中文名 | 鋁碳化硅 | 外文名 | AlSiC |
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應(yīng)用領(lǐng)域 | 航空航天,微波集成電路,功率模塊 | Si含量 | 70wt% |
SiC體積占比 | 50%-75% |
AlSiC研發(fā)較早,理論描述較為完善,有品種率先實(shí)現(xiàn)電子封裝材料的規(guī)模產(chǎn)業(yè)化,滿足半導(dǎo)體芯片集成度沿摩爾定律提高導(dǎo)致芯片發(fā)熱量急劇升高、使用壽命下降以及電子封裝的"輕薄微小"的發(fā)展需求。尤其在航空航天、微波集成電路、功率模塊、軍用射頻系統(tǒng)芯片等封裝分析作用極為凸現(xiàn),成為封裝材料應(yīng)用開發(fā)的重要趨勢?!》庋b金屬基復(fù)合材料的增強(qiáng)體有數(shù)種,SiC是其中應(yīng)用最為廣泛的一種,這是因?yàn)樗哂袃?yōu)良的熱性能,用作顆粒磨料技術(shù)成熟,價(jià)格相對較低;另一方面,顆粒增強(qiáng)體材料具有各向同性,最有利于實(shí)現(xiàn)凈成形。AlSiC特性主要取決于SiC的體積分?jǐn)?shù)(含量)及分布和粒度大小,以及Al合金成份。依據(jù)兩相比例或復(fù)合材料的熱處理狀態(tài),可對材料熱物理與力學(xué)性能進(jìn)行設(shè)計(jì),從而滿足芯片封裝多方面的性能要求。其中,SiC體積分?jǐn)?shù)尤為重要,實(shí)際應(yīng)用時(shí),AlSiC與芯片或陶瓷基體直接接觸,要求CTE盡可能匹配,為此SiC體積百分?jǐn)?shù)vol通常為50%-75%。 此外,AlSiC可將多種電子封裝材料并存集成,用作封裝整體化,發(fā)展其他功能及用途。研制成功將高性能、散熱快的Cu基封裝材料塊(Cu-金剛石、Cu-石墨、Cu-BeO等)嵌入SiC預(yù)制件中,通過金屬Al熔滲制作并存集成的封裝基片。在AlSiC并存集成過程中,可在最需要的部位設(shè)置這些昂貴的快速散熱材料,降低成本,擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模,嵌有快速散熱材料的AlSiC倒裝片系統(tǒng)正在接受測試和評估。另外,還可并存集成48號合金、Kovar和不銹鋼等材料,此類材料或插件、引線、密封環(huán)、基片等,在熔滲之前插入SiC預(yù)成型件內(nèi),在AlSiC復(fù)合成形過程中,經(jīng)濟(jì)地完成并存集成,方便光電器件封裝的激光連接?!〔捎脟娚涑练e技術(shù),制備了內(nèi)部組織均勻、性能優(yōu)良、Si含量高達(dá)70wt%(重量百分率)的高硅鋁合金SiAl封裝材料,高硅鋁合金的CTE與Si、GaAs相匹配,也可用于射頻、微波電路的封裝及航空航天電子系統(tǒng)中,發(fā)展為一種輕質(zhì)金屬封裝材料。
以上信息來源http://www.cecbn.com/infou/htms/article/2007/08/25/200708254125234255967.html
http://www.torreyhillstech.cn/ttc.html
碳化硅反射鏡的特點(diǎn);比較了幾種碳化硅陶瓷材料的制備技術(shù),并分析了其用... 分子中具有同樣數(shù)量的C和Si,容易生成具有化學(xué)計(jì)量比的SiC,因此目前CVD法制備價(jià)格:1200.
碳化硅 SiC >99% 8000元/噸 以上 SiC <98% 3800-4200元/噸價(jià)格近期來不是很穩(wěn)定,買賣都需慎重
最好的棕剛玉硬度是不是比碳化硅硬度會高一些。好的棕剛玉氧化鋁含量能達(dá)到96,所以硬度很高,由于它們的生產(chǎn)原材料不同,所以硬度也有差別,棕剛玉的莫氏硬度9.0.,而碳化硅則可以達(dá)到9.5,所以棕剛玉不能...
