中文名 | 等離子體法制備質(zhì)子交換膜導(dǎo)電特性的研究 | 項目類別 | 面上項目 |
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項目負(fù)責(zé)人 | 孟月東 | 依托單位 | 中國科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院 |
為了降低燃料電池的制造成本,創(chuàng)新的等離子體聚合法制備質(zhì)子交換膜成為當(dāng)前最前沿的研究課題,當(dāng)前研究熱點在解決膜的質(zhì)子傳導(dǎo)率低和超薄容易引起電池短路這兩大課題上,這也是本課題組用該方法在國內(nèi)獨家成功研制的電池中同樣存在的問題。因此,為研究解決這些問題,本申請將開展以下主要研究內(nèi)容:(1)等離子體聚合質(zhì)子交換膜的結(jié)構(gòu)與膜的質(zhì)子傳導(dǎo)性能的關(guān)聯(lián)研究。研究等離子體多參量的變化與質(zhì)子交換膜的結(jié)構(gòu)及功能基含量的關(guān)系,獲得影響膜結(jié)構(gòu)及質(zhì)子傳導(dǎo)性能的關(guān)鍵因素及敏感參數(shù)。(2)選擇聚合反應(yīng)單體、控制參與聚合反應(yīng)的關(guān)鍵粒子種類和粒子能量,在質(zhì)子交換膜中引入有功能性基團(tuán)形成的用于質(zhì)子傳導(dǎo)的連續(xù)通道(微觀親-疏水相分離結(jié)構(gòu))以及由于分子結(jié)構(gòu)位阻效應(yīng)產(chǎn)生的有利于質(zhì)子傳導(dǎo)的空隙結(jié)構(gòu),提高質(zhì)子傳導(dǎo)能力。(3)采用等離子體濺射技術(shù)制備超薄表面平整光滑的催化劑層。本項目研究的最終目的是致力于制備燃料電池的關(guān)鍵部件全部利用等離子體。 本項目完成了預(yù)計的研究任務(wù),共發(fā)表SCI論文11篇,申請發(fā)明專利4項,已授權(quán)兩項。取得的重要結(jié)果是等離子體聚合沉積的質(zhì)子交換膜的所有參數(shù)超過Nafion117膜(參見封面文章Preparation of proton exchange membranes by a plasma polymerization method and its application in direct methanol fuel cells (DMFCs). Plasma Process. Polym. 7 (2010) DOI: 10.1002/ppap.200900137)。
為了降低燃料電池的制造成本,創(chuàng)新的等離子體聚合法制備質(zhì)子交換膜成為當(dāng)前最前沿的研究課題,當(dāng)前研究熱點在解決膜的質(zhì)子傳導(dǎo)率低和超薄容易引起電池短路這兩大課題上,這也是本課題組用該方法在國內(nèi)獨家成功研制的電池中同樣存在的問題。因此,為研究解決這些問題,本申請將開展以下研究內(nèi)容:(1)等離子體聚合質(zhì)子交換膜的結(jié)構(gòu)與膜的質(zhì)子傳導(dǎo)性能的關(guān)聯(lián)研究。研究等離子體多參量的變化與質(zhì)子交換膜的結(jié)構(gòu)及功能基含量的關(guān)系,獲得影響膜結(jié)構(gòu)及質(zhì)子傳導(dǎo)性能的關(guān)鍵因素及敏感參數(shù)。(2)選擇聚合反應(yīng)單體、控制參與聚合反應(yīng)的關(guān)鍵粒子種類和粒子能量,在質(zhì)子交換膜中引入有功能性基團(tuán)形成的用于質(zhì)子傳導(dǎo)的連續(xù)通道(微觀親-疏水相分離結(jié)構(gòu))以及由于分子結(jié)構(gòu)位阻效應(yīng)產(chǎn)生的有利于質(zhì)子傳導(dǎo)的空隙結(jié)構(gòu),提高質(zhì)子傳導(dǎo)能力。(3)采用等離子體濺射技術(shù)制備超薄表面平整光滑的催化劑層。本項目研究的最終目的是致力于制備燃料電池的關(guān)鍵部件全部利用等離子體。
質(zhì)子交換膜是讓陰離子通過的還是陽離子通過,還是都可
質(zhì)子交換膜是讓陰離子通過的還是陽離子通過這就是相當(dāng)于電解水的一個逆反應(yīng)。顧名思義:質(zhì)子交換膜只能傳導(dǎo)質(zhì)子 因此質(zhì)子可直接穿過質(zhì)子交換膜到達(dá)陰極,而電子只能通過外電路才能到達(dá)陰極。 當(dāng)電子通過外電路流向...
