ic集成電路特點(diǎn)

集成電路具有體積小，重量輕，引出線和焊接點(diǎn)少，壽命長，可靠性高，性能好等優(yōu)點(diǎn)，同時成本低，便于大規(guī)模生產(chǎn)。用集成電路來裝配電子設(shè)備，其裝配密度比晶體管可提高幾十倍至幾千倍，設(shè)備的穩(wěn)定工作時間也可大大提高。

ic集成電路不僅在工、民用電子設(shè)備如收錄機(jī)、電視機(jī)、計算機(jī)等方面得到廣泛的應(yīng)用，同時在軍事、通訊、遙控等方面也得到廣泛的應(yīng)用。

一、集成電路按其功能、結(jié)構(gòu)的不同，可以分為模擬集成電路、數(shù)字集成電路和數(shù)/?；旌霞呻娐啡箢?。

模擬集成電路又稱線性電路,用來產(chǎn)生、放大和處理各種模擬信號（指幅度隨時間邊疆變化的信號。例如半導(dǎo)體收音機(jī)的音頻信號、錄放機(jī)的磁帶信號等），其輸入信號和輸出信號成比例關(guān)系。

數(shù)字集成電路用來產(chǎn)生、放大和處理各種數(shù)字信號（指在時間上和幅度上離散取值的信號。例如vcd、dvd重放的音頻信號和視頻信號）。

二、按集成度高低不同，可分為小規(guī)模、中規(guī)模、大規(guī)模及超大規(guī)模集成電路四類。

對模擬集成電路，由于工藝要求較高、電路又較復(fù)雜，所以一般認(rèn)為集成50個以下元器件為小規(guī)模集成電路，集成50－100個元器件為中規(guī)模集成電路，集成100個以上的元器件為大規(guī)模集成電路。

對數(shù)字集成電路，一般認(rèn)為集成1～10等效門/片或10～100個元件/片為小規(guī)模集成電路，集成10～100個等效門/片或100～1000元件/片為中規(guī)模集成電路，集成100～10,000個等效門/片或1000～100,000個元件/片為大規(guī)模集成電路，集成10,000以上個等效門/片或100,000以上個元件/片為超大規(guī)模集成電路。

三、按其制作工藝不同，可分為半導(dǎo)體集成電路、膜集成電路和混合集成電路三類。

半導(dǎo)體集成電路是采用半導(dǎo)體工藝技術(shù)，在硅基片上制作包括電阻、電容、三極管、二極管等元器件并具有某種電路功能的集成電路；膜集成電路是在玻璃或陶瓷片等絕緣物體上，以“膜”的形式制作電阻、電容等無源器件。無源元件的數(shù)值范圍可以作得很寬，精度可以作得很高。但技術(shù)水平尚無法用“膜”的形式制作晶體二極管、三極管等有源器件，因而使膜集成電路的應(yīng)用范圍受到很大的限制。在實(shí)際應(yīng)用中，多半是在無源膜電路上外加半導(dǎo)體集成電路或分立元件的二極管、三極管等有源器件，使之構(gòu)成一個整體，這便是混合集成電路。根據(jù)膜的厚薄不同，膜集成電路又分為厚膜集成電路（膜厚為1μm～10μm）和薄膜集成電路（膜厚為1μm以下）兩種。在家電維修和一般性電子制作過程中遇到的主要是半導(dǎo)體集成電路、厚膜電路及少量的混合集成電路。

四、按導(dǎo)電類型不同，分為雙極型集成電路和單極型集成電路兩類。

雙極型集成電路頻率特性好，但功耗較大，而且制作工藝復(fù)雜，絕大多數(shù)模擬集成電路以及數(shù)字集成電路中的ttl、ecl、htl、lsttl、sttl型屬于這一類。

單極型集成電路工作速度低，但輸人阻抗高、功耗小、制作工藝簡單、易于大規(guī)模集成，其主要產(chǎn)品為mos型集成電路。mos電路又分為nmos、pmos、cmos型。

（1）nmos集成電路是在半導(dǎo)體硅片上，以n型溝道m(xù)os器件構(gòu)成的集成電路；參加導(dǎo)電的是電子。

（2）pmos型是在半導(dǎo)體硅片上，以p型溝道m(xù)os器件構(gòu)成的集成電路；參加導(dǎo)電的是空穴。

（3）cmos型是由nmos晶體管和pmos晶體管互補(bǔ)構(gòu)成的集成電路稱為互補(bǔ)型mos集成電路，簡寫成cmos集成電路。

五、按用途可分為電視機(jī)用集成電路、音響用集成電路、影碟機(jī)用集成電路、錄像機(jī)用集成電路、電腦（微機(jī)）用集成電路、電子琴用集成電路、通信用集成電路、照相機(jī)用集成電路、遙控集成電路、語言集成電路、報警器用集成電路及各種專用集成電路。

1.電視機(jī)用集成電路包括行、場掃描集成電路、中放集成電路、伴音集成電路、彩色解碼集成電路、av/tv轉(zhuǎn)換集成電路、開關(guān)電源集成電路、遙控集成電路、麗音解碼集成電路、畫中畫處理集成電路、微處理器（cpu）集成電路、存儲器集成電路等。

2.音響用集成電路包括am/fm高中頻電路、立體聲解碼電路、音頻前置放大電路、音頻運(yùn)算放大集成電路、音頻功率放大集成電路、環(huán)繞聲處理集成電路、電平驅(qū)動集成電路，電子音量控制集成電路、延時混響集成電路、電子開關(guān)集成電路等。