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1 燒成鋁碳化硅磚 1、范圍: 1.1 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了燒成鋁碳化硅磚的分類、形狀尺寸、技術(shù) 要求、試驗(yàn)方法、質(zhì)量評定程序、包裝、標(biāo)志、運(yùn)輸、儲存 和質(zhì)量證明書。 1.2 本標(biāo)準(zhǔn)適用于高爐本體、 混鐵爐、 混鐵車、 鐵水罐(包)、 高爐出鐵鉤及建材窯爐等使用的燒成鋁碳化硅磚。 2、分類、形狀及尺寸: 2.1 磚按理化指標(biāo)分為 GLT-8、GLT-10、GLT-13、GLT-16A 和 GLT-16B 五個牌號。其中 G、L、T 分別為高、鋁、碳的 漢語拼音首字母,其后的數(shù)字為碳化硅的質(zhì)量分?jǐn)?shù)。 2.2 磚的形狀及尺寸按用戶圖紙要求或其他設(shè)計(jì)要求。 3、技術(shù)要求: 3.1 磚的理化性能指標(biāo)應(yīng)符合表 1的規(guī)定。 3.2 磚的尺寸允許偏差及外觀應(yīng)符合表 2的規(guī)定。 表 1:磚的理化指標(biāo)。 項(xiàng)目 指標(biāo) 復(fù)驗(yàn)時(shí)單值允許 偏差GLT-8 GLT-10 GLT-13 GLT-16A GLT-16B ω(
鋁碳化硅(AlSiC)是鋁基碳化硅顆粒增強(qiáng)復(fù)合材料的簡稱,它充分結(jié)合了碳化硅陶瓷和金屬鋁的不同優(yōu)勢,具有高導(dǎo)熱性、與芯片相匹配的熱膨脹系數(shù)、密度小、重量輕,以及高硬度和高抗彎強(qiáng)度,是新一代電子封裝材料中的佼佼者。
鋁碳化硅封裝材料滿足了封裝的輕便化、高密度化等要求,適用于航空、航天、高鐵及微波等領(lǐng)域,是解決熱學(xué)管理問題的首選材料,其可為各種微波和微電子以及功率器件、光電器件的封裝與組裝提供所需的熱管理,新材料——鋁碳化硅的應(yīng)用也因此具有很大的市場潛力。
時(shí)代亦可以材料命名
科技發(fā)展的主要方向之一是新材料的研制和應(yīng)用,新材料的研究,是人類對物質(zhì)性質(zhì)認(rèn)識和應(yīng)用向更深層次的進(jìn)軍。
人類社會的發(fā)展也無時(shí)不伴隨著對自然界物質(zhì)的改造與利用,石器時(shí)代伴隨人類度過原始生活,鐵器時(shí)代帶來農(nóng)業(yè)文明,以及后來金、銀、陶瓷在人類生活中的地位都表明,人類發(fā)展史同樣也是一部物質(zhì)材料的發(fā)展史。
“十三五規(guī)劃”就明確就提出構(gòu)建產(chǎn)業(yè)新體系,推動生產(chǎn)方式向柔性、智能、精細(xì)轉(zhuǎn)變,促進(jìn)新一代信息通信技術(shù)、新材料、生物醫(yī)藥及高性能醫(yī)療器械等產(chǎn)業(yè)發(fā)展壯大。
新材料在國防建設(shè)上作用重大。例如,超純硅、砷化鎵研制成功,導(dǎo)致大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路的誕生,使計(jì)算機(jī)運(yùn)算速度從每秒幾十萬次提高到每秒百億次以上;航空發(fā)動機(jī)材料的工作溫度每提高100℃,推力可增大24%;隱身材料能吸收電磁波或降低武器裝備的紅外輻射,使敵方探測系統(tǒng)難以發(fā)現(xiàn)等等。
鋁碳化硅封裝材料的發(fā)展已歷經(jīng)三代
