中文名 | 半導(dǎo)體激光劃片機(jī) | 移動(dòng)速度: | ≥80mm/s |
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工作臺(tái): | 雙氣倉負(fù)壓吸附,T型臺(tái)雙 | 工作臺(tái)幅面: | 350mm×350mm |
激光波長:1.06μm
劃片精度:±10μm
劃片線寬:≤0.03mm
激光重復(fù)頻率:20KHz~100KHz
最大劃片速度:230mm/s
激光最大功率:≤15W(根據(jù)激光器的選擇,可提升最大功率)
使用電源:220V/ 50Hz/ 1KVA
冷卻方式:強(qiáng)迫風(fēng)冷
2011年武漢三工光電設(shè)備制造有限公司開始大面積推廣半導(dǎo)體激光劃片機(jī) 以推動(dòng)整個(gè)行業(yè)升級(jí)換代
標(biāo)準(zhǔn)化設(shè)計(jì):整機(jī)采取國際標(biāo)準(zhǔn)模塊化設(shè)計(jì),結(jié)構(gòu)合理,安裝維護(hù)更方便簡潔。
劃片效果好:半導(dǎo)體激光器光束質(zhì)量好,對(duì)太陽能電池劃片時(shí)切縫更窄,切面更光滑。大大提升太陽能電池的品質(zhì)。
專用劃片軟件:專為激光劃片機(jī)而設(shè)計(jì)的控制軟件,操作簡單,能實(shí)時(shí)顯示劃片路徑
穩(wěn)定運(yùn)行:全封閉光路設(shè)計(jì),確保激光器長期連續(xù)穩(wěn)定運(yùn)行,對(duì)環(huán)境適應(yīng)能力更強(qiáng)。可24小時(shí)不間斷連續(xù)工作。
應(yīng)用及市場
·能適應(yīng)單晶硅、多晶硅、非晶硅電池劃片和硅、鍺、砷化鎵半導(dǎo)體材料的劃片和切割。
半導(dǎo)體激光器工作原理:半導(dǎo)體激光器工作原理是激勵(lì)方式,利用半導(dǎo)體物質(zhì)(既利用電子)在能帶間躍遷發(fā)光,用半導(dǎo)體晶體的解理面形成兩個(gè)平行反射鏡面作為反射鏡,組成諧振腔,使光振蕩、反饋、產(chǎn)生光的輻射放大,輸...
半導(dǎo)體激光器通過一定的激勵(lì)方式,在半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶(導(dǎo)帶與價(jià)帶)之間,或者半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶與雜質(zhì)(受主或施主)能級(jí)之間,實(shí)現(xiàn)非平衡載流子的粒子數(shù)反轉(zhuǎn),當(dāng)處于粒子數(shù)反轉(zhuǎn)狀態(tài)的大量電子與空穴復(fù)合時(shí)便產(chǎn)生受...
如果是光通信的研究,一般用的多的半導(dǎo)體激光器的波長是1550nm波段的,其次是1310nm,也有其他的如,850nm和980nm等等。 半導(dǎo)體激光器的常用參數(shù)可分為:波長、閾值電流Ith?、工作電...
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應(yīng)用ZEMAX光學(xué)設(shè)計(jì)軟件模擬了一種多芯片半導(dǎo)體激光器光纖耦合模塊,將12支808nm單芯片半導(dǎo)體激光器輸出光束耦合進(jìn)數(shù)值孔徑0.22、纖芯直徑105μm的光纖中,每支半導(dǎo)體激光器功率10 W,光纖輸出端面功率達(dá)到116.84W,光纖耦合效率達(dá)到97.36%,亮度達(dá)到8.88MW/(cm2·sr)。通過ZEMAX和ORIGIN軟件分析了光纖對(duì)接出現(xiàn)誤差以及單芯片半導(dǎo)體激光器安裝出現(xiàn)誤差時(shí)對(duì)光纖耦合效率的影響,得出誤差對(duì)光纖耦合效率影響的嚴(yán)重程度從大到小分別為垂軸誤差、軸向誤差、角向誤差。
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評(píng)分: 4.6
半導(dǎo)體激光器輸出特性的影響因素 半導(dǎo)體激光器是一類非常重要的激光器,在光通信、光存儲(chǔ)等很多領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng) 用。下面我將探討半導(dǎo)體激光器的波長、光譜、光功率、激光束的空間分布等四個(gè)方面的 輸出特性,并分析影響這些輸出特性的主要因素。 1. 波長 半導(dǎo)體激光器的發(fā)射波長是由導(dǎo)帶的電子躍遷到價(jià)帶時(shí)所釋放出的能量決定的, 這個(gè)能 量近似等于禁帶寬度 Eg(eV)。 hf = Eg f (Hz) 和λ(μm)分別為發(fā)射光的頻率和波長 且c=3×108m/s, h=6.628 ×10- 34 J ·s, leV=1.60 × 10- 19 J 得 決定半導(dǎo)體激光器輸出光波長的主要因素是 半導(dǎo)體材料 和溫度 。 不同半導(dǎo)體材料有不同的禁帶寬度 Eg,因而有不同的發(fā)射波長 λ:GaAlAs-GaAs 材料 適用于 0.85 μm波段, InGaAsP-InP材料適用于 1.3~1.55 μm波段。