3.影碟機(jī)用集成電路有系統(tǒng)控制集成電路、視頻編碼集成電路、mpeg解碼集成電路、音頻信號處理集成電路、音響效果集成電路、rf信號處理集成電路、數(shù)字信號處理集成電路、伺服集成電路、電動機(jī)驅(qū)動集成電路等。

4.錄像機(jī)用集成電路有系統(tǒng)控制集成電路、伺服集成電路、驅(qū)動集成電路、音頻處理集成電路、視頻處理集成電路。

六、按應(yīng)用領(lǐng)域分可分為標(biāo)準(zhǔn)通用集成電路和專用集成電路。

七、按外形分可分為圓形(金屬外殼晶體管封裝型,一般適合用于大功率)、扁平型(穩(wěn)定性好,體積小)和雙列直插型。

1.世界集成電路的發(fā)展歷史

1947年：貝爾實(shí)驗(yàn)室肖特萊等人發(fā)明了晶體管，這是微電子技術(shù)發(fā)展中第一個里程碑；

1950年：結(jié)型晶體管誕生；

1950年： r ohl和肖特萊發(fā)明了離子注入工藝；

1951年：場效應(yīng)晶體管發(fā)明；

1956年：c s fuller發(fā)明了擴(kuò)散工藝；

1958年：仙童公司robert noyce與德儀公司基爾比間隔數(shù)月分別發(fā)明了集成電路，開創(chuàng)了世界微電子學(xué)的歷史；

1960年：h h loor和e castellani發(fā)明了光刻工藝；

1962年：美國rca公司研制出mos場效應(yīng)晶體管；

1963年：f.m.wanlass和c.t.sah首次提出cmos技術(shù)，今天，95]以上的集成電路芯片都是基于cmos工藝；

1964年：intel摩爾提出摩爾定律，預(yù)測晶體管集成度將會每18個月增加1倍；

1966年：美國rca公司研制出cmos集成電路，并研制出第一塊門陣列（50門）；

1967年：應(yīng)用材料公司（applied materials）成立，現(xiàn)已成為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造公司；

1971年：intel推出1kb動態(tài)隨機(jī)存儲器（dram），標(biāo)志著大規(guī)模集成電路出現(xiàn)；

1971年：全球第一個微處理器4004由intel公司推出，采用的是mos工藝，這是一個里程碑式的發(fā)明；

1974年：rca公司推出第一個cmos微處理器1802；

1976年：16kb dram和4kb sram問世；

1978年：64kb動態(tài)隨機(jī)存儲器誕生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14萬個晶體管，標(biāo)志著超大規(guī)模集成電路（vlsi）時代的來臨；

1979年：intel推出5mhz 8088微處理器，之后，ibm基于8088推出全球第一臺pc；

1981年：256kb dram和64kb cmos sram問世；

1984年：日本宣布推出1mb dram和256kb sram；

1985年：80386微處理器問世，20mhz；

1988年：16m dram問世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500萬個晶體管，標(biāo)志著進(jìn)入超大規(guī)模集成電路（vlsi）階段；

1989年：1mb dram進(jìn)入市場；

1989年：486微處理器推出，25mhz，1μm工藝，后來50mhz芯片采用 0.8μm工藝；

1992年：64m位隨機(jī)存儲器問世；

1993年：66mhz奔騰處理器推出,采用0.6μm工藝；

1995年:pentium pro, 133mhz，采用0.6-0.35μm工藝；

1997年：300mhz奔騰Ⅱ問世,采用0.25μm工藝；

1999年：奔騰Ⅲ問世，450mhz，采用0.25μm工藝，后采用0.18μm工藝；

2000年: 1gb ram投放市場；

2000年：奔騰4問世，1.5ghz，采用0.18μm工藝；

2001年：intel宣布2001年下半年采用0.13μm工藝。

2003年：奔騰4 e系列推出，采用90nm工藝。

2005年：intel 酷睿2系列上市，采用65nm工藝。

2007年：基于全新45納米high-k工藝的intel酷睿2 e7/e8/e9上市。

2009年：intel酷睿i系列全新推出，創(chuàng)紀(jì)錄采用了領(lǐng)先的32納米工藝，并且下一代22納米工藝正在研發(fā)。

2.我國集成電路的發(fā)展歷史

我國集成電路產(chǎn)業(yè)誕生于六十年代，共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段：

1965年-1978年：以計算機(jī)和軍工配套為目標(biāo)，以開發(fā)邏輯電路為主要產(chǎn) 品，初步建立集成電路工業(yè)基礎(chǔ)及相關(guān)設(shè)備、儀器、材料的配套條件；

1978年-1990年：主要引進(jìn)美國二手設(shè)備，改善集成電路裝備水平，在“治散治亂”的同時，以消費(fèi)類整機(jī)作為配套重點(diǎn)，較好地解決了彩電集成電路的國產(chǎn)化；

1990年-2000年：以908工程、909工程為重點(diǎn)，以cad為突破口，抓好科技攻關(guān)和北方科研開發(fā)基地的建設(shè)，為信息產(chǎn)業(yè)服務(wù)，集成電路行業(yè)取得了新的發(fā)展。

