等離子顯示板保護(hù)層材料性能優(yōu)化

改善MgO介質(zhì)保護(hù)層材料的電學(xué)和光學(xué)特性是提高PDP相關(guān)性能的一個關(guān)鍵因素。項(xiàng)目基于密度泛函理論計(jì)算了各種MgO材料結(jié)構(gòu)，包括體結(jié)構(gòu)、面結(jié)構(gòu)、雙層結(jié)構(gòu)等的電學(xué)性質(zhì)；分析了相應(yīng)的能帶結(jié)構(gòu)、電子態(tài)密度分布、差分電荷密度分布等特性，研究了摻雜、缺陷和電場等因素的影響。采用GW BSE方法計(jì)算了各種材料的激子光譜，并提出采用簡單的氫原子模型計(jì)算激子光譜，避免了復(fù)雜的Bethe–Salpeter方程求解，從而大大減少計(jì)算成本。研究了不同材料電子結(jié)構(gòu)以及與電子躍遷過程的內(nèi)在聯(lián)系，包括二次電子發(fā)射系數(shù)、外逸電子發(fā)射、激子與外逸電子的關(guān)系等。與PDP放電過程耦合，計(jì)算了超薄SM-PDP放電特性。結(jié)果顯示，通過摻雜、增加F空缺，控制晶面取向等方法，均可有效提高二次電子和外逸發(fā)射，降低著火電壓，加快尋址速度、提高放電效率。制備了不同摻雜材料，分析其薄膜晶體結(jié)構(gòu)和表面形貌的變化、電子發(fā)射性能、激子光譜特性等。同時(shí)，制作了不同保護(hù)層材料的超薄SMPDP實(shí)驗(yàn)屏并測試了相關(guān)電性能和外逸電子電流，提出了一種基于SMPDP結(jié)構(gòu)的外逸電子測試方法，并測試了SMPDP外逸電子。結(jié)果表明，綜合著火電壓、尋址速度和放電效率性能，MgO摻Ca（MgO:CaO）是一種較好的PDP保護(hù)層材料。含F(xiàn)色心的MgO材料可獲得較低的著火電壓和高放電效率。氫鈍化后的MgO（111）晶面是建議優(yōu)選晶面取向。 作為MgO 材料的一個很好的應(yīng)用領(lǐng)域，研究了ZnO-MgO 核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)、II-VI 族材料MgO 和ZnO 的發(fā)光特性及器件研制。探索性地開展了ZnO-MgO 核殼結(jié)構(gòu)紫外發(fā)光器件研究。結(jié)果顯示，ZnO-MgO核殼結(jié)構(gòu)，可以限制電子注入速率從而平衡電子和空穴的比例，克服QLED電子注入速度遠(yuǎn)高于空穴注入速度，限制發(fā)光效率的缺點(diǎn)。采用雙層空穴傳輸膜結(jié)構(gòu)，用ZnO 納米顆粒作電子傳輸層改善器件性能。引入金納米顆粒層，利用金納米顆粒的局域表面等離子與量子點(diǎn)的激子的共振耦合產(chǎn)生的近場增強(qiáng)效應(yīng)提高器件效率。嘗試制備了低成本全溶液法的倒置QLED 器件。

本項(xiàng)目采用第一性原理計(jì)算不同PDP保護(hù)層材料的電子結(jié)構(gòu)，包括不同的材料摻雜、空缺以及復(fù)合材料等。分析電子躍遷過程、研究二次電子和外電子發(fā)射情況以及放電單元電場的影響。同時(shí)考慮材料內(nèi)的激子激發(fā)情況，計(jì)算材料的激子光譜，從而更準(zhǔn)確地描述PDP保護(hù)層材料的外電子發(fā)射和二次電子發(fā)射過程，揭示其發(fā)射機(jī)理。制作相應(yīng)材料，測量其發(fā)光特性并與理論計(jì)算結(jié)果比較，進(jìn)一步完善理論模型。在此基礎(chǔ)上，與PDP放電過程模擬計(jì)算相結(jié)合，研究不同材料對PDP放電性能的影響。嘗試尋找一種具有較好的二次電子和外電子發(fā)射性能的新型保護(hù)層材料，從而降低著火電壓和維持電壓，提高放電效率、減小尋址時(shí)間，以滿足高氙、高氣壓、高分辨率PDP的需求，為獲得高質(zhì)量三維顯示效果PDP提供關(guān)鍵材料。以新型超薄SMPDP為載體,理論計(jì)算為依據(jù)，制作不同保護(hù)層材料的超薄SMPDP實(shí)驗(yàn)屏。探索獲得一種高發(fā)光效率、低放電延時(shí)PDP保護(hù)層材料的可能

顯示板是由很多個小的LED燈珠串聯(lián)在一塊PCB電路板下，接上電和控制卡就可以顯示需要顯示的內(nèi)容的一塊板子。

也可以是帶有液晶屏和數(shù)碼管的具有現(xiàn)實(shí)功能的電路板。