變化。此處將以top ITO型的五道掩膜(見(jiàn)圖)為例進(jìn)行說(shuō)明。
(b)制程準(zhǔn)則及制程能力限制
制程確定后,還需了解該制程的能力限制,即制程設(shè)計(jì)準(zhǔn)則。這些規(guī)則由制程的能力與經(jīng)驗(yàn)所確定,其中規(guī)范了相關(guān)的能力限制以及制程中所采用的金屬和絕緣體材料的厚度和特性,在設(shè)計(jì)時(shí),必須符合這些規(guī)則,才能在工藝上實(shí)現(xiàn),典型的TFT設(shè)計(jì)準(zhǔn)則可參考下表。共四個(gè)表,分別是材料和厚度,線(xiàn)寬限制,對(duì)準(zhǔn)誤差和TFT的工藝參數(shù)。
(c)材料工藝參數(shù)
相應(yīng)于本次設(shè)計(jì),采用top ITO制程對(duì)應(yīng)的材料與工藝參數(shù)
3 驅(qū)動(dòng)相關(guān)參數(shù)
幀頻60Hz
幀掃描時(shí)間16.7ms
掃描線(xiàn)時(shí)間21.7μs
最小視頻電壓容許誤差:8mV
4 面板設(shè)計(jì)參數(shù)的獲得
在前面講過(guò),圖形設(shè)計(jì)涉及很多參數(shù),需要先定出最主要的參數(shù)。結(jié)合前面的討論,根據(jù)本書(shū)作者的經(jīng)驗(yàn),與所有設(shè)計(jì)關(guān)系最密切的兩項(xiàng)設(shè)計(jì)值分別是存儲(chǔ)電容 的大小和TFT的通道寬度W,其他設(shè)計(jì)并非不重要,而是輕易不會(huì)改變,比如TFT的通道長(zhǎng)度,通常會(huì)設(shè)定在制作能力的最小極限,以得到最大的開(kāi)電流和最小的柵極負(fù)載電容,又如柵極絕緣層或金屬導(dǎo)電層的材料和厚度等,在制程確定后,一般不會(huì)去做更動(dòng)。所以,以上面兩個(gè)最重要的參數(shù),結(jié)合第二章的四大考量,編寫(xiě)關(guān)于這兩個(gè)參數(shù)的初始設(shè)計(jì)方程式,先把存儲(chǔ)電容和通道寬度數(shù)值定下來(lái),再進(jìn)行其它的考慮。
A、四條限制線(xiàn):如何確定存儲(chǔ)電容 和溝道寬度W
如何編寫(xiě)計(jì)算方程式
(1)TFT開(kāi)電流的限制線(xiàn)
按照第二章中討論的對(duì)充電的要求,有:
C、初始布局
基于初始設(shè)計(jì)所決定的存儲(chǔ)電容大小和TFT的尺寸,就可以進(jìn)行像素的初始布局。在滿(mǎn)足基本參數(shù)的前提下,在合乎TFT的設(shè)計(jì)準(zhǔn)則下,便可繪制像素初始布局。布局的方式,不同的人,不同的公司都會(huì)有所不同。比如,同樣的存儲(chǔ)電容,可以布局成環(huán)繞像素的U字型或一字型,工字型,H型等,相同的溝道寬度,TFT也會(huì)有不同的形狀。如圖所示。無(wú)論如何改變,關(guān)鍵參數(shù)必需要滿(mǎn)足,且常常為了光學(xué)特性或制程良好率,也會(huì)調(diào)整TFT或存儲(chǔ)電容的形狀。作為初學(xué)者,選擇一種最簡(jiǎn)單的布局方式,底部一字型為例作介紹。
D、分析及次像素的繪制
為了繪圖準(zhǔn)確和方便,對(duì)各部分進(jìn)行粗略估算,將繪圖尺寸參數(shù)列出來(lái),然后開(kāi)始繪圖。
計(jì)算分析:
次像素大小為258×86μm,定義開(kāi)口率為70%,這一部分完全依靠ITO的面積大小來(lái)實(shí)現(xiàn),根據(jù)計(jì)算,存儲(chǔ)電容的面積占次像素的面積是9.8%,也是依靠ITO的面積來(lái)實(shí)現(xiàn),所以,在次像素的范圍內(nèi),ITO的面積應(yīng)占整個(gè)次像素面積至少約80%。那么掃描線(xiàn)與數(shù)據(jù)線(xiàn)及TFT所占的面積不能超過(guò)20%。我們知道,對(duì)于掃描線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn),掃描線(xiàn)的信號(hào)延遲要遠(yuǎn)大于數(shù)據(jù)線(xiàn)的信號(hào)延遲,且在高度方向的尺寸大于寬度方向的尺寸,所以數(shù)據(jù)線(xiàn)的寬度