1、bga

bga的全稱是ball grid array（球柵陣列結(jié)構(gòu)的pcb），它是集成電路采用有機(jī)載板的一種封裝法。在印刷基板的背面按陳列方式制作出球形凸點(diǎn)用以代替引腳，在印刷基板的正面裝配lsi芯片，然后用模壓樹脂或灌封方法進(jìn)行密封。也稱為凸點(diǎn)陳列載體(pac)。引腳可超過200，是多引腳lsi用的一種封裝。 封裝本體也可做得比qfp(四側(cè)引腳扁平封裝)小。例如，引腳中心距為1.5mm的360引腳bga僅為31mm見方；而引腳中心距為0.5mm的304引腳qfp為40mm見方。而且bga不用擔(dān)心qfp那樣的引腳變形問題。 該封裝是美國motorola公司開發(fā)的，首先在便攜式電話等設(shè)備中被采用，今后在美國有可能在個人計算機(jī)中普及。最初，bga 的引腳(凸點(diǎn))中心距為1.5mm，引腳數(shù)為225。現(xiàn)在也有一些lsi廠家正在開發(fā)500引腳的bga。 bga的問題是回流焊后的外觀檢查?，F(xiàn)在尚不清楚是否有效的外觀檢查方法。有的認(rèn)為，由于焊接的中心距較大，連接可以看作是穩(wěn)定的，只能通過功能檢查來處理。美國motorola公司把用模壓樹脂密封的封裝稱為ompac，而把灌封方法密封的封裝稱為gpac(見ompac和gpac)。

優(yōu)點(diǎn)：①封裝面積減少；②功能加大，引腳數(shù)目增多；③pcb板溶焊時能自我居中，易上錫；④可靠性高；⑤電性能好，整體成本低。

2、bqfp

(quad flat package with bumper)

帶緩沖墊的四側(cè)引腳扁平封裝。qfp封裝之一，在封裝本體的四個角設(shè)置突起(緩沖墊)以防止在運(yùn)送過程中引腳發(fā)生彎曲變形。美國半導(dǎo)體廠家主要在微處理器和asic等電路中采用此封裝。引腳中心距0.635mm，引腳數(shù)從84到196左右(見qfp)。

3、c－

(ceramic)表示陶瓷封裝的記號。例如，cdip 表示的是陶瓷dip。是在實(shí)際中經(jīng)常使用的記號。

4、cerdip

用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝，用于ecl ram，dsp(數(shù)字信號處理器)等電路。帶有玻璃窗口的cerdip 用于紫外線擦除型eprom 以及內(nèi)部帶有eprom的微機(jī)電路等。引腳中心距2.54mm，引腳數(shù)從8到42。在日本，此封裝表示為dip－g(g即玻璃密封的意思)。

5、cerquad

表面貼裝型封裝之一，即用下密封的陶瓷qfp，用于封裝dsp等的邏輯lsi電路。帶有窗口的cerquad用于封裝eprom電路。散熱性比塑料qfp好，在自然空冷條件下可容許1.5～2w的功率。但封裝成本比塑料qfp高3～5倍。引腳中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm等多種規(guī)格。引腳數(shù)從32到368。

帶引腳的陶瓷芯片載體，表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝的四個側(cè)面引出，呈丁字形。 帶有窗口的用于封裝紫外線擦除型eprom 以及帶有eprom的微機(jī)電路等。此封裝也稱為qfj、qfj－g(見qfj)。

6、cob

(chip on board)

板上芯片封裝，是裸芯片貼裝技術(shù)之一，半導(dǎo)體芯片交接貼裝在印刷線路板上，芯片與 基 板的電氣連接用引線縫合方法實(shí)現(xiàn)，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實(shí)現(xiàn)，并用 樹脂覆 蓋以確?？煽啃浴ｋm然cob 是最簡單的裸芯片貼裝技術(shù)，但它的封裝密度遠(yuǎn)不如tab 和 倒片 焊技術(shù)。

7、dfp

(dual flat package)

雙側(cè)引腳扁平封裝。是sop 的別稱(見sop)。以前曾有此稱法，現(xiàn)在已基本上不用。

8、dic

(dual in-line ceramic package)

陶瓷dip(含玻璃密封)的別稱(見dip).

9、dil

(dual in-line)

dip的別稱(見dip)。歐洲半導(dǎo)體廠家多用此名稱。

10、dip

(dual in-line package)

雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側(cè)引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種 。 dip 是最普及的插裝型封裝，應(yīng)用范圍包括標(biāo)準(zhǔn)邏輯ic，存貯器lsi，微機(jī)電路等。 引腳中心距2.54mm，引腳數(shù)從6 到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm 和10.16mm 的封裝分別稱為skinny dip 和slim dip(窄體型dip)。但多數(shù)情況下并不加 區(qū)分， 只簡單地統(tǒng)稱為dip。另外，用低熔點(diǎn)玻璃密封的陶瓷dip 也稱為cerdip(見cerdip)。

11、dso

(dual small out-lint)

雙側(cè)引腳小外形封裝。sop 的別稱(見sop)。部分半導(dǎo)體廠家采用此名稱。

12、dicp (dual tape carrier package)

雙側(cè)引腳帶載封裝。tcp(帶載封裝)之一。引腳制作在絕緣帶上并從封裝兩側(cè)引出。由于利用的是tab(自動帶載焊接)技術(shù)，封裝外形非常薄。常用于液晶顯示驅(qū)動lsi，但多數(shù)為 定制品。另外，0.5mm厚的存儲器lsi簿形封裝正處于開發(fā)階段。在日本，按照eiaj(日本電子機(jī) 械工 業(yè))會標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，將dicp命名為dtp。