分別為:陽極(負(fù)極):陰極(正極): 由于質(zhì)子交換膜只能傳導(dǎo)質(zhì)子,因此氫離子(即質(zhì)子)可直接穿過質(zhì)子交換膜到達(dá)陰極,而電子只能通過外電路才能到達(dá)陰極。當(dāng)電子通過外電路流向陰極時就產(chǎn)生了直流電。以陽極為...
全氟磺酸離子交換膜( PSAIM)與全氟磺酸質(zhì)子交換膜(PEM)的區(qū)別?
全氟磺酸離子交換膜和全氟磺酸質(zhì)子交換膜應(yīng)是一個東西吧;而全氟磺酸離子膜是指全氟磺酸樹脂的一種膜形式吧,而交換膜是指全氟磺酸—羧酸復(fù)合膜吧。
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以氬氣/氧氣混合氣體(Ar/O2)為工作氣體,通過常壓低溫等離子體技術(shù)對聚乙烯薄膜表面引發(fā)接枝丙烯酸改性,從而制備出一種超親水聚乙烯薄膜,并用IR、AFM、接觸角儀對其進(jìn)行表征。結(jié)果表明:最佳工藝條件是85W、2min;兩通裝置優(yōu)于單通;使用Ar/O2混合氣體低溫等離子體技術(shù)和丙烯酸接枝技術(shù)對聚乙烯薄膜進(jìn)行改性效果優(yōu)于使用單一Ar低溫等離子體技術(shù),前者接觸角可降低至8.78±3°,并且可穩(wěn)定在11.80±3°,具有良好的親水性和耐久性。
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采用涂布法制備親水電極 ,即將催化劑和質(zhì)子導(dǎo)體Nafion制成糊狀 ,均勻地涂在電極支撐體上 ,制備過程比常規(guī)電極制備過程和Wilson制備親水電極的方法簡便。并對電極進(jìn)行了性能研究和壽命考察 ,同時還考察了加入聚四氟乙烯(PTFE)對電極性能和壽命的影響。這種方法制得的質(zhì)子交換膜燃料電池 (PEMFC)電極 ,催化劑利用率高 ,初始活性很好 ,但穩(wěn)定性不好 ,加入PTFE對電極性能影響不大 ,但穩(wěn)定性有明顯提高。
直流電弧等離子體法,是指由于電極間電弧產(chǎn)生高溫,在反應(yīng)氣體等離子化的同時,易因電極熔化或蒸發(fā)而污染反應(yīng)產(chǎn)物的方法。
如果溫度不斷升高,氣體將會發(fā)生怎樣的變化呢"para ye11c4" label-module="para">2100433B
在導(dǎo)電銀膠各組份基本確定的情況下,通常采用兩步法制備導(dǎo)電銀膠。
第一步基體樹脂制備:試驗室用電子天平以一定比例稱取一定量的環(huán)氧樹脂放入研缽中,按比例加入K77、ZE4MzeN、朋560、DleY(事先已研磨并過200目篩),用研棒進(jìn)行充分的研磨和混合,研磨時間一般在10分鐘以上,直到形成均勻的混合體為止,便得到需要的樹脂基體。
基體樹脂所得的固化產(chǎn)物的性能完全能夠滿足商用導(dǎo)電銀膠的要求,導(dǎo)電銀膠中的銀粉的填加量對導(dǎo)電銀膠性能的影響將最終決定導(dǎo)電銀膠能否商業(yè)化的最重要的因素。已有學(xué)者對導(dǎo)電銀粉的填加量作過深入的研究,通常認(rèn)為導(dǎo)電銀粉的填加量低于70%其所得固化產(chǎn)物導(dǎo)電性能較差不能滿足商業(yè)化的要求,但銀粉的填加量超過80%則固化產(chǎn)物的剪切強度變差亦不能滿足商業(yè)化的要求?;谝陨峡紤],本論文制備銀粉含量為70%、75%及80%的三種導(dǎo)電銀膠,對其性能進(jìn)行全面考察,以最終確定適合作LED封裝用的導(dǎo)電銀膠的最佳銀粉含量。