E、陣列及像素陣列之外布線(xiàn)
次像素繪制好以后,就可進(jìn)行像素陣列,按照前面設(shè)置的1024×RGB×768,需要將次像素陣列為3072列、768行,由于A(yíng)UTOCAD對(duì)如此多的數(shù)目幾乎無(wú)法運(yùn)行,所以將行列數(shù)目按倍數(shù)縮小,這里將數(shù)目確定為16×3×12。運(yùn)行結(jié)果如下。
陣列區(qū)域的總長(zhǎng)度為412.8mm,寬度為309.6mm
一個(gè)TFT-LCD面板,90%以上的面積是作為顯示用的像素陣列,也就是說(shuō),上面已經(jīng)完成了90%面積的設(shè)計(jì)。在像素陣列之外的10%,還有很多的細(xì)節(jié)項(xiàng)目需要設(shè)計(jì)。
1、掃描線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)布線(xiàn)
在像素陣列中,掃描線(xiàn)與數(shù)據(jù)線(xiàn)是以次像素的大小為間距平行排列,但是在陣列之外,就需要與驅(qū)動(dòng)IC進(jìn)行連接,所以?huà)呙杈€(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)會(huì)根據(jù)所采用的連接方式而進(jìn)行布線(xiàn)。下圖是其中的一種布線(xiàn)方式。
2、下板共電極布線(xiàn)
除了掃描線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)以外,下板共電極在陣列外也需要連接在一起并且通過(guò)金膠點(diǎn)與上板共電極相接在一起。
至此,Array基板的內(nèi)容就設(shè)計(jì)完成了。所有這些圖形最后都是要轉(zhuǎn)移到玻璃基板上,因此在這里還需要將Array玻璃基板的尺寸定下來(lái),除了將陣列像素和陣列外布線(xiàn)能夠放下以外,制程中還需要一些對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記,這些標(biāo)記一般放在玻璃的邊緣或角落處。所以,顯示區(qū)的尺寸如果是13寸,考慮陣列外布線(xiàn)和對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記,Array基板的尺寸應(yīng)大于13寸。由于這里對(duì)單個(gè)次像素進(jìn)行了放大,而數(shù)目又有減少,所以我們這里就以所畫(huà)圖形為準(zhǔn)來(lái)確定尺寸。但是如果以后在企業(yè)或是條件具備,應(yīng)該按照前面設(shè)計(jì)好的既不能放大也不能減少數(shù)目來(lái)確定。
例圖中顯示區(qū)的尺寸為412.8和309.6,陣列外布線(xiàn)后尺寸為458.53和320.01,因此玻璃尺寸定為461.91和324.37。具體見(jiàn)下圖。
F、五張掩模版設(shè)計(jì)
根據(jù)設(shè)計(jì)好的Array基板圖形,下一步就可以獲得五道掩模版的圖形。利用AUTOCAD的圖層功能,在原始圖形上,將某一層保留,而將其他圖層刪掉,便可得到相應(yīng)的掩模版。例圖中對(duì)應(yīng)的五張掩模版GE、SE、SD、CH、PE如圖所示。
第四節(jié) CF設(shè)計(jì)
1、CF結(jié)構(gòu)及工藝流程
2、CF設(shè)計(jì)(上玻璃尺寸的確定,黑色矩陣的設(shè)計(jì),色層位置的確定等)
1、CF結(jié)構(gòu)及工藝流程
結(jié)構(gòu)及作用:
彩色濾色片基本結(jié)構(gòu)是由玻璃基板(Glass Substrate),黑色矩陣(Black Matrix),彩色層(Color Layer,即RGB),保護(hù)層(Over Coat),ITO導(dǎo)電膜組成。通過(guò)施加不同的電壓和選擇不同的像素,能夠?qū)崿F(xiàn)彩色化顯示。