13、dip

(dual tape carrier package)

日本電子機(jī)械工業(yè)會標(biāo)準(zhǔn)對dtcp 的命名(見dtcp)。

14、fp

(flat package)

扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。qfp 或sop(見qfp 和sop)的別稱。部分半導(dǎo)體廠家采 用此名稱。

15、flip-chip

倒焊芯片。裸芯片封裝技術(shù)之一，在lsi 芯片的電極區(qū)制作好金屬凸點(diǎn)，然后把金屬凸 點(diǎn) 與印刷基板上的電極區(qū)進(jìn)行壓焊連接。封裝的占有面積基本上與芯片尺寸相同。是所有 封裝技 術(shù)中體積最小、最薄的一種。 但如果基板的熱膨脹系數(shù)與lsi 芯片不同，就會在接合處產(chǎn)生反應(yīng)，從而影響連接的可 靠 性。因此必須用樹脂來加固lsi 芯片，并使用熱膨脹系數(shù)基本相同的基板材料。

16、fqfp

(fine pitch quad flat package)

小引腳中心距qfp。通常指引腳中心距小于0.65mm 的qfp(見qfp)。部分導(dǎo)導(dǎo)體廠家采 用此名稱。

17、cpac

(globe top pad array carrier)

美國motorola 公司對bga 的別稱(見bga)。

18、cqfp

(quad fiat package with guard ring)

帶保護(hù)環(huán)的四側(cè)引腳扁平封裝。塑料qfp 之一，引腳用樹脂保護(hù)環(huán)掩蔽，以防止彎曲變 形。 在把lsi 組裝在印刷基板上之前，從保護(hù)環(huán)處切斷引腳并使其成為海鷗翼狀(l 形狀)。 這種封裝 在美國motorola 公司已批量生產(chǎn)。引腳中心距0.5mm，引腳數(shù)最多為208 左右。

19、h-

(with heat sink)

表示帶散熱器的標(biāo)記。例如，hsop 表示帶散熱器的sop。

20、pin grid array

(surface mount type)

表面貼裝型pga。通常pga 為插裝型封裝，引腳長約3.4mm。表面貼裝型pga 在封裝的 底面有陳列狀的引腳，其長度從1.5mm 到2.0mm。貼裝采用與印刷基板碰焊的方法，因而 也稱 為碰焊pga。因?yàn)橐_中心距只有1.27mm，比插裝型pga 小一半，所以封裝本體可制作得 不 怎么大，而引腳數(shù)比插裝型多(250～528)，是大規(guī)模邏輯lsi 用的封裝。封裝的基材有 多層陶 瓷基板和玻璃環(huán)氧樹脂印刷基數(shù)。以多層陶瓷基材制作封裝已經(jīng)實(shí)用化。

21、jlcc

(j-leaded chip carrier)

j 形引腳芯片載體。指帶窗口clcc 和帶窗口的陶瓷qfj 的別稱(見clcc 和qfj)。部分半 導(dǎo)體廠家采用的名稱。

22、lcc

(leadless chip carrier)

無引腳芯片載體。指陶瓷基板的四個側(cè)面只有電極接觸而無引腳的表面貼裝型封裝。是 高 速和高頻ic 用封裝，也稱為陶瓷qfn 或qfn－c(見qfn)。

23、lga

(land grid array)

觸點(diǎn)陳列封裝。即在底面制作有陣列狀態(tài)坦電極觸點(diǎn)的封裝。裝配時插入插座即可?，F(xiàn) 已 實(shí)用的有227 觸點(diǎn)(1.27mm 中心距)和447 觸點(diǎn)(2.54mm 中心距)的陶瓷lga，應(yīng)用于高速 邏輯 lsi 電路。 lga 與qfp 相比，能夠以比較小的封裝容納更多的輸入輸出引腳。另外，由于引線的阻 抗 小，對于高速lsi 是很適用的。但由于插座制作復(fù)雜，成本高，現(xiàn)在基本上不怎么使用 。預(yù)計 今后對其需求會有所增加。

24、loc

(lead on chip)

芯片上引線封裝。lsi 封裝技術(shù)之一，引線框架的前端處于芯片上方的一種結(jié)構(gòu)，芯片 的 中心附近制作有凸焊點(diǎn)，用引線縫合進(jìn)行電氣連接。與原來把引線框架布置在芯片側(cè)面 附近的 結(jié)構(gòu)相比，在相同大小的封裝中容納的芯片達(dá)1mm 左右寬度。

25、lqfp

(low profile quad flat package)

薄型qfp。指封裝本體厚度為1.4mm 的qfp，是日本電子機(jī)械工業(yè)會根據(jù)制定的新qfp 外形規(guī)格所用的名稱。

26、l－quad

陶瓷qfp 之一。封裝基板用氮化鋁，基導(dǎo)熱率比氧化鋁高7～8 倍，具有較好的散熱性。 封裝的框架用氧化鋁，芯片用灌封法密封，從而抑制了成本。是為邏輯lsi 開發(fā)的一種 封裝， 在自然空冷條件下可容許w3的功率?，F(xiàn)已開發(fā)出了208 引腳(0.5mm 中心距)和160 引腳 (0.65mm 中心距)的lsi 邏輯用封裝，并于1993 年10 月開始投入批量生產(chǎn)。