第二步導(dǎo)電銀膠制備:取一定量的樹脂基體加入部分已經(jīng)混合好的片狀銀粉BAgF一20及粒狀銀粉sAg一ZA進(jìn)行研磨,直到銀粉全部與樹脂基體混合均勻后再加入適量的銀粉,最終銀粉總量為膠總量的70%;再取一定量的樹脂基體按前述方法制備銀粉含量為75%的導(dǎo)電銀膠;再取一定量的樹脂基體按前述方法制備銀粉含量為80%的導(dǎo)電銀膠;銀粉全部加完后再研磨30分鐘以上,直到銀粉和樹脂基第2章導(dǎo)電銀膠制備與性能測試體形成均勻的銀白色膏狀混合物。按下述方法對所制備的三種不同銀粉含量的導(dǎo)電銀膠進(jìn)行性能測試。
半導(dǎo)體具有獨特的導(dǎo)電性能。當(dāng)環(huán)境溫度升髙或有光照時,它們的導(dǎo)電能力 會顯著增加,所以利用這些特性可以做成各種溫敏元件(如熱敏電阻)和各種光 敏元件(如光敏電阻、光敏二極管、光敏三極管等)。更重要的是,如果在純諍 的半導(dǎo)體中加入適量的微量雜質(zhì)后,可使其導(dǎo)電能力增加至數(shù)十萬倍以上。利用 這一特性,已經(jīng)做成各種不同用途的半導(dǎo)體器件(如二極管、三極管、場效應(yīng)管 和晶閘管等)。 溫度、光照和適量摻入雜質(zhì)這三種因素對半導(dǎo)體導(dǎo)電性能的強弱影響很大, 所以半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性可以概括如下。 熱敏性:當(dāng)環(huán)境溫度升髙時,導(dǎo)電能力顯著增強。 光敏性:當(dāng)受到光照時,導(dǎo)電能力明顯變化。 摻雜性:當(dāng)純諍的半導(dǎo)體中摻入某些適量雜質(zhì),導(dǎo)電能力明顯改變。 2. 本征半導(dǎo)體 制作半導(dǎo)體器件時用得最多的半導(dǎo)體材料是硅和鍺,它們原子核的最外層都 有4個價電子。將硅或鍺材料提純(去掉雜質(zhì))并形成單晶體后,所有原子在空間 便基本上整齊排列。半導(dǎo)體一般都具有這種晶體結(jié)構(gòu),所以半導(dǎo)體也稱為晶體。 本征半導(dǎo)體就是完全純諍的、具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。 (1)本征半導(dǎo)體的原子結(jié)構(gòu)及共價鍵 在本征半導(dǎo)體中,相鄰的兩個原子的一對最外層電子成為共用電子,這樣的 組合稱為共價鍵結(jié)構(gòu),如圖1-1所示。共價鍵內(nèi)的兩個電子是由相鄰的原子各用一個價電子組成,稱為束縛電子。這樣每個原子核最外層等效有8個價電子,由于價電子不易掙脫原子核束縛而成為自由電子,因此本征半導(dǎo)體導(dǎo)電能力較差: (2)本征激發(fā)現(xiàn)象 在熱力學(xué)溫度oK(-273°C)時,本征半導(dǎo)體中的每個價電子都被束縛在共 價鍵中,不存在自由運動的電子,本征半導(dǎo)體相當(dāng)于絕緣體。當(dāng)溫度升高或受到 光的照射時,價電子能量増高,有的價電子可以掙脫原子核的束縛而參與導(dǎo)電, 成為自由電子。與此同時,在該共價鍵上留下了一個空位,這個空位稱為空穴。 這種現(xiàn)象稱為本征激發(fā)(也稱熱激發(fā))。因熱激發(fā)而出現(xiàn)的自由電子和空穴是同 時成對出現(xiàn)的,稱為電子一空穴對,如圖1-2所示。溫度越高,產(chǎn)生的電子一空 穴對數(shù)目就越多,這就使得游離的部分自由電子也可能回到空穴中去,稱為復(fù) 合。