各層功能及制作過(guò)程:
A、黑色矩陣
黑色矩陣主要有以下作用:第一,遮蔽像素區(qū)域(開(kāi)口部分)之外的背光源的漏光;第二,防止相鄰RGB亞像素的混色,提高顯示對(duì)比度;第三,防止光造成TFT誤動(dòng)作及工作參數(shù)發(fā)生變化;第四,防止背景光的寫(xiě)入(從而造成對(duì)比度低下),可明顯提高對(duì)比度等。因此,對(duì)于彩色濾色片基板來(lái)說(shuō),形成黑色矩陣是必不可少的重要工序。
形成黑色矩陣的材料一般是黑鉻(Cr),近年來(lái),采用黑色顏料來(lái)形成黑矩陣產(chǎn)品越來(lái)越多。首先利用濺射鍍膜法,在洗凈的玻璃基板鍍金屬鉻的薄膜。而后進(jìn)入黑色矩陣工序,在前道工序形成的黑鉻層表面,利用涂膠機(jī)均勻地涂布正光刻膠,再將全表面涂有光刻膠的玻璃基板在隧道烘干機(jī)中進(jìn)行預(yù)烘烤。之后,在玻璃基板之上放置光刻掩膜,經(jīng)過(guò)掩膜,通過(guò)紫外線(xiàn)對(duì)正型光刻膠照射,進(jìn)行曝光,再經(jīng)顯影。這樣,可僅保留掩膜遮蔽部分的光刻膠。再經(jīng)過(guò)刻蝕制取相應(yīng)于掩膜的黑鉻圖形,剝離光刻膠,得到的黑鉻圖形正是黑色矩陣。
B 、彩色色層
形成RGB著色層的照相刻蝕工程由光刻膠涂布、預(yù)烘烤(預(yù)焙)、曝光、顯影、洗凈、后烘烤(后焙)等工序組成。在著色層的形成過(guò)程中,每種顏色的著色層是獨(dú)立形成的。也就是說(shuō),這樣的過(guò)程需要重復(fù)三次,才能形成所需要的RGB三色著色層。以紅色為例,首先要在已經(jīng)形成了黑矩陣的玻璃基板全表面涂布紅色顏料層,經(jīng)烘烤固化。之后,在玻璃基板之上放置光刻掩膜,經(jīng)過(guò)光刻掩膜用紫外線(xiàn)對(duì)顏料照射,進(jìn)行曝光,再經(jīng)顯影。這樣,可僅保留所需要紅色顏料膜的部分,由此形成紅色著色層。同理,藍(lán)色和綠色顏料膜的形成也按同樣的工序進(jìn)行。至此,就完成了RGB彩色濾光片成膜工序。
C、保護(hù)層和透明導(dǎo)電薄膜
保護(hù)膜的作用主要有兩個(gè)方面,一是防止由于彩色濾色片的污染物侵入液晶盒而引發(fā)誤動(dòng)作,二是對(duì)各色層進(jìn)行平坦化,方便在其上面進(jìn)一步制作ITO電極。保護(hù)層通過(guò)材料混合涂布,脫泡,烘烤等工序形成。而ITO薄膜通過(guò)濺射法形成。CF的形成過(guò)程可參考下圖。
2、CF設(shè)計(jì)
在TFT-LCD中,作為T(mén)FT面板對(duì)應(yīng)的上玻璃基板,色層以及黑色矩陣應(yīng)該與下板即Array基板的像素之間有一定的位置關(guān)系。即色層應(yīng)該與Array基板上液晶電容的電極,即像素電極除去存儲(chǔ)電容電極的那一部分電極對(duì)應(yīng)起來(lái),而其他的部分應(yīng)該由黑色矩陣進(jìn)行遮蔽。這也是CF各功能層的形狀在設(shè)計(jì)時(shí)的主要依據(jù)。若是黑色矩陣設(shè)計(jì)還不能將漏光等完全遮蔽,可以計(jì)算一下漏光面積,若是不嚴(yán)重,則可以采用,若是漏光嚴(yán)重,那么就要調(diào)整Array基板的設(shè)計(jì)了。
A、上玻璃基板尺寸的確定以及與Array基板的位置關(guān)系