27、mcm

(multi-chip module)

多芯片組件。將多塊半導(dǎo)體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據(jù)基板材料可 分 為mcm－l，mcm－c 和mcm－d 三大類。 mcm－l 是使用通常的玻璃環(huán)氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高，成本較低 。 mcm－c 是用厚膜技術(shù)形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或玻璃陶瓷)作為基板的組件，與使 用多層陶瓷基板的厚膜混合ic 類似。兩者無明顯差別。布線密度高于mcm－l。

mcm－d 是用薄膜技術(shù)形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或氮化鋁)或si、al 作為基板的組 件。 布線密謀在三種組件中是最高的，但成本也高。

28、mfp

(mini flat package)

小形扁平封裝。塑料sop 或ssop 的別稱(見sop 和ssop)。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。

29、mqfp

(metric quad flat package)

按照jedec(美國聯(lián)合電子設(shè)備委員會)標(biāo)準(zhǔn)對qfp 進(jìn)行的一種分類。指引腳中心距為 0.65mm、本體厚度為3.8mm～2.0mm 的標(biāo)準(zhǔn)qfp(見qfp)。

30、mquad

(metal quad)

美國olin 公司開發(fā)的一種qfp 封裝?；迮c封蓋均采用鋁材，用粘合劑密封。在自然空 冷 條件下可容許2.5w～2.8w 的功率。日本新光電氣工業(yè)公司于1993 年獲得特許開始生產(chǎn) 。

31、msp

(mini square package)

qfi 的別稱(見qfi)，在開發(fā)初期多稱為msp。qfi 是日本電子機(jī)械工業(yè)會規(guī)定的名稱。

32、opmac(over molded pad array carrier)

模壓樹脂密封凸點(diǎn)陳列載體。美國motorola 公司對模壓樹脂密封bga 采用的名稱(見 bga)。

33、p－

(plastic)

表示塑料封裝的記號。如pdip 表示塑料dip。

34、pac

(pad array carrier)

凸點(diǎn)陳列載體，bga 的別稱(見bga)。

35、pclp

(printed circuit board leadless package)

印刷電路板無引線封裝。日本富士通公司對塑料qfn(塑料lcc)采用的名稱(見qfn)。引腳中心距有0.55mm和0.4mm兩種規(guī)格。正處于開發(fā)階段。

36、pfpf

(plastic flat package)

塑料扁平封裝。塑料qfp 的別稱(見qfp)。部分lsi 廠家采用的名稱。

37、pga

(pin grid array)

陳列引腳封裝。插裝型封裝之一，其底面的垂直引腳呈陳列狀排列。封裝基材基本上都采用多層陶瓷基板。在未專門表示出材料名稱的情況下，多數(shù)為陶瓷pga，用于高速大規(guī)模 邏輯 lsi 電路。成本較高。引腳中心距通常為2.54mm，引腳數(shù)從64 到447 左右。了為降低成本，封裝基材可用玻璃環(huán)氧樹脂印刷基板代替。也有64～256引腳的塑料pga。 另外，還有一種引腳中心距為1.27mm 的短引腳表面貼裝型pga(碰焊pga)。(見表面貼裝型pga)。

38、piggy back

馱載封裝。指配有插座的陶瓷封裝，形關(guān)與dip、qfp、qfn相似。在開發(fā)帶有微機(jī)的設(shè)備時用于評價程序確認(rèn)操作。例如，將eprom插入插座進(jìn)行調(diào)試。這種封裝基本上都是定制品，市場上不怎么流通。

39、plcc

(plastic leaded chip carrier)

帶引線的塑料芯片載體。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝的四個側(cè)面引出，呈丁字形 ， 是塑料制品。美國德克薩斯儀器公司首先在64k 位dram 和256kdram 中采用，現(xiàn)在已經(jīng) 普 及用于邏輯lsi、dld(或程邏輯器件)等電路。引腳中心距1.27mm，引腳數(shù)從18 到84。 j 形引腳不易變形，比qfp 容易操作，但焊接后的外觀檢查較為困難。 plcc 與lcc(也稱qfn)相似。以前，兩者的區(qū)別僅在于前者用塑料，后者用陶瓷。但現(xiàn) 在已經(jīng)出現(xiàn)用陶瓷制作的j 形引腳封裝和用塑料制作的無引腳封裝(標(biāo)記為塑料lcc、pc lp、p －lcc 等)，已經(jīng)無法分辨。為此，日本電子機(jī)械工業(yè)會于1988 年決定，把從四側(cè)引出 j 形引 腳的封裝稱為qfj，把在四側(cè)帶有電極凸點(diǎn)的封裝稱為qfn(見qfj 和qfn)。

40、p－lcc

(plastic teadless chip carrier)(plastic leaded chip currier)

有時候是塑料qfj 的別稱，有時候是qfn(塑料lcc)的別稱(見qfj 和qfn)。部分

lsi 廠家用plcc 表示帶引線封裝，用p－lcc 表示無引線封裝，以示區(qū)別。

41、qfh

(quad flat high package)

四側(cè)引腳厚體扁平封裝。塑料qfp 的一種，為了防止封裝本體斷裂，qfp 本體制作得 較厚(見qfp)。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。

42、qfi

(quad flat i-leaded packgac)