在一定溫度下本征激發(fā)和復(fù)合會達(dá)到動態(tài)平衡,此時自由電子和空六的濃度 一定,且自由電子數(shù)和空六數(shù)相等。
(3)半導(dǎo)體的導(dǎo)電原理 當(dāng)半導(dǎo)體兩端加上外施電壓后,半導(dǎo)體中有兩類作相反運動的導(dǎo)電粒子形成 的電流:一類是自由電子作定向運動形成的電子電流,另一類是被原子核束縛的 價電子填補空穴而形成的空六電流。因此,在半導(dǎo)體中有自由電子和空六兩種承 載電流的粒子(即載流子),這是半導(dǎo)體導(dǎo)電方式的最大特點,也是半導(dǎo)體與金 屬導(dǎo)體在導(dǎo)電機理上的本質(zhì)差別。 空穴導(dǎo)電的實質(zhì)是相鄰原子中的價電子(共價鍵中的束縛電子)依次填補空 穴而形成電流。由于電子帶負(fù)電,而電子的運動與空六的運動方向相反,因此認(rèn) 為空穴帶正電。溫度越高,產(chǎn)生的電子一空穴對數(shù)量就越多,導(dǎo)電能力增強,所以溫度對半 導(dǎo)體器件有很大影響。
3.雜質(zhì)半導(dǎo)體 摻入雜質(zhì)的本征半導(dǎo)體稱為雜質(zhì)半導(dǎo)體。雜質(zhì)半導(dǎo)體是半導(dǎo)體器件的基本材 料。根據(jù)摻入雜質(zhì)的性質(zhì)不同,雜質(zhì)半導(dǎo)體分為兩類:電子型(N型)半導(dǎo)體和 空穴型(P型)半導(dǎo)體。
(1) P型半導(dǎo)體 在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價元素(如硼)就形成P型半導(dǎo)體,結(jié)構(gòu)示意如圖1-3所示??梢娒繐饺胍粋€三價原子,就能提供一個空穴,所以在P型半導(dǎo)體中,空穴 濃度遠(yuǎn)大于自由電子濃度,空穴為多數(shù)載流子,自由電子是少數(shù)載流子。此時, 雜質(zhì)半導(dǎo)體仍然呈現(xiàn)電中性。
(2) N型半導(dǎo)體 在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價元素(如磷)就形成N型半導(dǎo)體,結(jié)構(gòu)示意圖如圖1-4所示。 可見每摻入一個五價原子,就能提供一個自由電子,所以在N型半導(dǎo)體中, 自由電子濃度遠(yuǎn)大于空穴濃度,自由電子為多數(shù)載流子,空穴是少數(shù)載流子。此 時,雜質(zhì)半導(dǎo)體仍然呈現(xiàn)電中性。
注意:雜質(zhì)半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻雜濃度;而少數(shù)載流子是因本征激發(fā)產(chǎn)生,因而其濃度與摻雜無關(guān),只與溫度等激發(fā)因素有關(guān)。
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