從TFT的結(jié)構(gòu)和原理我們知道,CF板即上玻璃基板的每一個(gè)色層需要與Array基板的每一個(gè)次像素或像素對(duì)應(yīng)。那么在A(yíng)rray的顯示區(qū)范圍上,CF基板需要形成和Array對(duì)應(yīng)的部分,而在A(yíng)rray基板陣列外,即顯示區(qū)外的掃描線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)布線(xiàn)區(qū)域,CF板是不需要和其對(duì)應(yīng)的,且必須是將下板的陣列外布線(xiàn)區(qū)域露在外面以便和IC連接。而對(duì)于下板共電極布線(xiàn)區(qū)域,需要與上板共電極相接,所以CF在這部分應(yīng)該與Array對(duì)應(yīng)。這樣基本可以確定出CF基板的位置和大概尺寸。CF基板左邊緣和上邊緣與下板平齊,而右邊緣和下邊緣將掃描線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)布線(xiàn)露出。具體如圖所示。
B、色層的設(shè)計(jì)
這里采用每一個(gè)色層單元與每一個(gè)次像素一一對(duì)應(yīng),所以將色層的形狀和尺寸確定為與液晶電容的電極相同,且上下對(duì)應(yīng),這樣可將一個(gè)像素對(duì)應(yīng)的CF基板上的色層位置和大小確定下來(lái)。然后分別陣列即可獲得三張色層掩模版。這里要注意的是,上下基板是面對(duì)面貼合在一起的,所以,CF板的左上角像素應(yīng)該與Array板的右上角對(duì)應(yīng),因此,還需將圖形進(jìn)行鏡像。三張色層掩模版設(shè)計(jì)過(guò)程如圖所示。
C、黑色矩陣設(shè)計(jì)
理論上,除了色層部分外,其余區(qū)域必須通過(guò)黑色矩陣遮蔽,所以黑色矩陣在設(shè)計(jì)上與色層掩模版是互補(bǔ)的,所以這里在設(shè)計(jì)黑色矩陣時(shí),直接使用三張色層套構(gòu)在一起的互補(bǔ)圖形。如圖所示。
第五節(jié) 單個(gè)產(chǎn)品CELL掩模版設(shè)計(jì)
Cell盒的制作工程是利用前兩節(jié)陣列制作工程所述的Array陣列基板和CF基板,使二者對(duì)位貼合而組裝成LCD盒。這種液晶盒制作工程,包括取向膜形成(常用聚酰亞胺薄膜,即PI膜)、取向處理、絲印邊框(邊框膠涂敷),對(duì)位壓合、液晶注入等,是液晶顯示器所獨(dú)有的制作工程,對(duì)顯示器的顯示質(zhì)量有決定性的影響,是十分重要的工程。在這些工序中,取向劑涂敷和絲印邊框還需要兩張掩模版,分別為取向劑掩模版(PI版)和絲印邊框掩模版(Seal版),這兩張板也需要提前設(shè)計(jì)。
1、PI掩模版設(shè)計(jì)
取向膜形成工程,即PI涂布,是為了使液晶分子沿特定方向取向排列,該取向膜采用聚酰亞胺樹(shù)脂材料,厚度為10~100nm,其形成一般采用印刷法。取向膜形成之后,還要在取向膜上形成按一定方向排列的溝槽,以使液晶分子按一定方向取向排列,一般是通過(guò)摩擦進(jìn)行。我們知道,取向劑主要是幫助液晶分子進(jìn)行取向的,所以其涂敷范圍應(yīng)該將液晶分子所到之處全部覆蓋,這樣就可以確定出PI版的對(duì)應(yīng)于一個(gè)產(chǎn)品的圖形了,即PI版的圖形。例圖中,將顯示區(qū)域直接作為一個(gè)產(chǎn)品的PI版。 如圖所示。
2、SEAL掩模版設(shè)計(jì)
在完成取向處理后,需要將兩塊玻璃基板在保持一定間隙的條件下對(duì)位貼合,所以首先在CF基板上散布隔離子,該隔離子決定了液晶盒的厚度,一般散布的是粒徑分布集中的塑料圓球。同時(shí),為防止貼合的兩塊基板間隙中的液晶材料流出,在液晶盒的四周構(gòu)筑“圍墻”,即封接材料。,這里采用滴入式液晶注入,所以不需要留液晶灌注口。一般情況下,封框膠會(huì)涂敷在以小玻璃(此處對(duì)應(yīng)CF板)邊緣向內(nèi)0.5mm的范圍內(nèi),這樣,一個(gè)產(chǎn)品的Seal板的圖形就可以確定了。
對(duì)位標(biāo)記
無(wú)論上板或下板,所有的圖形在基板上的位置必須嚴(yán)格套準(zhǔn),所以在設(shè)計(jì)完成后,還需要制作相應(yīng)的對(duì)位標(biāo)記,這些標(biāo)記主要有:
1、Array基板:光刻掩模版對(duì)位標(biāo)記(5個(gè)),下板標(biāo)記;
2、CF板:光刻掩模版標(biāo)記(4個(gè))上板標(biāo)記;