四側(cè)i 形引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝四個側(cè)面引出，向下呈i 字 。 也稱為msp(見msp)。貼裝與印刷基板進(jìn)行碰焊連接。由于引腳無突出部分，貼裝占有面 積小 于qfp。 日立制作所為視頻模擬ic 開發(fā)并使用了這種封裝。此外，日本的motorola 公司的pll ic 也采用了此種封裝。引腳中心距1.27mm，引腳數(shù)從18 于68。

43、qfj

(quad flat j-leaded package)

四側(cè)j形引腳扁平封裝。表面貼裝封裝之一。引腳從封裝四個側(cè)面引出，向下呈j字形。是日本電子機(jī)械工業(yè)會規(guī)定的名稱。引腳中心距1.27mm。

材料有塑料和陶瓷兩種。塑料qfj 多數(shù)情況稱為plcc(見plcc)，用于微機(jī)、門陳列、 dram、assp、otp 等電路。引腳數(shù)從18至84。

陶瓷qfj 也稱為clcc、jlcc(見clcc)。帶窗口的封裝用于紫外線擦除型eprom 以及 帶有eprom 的微機(jī)芯片電路。引腳數(shù)從32 至84。

44、qfn

(quad flat non-leaded package)

四側(cè)無引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一?，F(xiàn)在多稱為lcc。qfn是日本電子機(jī)械工業(yè)會規(guī)定的名稱。封裝四側(cè)配置有電極觸點(diǎn)，由于無引腳，貼裝占有面積比qfp小，高度比qfp低。但是，當(dāng)印刷基板與封裝之間產(chǎn)生應(yīng)力時，在電極接觸處就不能得到緩解。因此電極觸點(diǎn)難于作到qfp的引腳那樣多，一般從14到100左右。 材料有陶瓷和塑料兩種。當(dāng)有l(wèi)cc標(biāo)記時基本上都是陶瓷qfn。電極觸點(diǎn)中心距1.27mm。

塑料qfn 是以玻璃環(huán)氧樹脂印刷基板基材的一種低成本封裝。電極觸點(diǎn)中心距除1.27mm 外，還有0.65mm 和0.5mm 兩種。這種封裝也稱為塑料lcc、pclc、p－lcc 等。

45、qfp

(quad flat package)

四側(cè)引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一，引腳從四個側(cè)面引出呈海鷗翼(l)型?；挠?陶 瓷、金屬和塑料三種。從數(shù)量上看，塑料封裝占絕大部分。當(dāng)沒有特別表示出材料時， 多數(shù)情 況為塑料qfp。塑料qfp 是最普及的多引腳lsi 封裝。不僅用于微處理器，門陳列等數(shù)字 邏輯lsi 電路，而且也用于vtr 信號處理、音響信號處理等模擬lsi 電路。引腳中心距 有1.0mm、0.8mm、 0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm 等多種規(guī)格。0.65mm 中心距規(guī)格中最多引腳數(shù)為304。

日本將引腳中心距小于0.65mm 的qfp 稱為qfp(fp)。但現(xiàn)在日本電子機(jī)械工業(yè)會對qfp 的外形規(guī)格進(jìn)行了重新評價。在引腳中心距上不加區(qū)別，而是根據(jù)封裝本體厚度分為 qfp(2.0mm～3.6mm 厚)、lqfp(1.4mm 厚)和tqfp(1.0mm 厚)三種。

另外，有的lsi 廠家把引腳中心距為0.5mm 的qfp 專門稱為收縮型qfp 或sqfp、vqfp。 但有的廠家把引腳中心距為0.65mm 及0.4mm 的qfp 也稱為sqfp，至使名稱稍有一些混亂 。 qfp 的缺點(diǎn)是，當(dāng)引腳中心距小于0.65mm 時，引腳容易彎曲。為了防止引腳變形，現(xiàn)已 出現(xiàn)了幾種改進(jìn)的qfp 品種。如封裝的四個角帶有樹指緩沖墊的bqfp(見bqfp)；帶樹脂 保護(hù) 環(huán)覆蓋引腳前端的gqfp(見gqfp)；在封裝本體里設(shè)置測試凸點(diǎn)、放在防止引腳變形的專 用夾 具里就可進(jìn)行測試的tpqfp(見tpqfp)。 在邏輯lsi 方面，不少開發(fā)品和高可靠品都封裝在多層陶瓷qfp 里。引腳中心距最小為 0.4mm、引腳數(shù)最多為348 的產(chǎn)品也已問世。此外，也有用玻璃密封的陶瓷qfp(見gerqa d)。

46、qfp

(fp)(qfp fine pitch)

小中心距qfp。日本電子機(jī)械工業(yè)會標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的名稱。指引腳中心距為0.55mm、0.4mm 、 0.3mm 等小于0.65mm 的qfp(見qfp)。

47、qic

(quad in-line ceramic package)

陶瓷qfp 的別稱。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱(見qfp、cerquad)。

48、qip

(quad in-line plastic package)

塑料qfp 的別稱。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱(見qfp)。

49、qtcp

(quad tape carrier package)

四側(cè)引腳帶載封裝。tcp 封裝之一，在絕緣帶上形成引腳并從封裝四個側(cè)面引出。是利 用 tab 技術(shù)的薄型封裝(見tab、tcp)。

50、qtp

(quad tape carrier package)

四側(cè)引腳帶載封裝。日本電子機(jī)械工業(yè)會于1993 年4 月對qtcp 所制定的外形規(guī)格所用 的 名稱(見tcp)。

51、quil

(quad in-line)

quip 的別稱(見quip)。

52、quip

(quad in-line package)

四列引腳直插式封裝。引腳從封裝兩個側(cè)面引出，每隔一根交錯向下彎曲成四列。引腳 中 心距1.27mm，當(dāng)插入印刷基板時，插入中心距就變成2.5mm。因此可用于標(biāo)準(zhǔn)印刷線路板 。是 比標(biāo)準(zhǔn)dip 更小的一種封裝。日本電氣公司在臺式計算機(jī)和家電產(chǎn)品等的微機(jī)芯片中采 用了些 種封裝。材料有陶瓷和塑料兩種。引腳數(shù)64。

53、sdip

(shrink dual in-line package)

收縮型dip。插裝型封裝之一，形狀與dip 相同，但引腳中心距(1.778mm)小于dip(2.54 mm)，

因而得此稱呼。引腳數(shù)從14 到90。也有稱為sh－dip 的。材料有陶瓷和塑料兩種。

54、sh－dip

(shrink dual in-line package)

同sdip。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。

55、sil

(single in-line)

sip 的別稱(見sip)。歐洲半導(dǎo)體廠家多采用sil 這個名稱。

56、simm

(single in-line memory module)

單列存貯器組件。只在印刷基板的一個側(cè)面附近配有電極的存貯器組件。通常指插入插 座 的組件。標(biāo)準(zhǔn)simm 有中心距為2.54mm 的30 電極和中心距為1.27mm 的72 電極兩種規(guī)格 。 在印刷基板的單面或雙面裝有用soj 封裝的1 兆位及4 兆位dram 的simm 已經(jīng)在個人 計算機(jī)、工作站等設(shè)備中獲得廣泛應(yīng)用。至少有30～40%的dram 都裝配在simm 里。

57、sip

(single in-line package)

單列直插式封裝。引腳從封裝一個側(cè)面引出，排列成一條直線。當(dāng)裝配到印刷基板上時 封 裝呈側(cè)立狀。引腳中心距通常為2.54mm，引腳數(shù)從2 至23，多數(shù)為定制產(chǎn)品。封裝的形 狀各 異。也有的把形狀與zip 相同的封裝稱為sip。

58、sk－dip

(skinny dual in-line package)

dip 的一種。指寬度為7.62mm、引腳中心距為2.54mm 的窄體dip。通常統(tǒng)稱為dip(見 dip)。

59、sl－dip

(slim dual in-line package)

dip 的一種。指寬度為10.16mm，引腳中心距為2.54mm 的窄體dip。通常統(tǒng)稱為dip。

60、smd

(surface mount devices)

表面貼裝器件。偶而，有的半導(dǎo)體廠家把sop 歸為smd(見sop)。

sop 的別稱。世界上很多半導(dǎo)體廠家都采用此別稱。(見sop)。

61、soi

(small out-line i-leaded package)

i 形引腳小外型封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝雙側(cè)引出向下呈i 字形，中心 距 1.27mm。貼裝占有面積小于sop。日立公司在模擬ic(電機(jī)驅(qū)動用ic)中采用了此封裝。引 腳數(shù) 26。

62、soic

(small out-line integrated circuit)

sop 的別稱(見sop)。國外有許多半導(dǎo)體廠家采用此名稱。

63、soj

(small out-line j-leaded package)

j 形引腳小外型封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝兩側(cè)引出向下呈j 字形，故此 得名。 通常為塑料制品，多數(shù)用于dram 和sram 等存儲器lsi 電路，但絕大部分是dram。用so j 封裝的dram 器件很多都裝配在simm 上。引腳中心距1.27mm，引腳數(shù)從20 至40(見simm )。

64、sql

(small out-line l-leaded package)

按照jedec(美國聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會)標(biāo)準(zhǔn)對sop 所采用的名稱(見sop)。

65、sonf

(small out-line non-fin)

無散熱片的sop。與通常的sop 相同。為了在功率ic 封裝中表示無散熱片的區(qū)別，有意 增添了nf(non-fin)標(biāo)記。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱(見sop)。

66、sop

(small out-line package)

小外形封裝。表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝兩側(cè)引出呈海鷗翼狀(l 字形)。材料有 塑料 和陶瓷兩種。另外也叫sol 和dfp。

sop 除了用于存儲器lsi 外，也廣泛用于規(guī)模不太大的assp 等電路。在輸入輸出端子不 超過10～40 的領(lǐng)域，sop 是普及最廣的表面貼裝封裝。引腳中心距1.27mm，引腳數(shù)從8 ～44。

另外，引腳中心距小于1.27mm 的sop 也稱為ssop；裝配高度不到1.27mm 的sop 也稱為 tsop(見ssop、tsop)。還有一種帶有散熱片的sop。

67、sow

(small outline package(wide-jype))

寬體sop。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。

近幾年，中國集成電路產(chǎn)業(yè)取得了飛速發(fā)展。中國集成電路產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)，即使在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)陷入有史以來程度最嚴(yán)重的低迷階段時，中國集成電路市場仍保持了兩位數(shù)的年增長率，憑借巨大的市場需求、較低的生產(chǎn)成本、豐富的人力資源，以及經(jīng)濟(jì)的穩(wěn)定發(fā)展和寬松的政策環(huán)境等眾多優(yōu)勢條件，以京津唐地區(qū)、長江三角洲地區(qū)和珠江三角洲地區(qū)為代表的產(chǎn)業(yè)基地迅速發(fā)展壯大，制造業(yè)、設(shè)計業(yè)和封裝業(yè)等集成電路產(chǎn)業(yè)各環(huán)節(jié)逐步完善。