3、CLEE盒:邊框位置標(biāo)記,絲網(wǎng)與玻璃對(duì)位標(biāo)記,PI涂敷標(biāo)記,上下板壓合對(duì)位標(biāo)記;
*內(nèi)容摘自小胡講觸控技術(shù)
主辦
《彩電常用微處理器上門(mén)維修圖文速查手冊(cè)》是為了滿(mǎn)足彩電微處理器控制系統(tǒng)的維修需要,從上門(mén)維修的實(shí)際需求出發(fā),精選了國(guó)內(nèi)外400多種彩電微處理器的維修資料,特別是包含了近幾年面世的高清、平板、背投彩電的微處理器和含有微處理器功能的超級(jí)單片集成電路資料。
《彩電常用微處理器上門(mén)維修圖文速查手冊(cè)》共分18章:第1章是BM、C、CCU系列,第2章是CH系列,第3章是CHT系列,第4章是CKP系列,第5章是CTS、CTV系列,第6章是CX、CXP系列,第7章是DM、ENME、HISENSE、HO、IX系列,第8章是KA、KD、KO、KS、KY系列,第9章是LA、LC、LG、LK系列,第10章是M系列,第11章是MA、MC、MH、MM、MN系列,第12章是MST、MT、OM、ONWA系列,第13章是PCA、 PCF、 PW、Q系列,第14章是S3、SAA、 SDA、 SKW、SMM、ST系列,第15章是T5、TCL、TDA系列,第16章是TMP系列,第17章是TMPA、TMS系列,第18章是VCT、WH、WIN、WL、WT、Z系列。另外,為方便讀者維修時(shí)快速定位所修微處理器的功能引腳,提高檢修速度,也為微處理器的代換提供參考,書(shū)后附錄提供了“彩電常用微處理器主要功能引腳速查表”和“超級(jí)單片電路微處理器部分主要功能引腳速查表”。
《彩電常用微處理器上門(mén)維修圖文速查手冊(cè)》資料準(zhǔn)確、圖文并茂、內(nèi)容明了、便于攜帶、易于操作,是供廣大讀者,特別是家電維修人員學(xué)習(xí)、查閱、使用的上門(mén)維修彩電微處理器控制系統(tǒng)的必備工具書(shū)。
第1章 ARM系列微處理器簡(jiǎn)介
1.1 什么是ARM
1.2 ARM體系結(jié)構(gòu)的命名規(guī)則
1.3 初識(shí)ARM系列處理器
1.4 ARM系列處理器的應(yīng)用領(lǐng)域
1.5 ARM芯片的特點(diǎn)與選型
1.6 ARM開(kāi)發(fā)工具
第2章 ARM體系結(jié)構(gòu)
2.1 ARM體系結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)
2.2 流水線(xiàn)
2.3 ARM存儲(chǔ)器
2.4 I/O管理
2.5 ARM開(kāi)發(fā)調(diào)試方法
第3章 ARM微處理器的編程模型
3.1 數(shù)據(jù)類(lèi)型
3.2 處理器工作模式
3.3 ARM寄存器組織
3.4 異常中斷處理
第4章 ARM指令尋址方式
4.1 數(shù)據(jù)處理指令的尋址方式
4.2 內(nèi)存訪(fǎng)問(wèn)指令尋址
第5章 數(shù)據(jù)傳送指令
5.1 MOV指令
5.2 MVN指令
5.3 單寄存器的Load/Store指令
5.4 多寄存器Load/Store內(nèi)存訪(fǎng)問(wèn)指令
5.5 單數(shù)據(jù)交換指令
5.6 程序狀態(tài)寄存器指令
第6章 數(shù)據(jù)處理指令
第7章 乘法指令
第8章 跳轉(zhuǎn)指令
第9章 協(xié)處理器及其他指令
第10章 ARM匯編程序設(shè)計(jì)
第11章 Tumb指令集
第12章 混合使用C、C++和匯編語(yǔ)言
第13章 嵌入式軟件開(kāi)發(fā)
第14章 高效的C編程
第15章 ARM存儲(chǔ)器
第16章 ARM體系結(jié)構(gòu)的發(fā)展
附錄A ARM體系結(jié)構(gòu)過(guò)程調(diào)用標(biāo)準(zhǔn)(AAPCS)
附錄B ARM指令速查(按字母順序)
附錄C Thumb指令速查(按字母順序)
附錄D ARM匯編偽操作速查手冊(cè)(按字母順序)
附錄E 向量浮點(diǎn)編程
參考文獻(xiàn)