2006年中國集成電路市場銷售額為4862.5億元，同比增長27.8]。其中ic設(shè)計業(yè)年銷售額為186.2億元，比2005年增長49.8]。

2007年中國集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模達(dá)到1251.3億元，同比增長24.3]，集成電路市場銷售額為5623.7億元，同比增長18.6]。而計算機(jī)類、消費(fèi)類、網(wǎng)絡(luò)通信類三大領(lǐng)域占中國集成電路市場的88.1]。

中國集成電路產(chǎn)業(yè)已經(jīng)形成了ic設(shè)計、制造、封裝測試三業(yè)及支撐配套業(yè)共同發(fā)展的較為完善的產(chǎn)業(yè)鏈格局，隨著ic設(shè)計和芯片制造行業(yè)的迅猛發(fā)展，國內(nèi)集成電路價值鏈格局繼續(xù)改變，其總體趨勢是設(shè)計業(yè)和芯片制造業(yè)所占比例迅速上升。2100433B

一、不在路檢測

這種方法是在ic未焊入電路時進(jìn)行的，一般情況下可用萬用表測量各引腳對應(yīng)于接地引腳之間的正、反向電阻值，并和完好的ic進(jìn)行 較。

二、在路檢測

這是一種通過萬用表檢測ic各引腳在路（ic在電路中）直流電阻、對地交直流電壓以及總工作電流的檢測方法。這種方法克服了代換試驗(yàn)法需要有可代換ic的局限性和拆卸ic的麻煩，是檢測ic最常用和實(shí)用的方法。

1．直流工作電壓測量

這是一種在通電情況下，用萬用表直流電壓擋對直流供電電壓、外圍元件的工作電壓進(jìn)行測量；檢測ic各引腳對地直流電壓值，并與正常值相較，進(jìn)而壓縮故障范圍，出損壞的元件。測量時要注意以下八點(diǎn)：

(1)萬用表要有足夠大的內(nèi)阻，少要大于被測電路電阻的10倍以上，以免造成較大的測量誤差。

(2)通常把各電位器旋到中間位置，如果是電視機(jī)，信號源要采用標(biāo)準(zhǔn)彩條信號發(fā)生器。

(3)表筆或探頭要采取防滑措施。因任何瞬間短路都容易損壞ic?？刹扇∪缦路椒ǚ乐贡砉P滑動：取一段自行車用氣門芯套在表筆尖上，并長出表筆尖約0.5mm左右，這既能使表筆尖良好地與被測試點(diǎn)接觸，又能有效防止打滑，即使碰上鄰近點(diǎn)也不會短路。

(4)當(dāng)測得某一引腳電壓與正常值不符時，應(yīng)根據(jù)該引腳電壓對ic正常工作有無重要影響以及其他引腳電壓的相應(yīng)變化進(jìn)行分析，能判斷ic的好壞。

(5)ic引腳電壓會受外圍元器件影響。當(dāng)外圍元器件發(fā)生漏電、短路、開路或變值時，或外圍電路連接的是一個阻值可變的電位器，則電位器滑動臂所處的位置不同，都會使引腳電壓發(fā)生變化。

(6)若ic各引腳電壓正常，則一般認(rèn)為ic正常；若ic部分引腳電壓異常，則應(yīng)從偏離正常值最大處入手，檢查外圍元件有無故障，若無故障，則ic很可能損壞。

(7)對于動態(tài)接收裝置，如電視機(jī)，在有無信號時，ic各引腳電壓是不同的。如發(fā)現(xiàn)引腳電壓不該變化的反而變化大，該隨信號大小和可調(diào)元件不同位置而變化的反而不變化，就可確定ic損壞。

(8)對于多種工作方式的裝置，如錄像機(jī)，在不同工作方式下，ic各引腳電壓也是不同的。

2．交流工作電壓測量法

為了掌握ic交流信號的變化情況，可以用帶有db插孔的萬用表對ic的交流工作電壓進(jìn)行近似測量。檢測時萬用表置于交流電壓擋，正表筆插入db插孔；對于無db插孔的萬用表，需要在正表筆串接一只0.1～0.5μf隔直電容。該法適用于工作頻率較低的ic，如電視機(jī)的視頻放大級、場掃描電路等。由于這些電路的固有頻率不同，波形不同，所以所測的數(shù)據(jù)是近似值，只能供參考。

3．總電流測量法

該法是通過檢測ic電源進(jìn)線的總電流，來判ic好壞的一種方法。由于ic內(nèi)部絕大多數(shù)為直接耦合，ic損壞時（如某一個pn結(jié)擊穿或開路）會引起后級飽和與截止，使總電流發(fā)生變化。所以通過測量總電流的方法可以判ic的好壞。也可用測量電源通路中電阻的電壓降，用歐姆定律計算出總電流值。

主營產(chǎn)品類別：二極管、三極管、場效應(yīng)管、單雙向可控硅、達(dá)林頓管、三端穩(wěn)管、光電耦合器、觸發(fā)管、IC集成電路等電子元器件。

代理分銷品牌：ST FSC NXP IR TI ON HIT EIC COSMO、POWER、士蘭微等品牌