第一代是以塑料、金屬、陶瓷等為主的簡單封裝,主要的用途是將器件封裝在一起,起到包封、支撐、固定、絕緣等作用,這代封裝材料目前主要用于電子產(chǎn)品的封裝。
第二代封裝材料,以可伐(Kovar)合金、鎢銅合金產(chǎn)品為代表,其對于航天、航空、軍工國防及以便攜、袖珍為主要趨勢的當(dāng)代封裝業(yè)來講,有先天的劣勢。
第三代封裝材料即是以鋁碳化硅為代表的產(chǎn)品。鋁碳化硅(AlSiC)是將金屬的高導(dǎo)熱性與陶瓷的低熱膨脹性相結(jié)合,能滿足多功能特性及設(shè)計(jì)要求,具有高導(dǎo)熱、低膨脹、高剛度、低密度、低成本等綜合優(yōu)異性能,是當(dāng)今芯片封裝的最新型材料。目前已大量應(yīng)用到航空航天、新能源汽車、電力火車,微電子封裝等領(lǐng)域。
鋁碳化硅封裝材料具有較大的市場潛力
目前,國內(nèi)生產(chǎn)鋁碳化硅產(chǎn)品的企業(yè)有3家左右,國外企業(yè)有7家左右,美國企業(yè)4家、歐盟企業(yè)1家、日本企業(yè)2家。其中,在國內(nèi)有代理商的有兩家企業(yè)。
從公開資料來看,多數(shù)企業(yè)技術(shù)研發(fā)實(shí)力較強(qiáng)、生產(chǎn)裝備好、產(chǎn)品品種多、技術(shù)先進(jìn),具有各類管殼和平板基片產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn)能力。
日本DENKA化學(xué)株氏會社和美國CPS公司是目前世界上規(guī)模最大的生產(chǎn)鋁碳化硅基板產(chǎn)品的兩家企業(yè)。目前,上述兩家公司占據(jù)了鋁碳化硅行業(yè)絕大部分的市場份額。
鋁碳化硅可實(shí)現(xiàn)低成本的、無須進(jìn)一步加工的凈成形,還能與高散熱材料(金剛石、高熱傳導(dǎo)石墨等)的經(jīng)濟(jì)性并存集成,滿足大批量倒裝芯片封裝、微波電路模塊、光電封裝所需材料的熱穩(wěn)定性及散溫度均勻性要求,同時(shí)也是大功率晶體管、絕緣柵雙極晶體管的優(yōu)選封裝材料,提供良好的熱循環(huán)及可靠性。
業(yè)內(nèi)預(yù)計(jì),未來中國新材料產(chǎn)值增長速度將保持在每年20%以上。到2020年,中國新材料產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模有望達(dá)到數(shù)萬億元。巨大的市場需求為新材料產(chǎn)業(yè)提供了重要的發(fā)展機(jī)遇。
來源:鋁加網(wǎng)
鋁碳化硅IGBT基板
鋁碳化硅(AlSiC)是鋁基碳化硅顆粒增強(qiáng)復(fù)合材料的簡稱,它充分結(jié)合了碳化硅陶瓷和金屬鋁的不同優(yōu)勢,具有高導(dǎo)熱性、與芯片相匹配的熱膨脹系數(shù)、密度小、重量輕,以及高硬度和高抗彎強(qiáng)度,是新一代電子封裝材料中的佼佼者,滿足了封裝的輕便化、高密度化等要求,適于應(yīng)用航空、航天、高鐵及微波等領(lǐng)域,是解決熱學(xué)管理問題的首選材料。
AlSiC7 MIQAM/QB
類別 | 標(biāo)準(zhǔn) | 單位 | ||
A級品 | B級品 | C級品 | ||
熱導(dǎo)率 | >210 | >180 | >150 | W/m.K(25℃) |
密度 | >3.00 | >2.97 | >2.95 | g/cm3 |
膨脹系數(shù) | 7 | 8 | ppm/℃(25℃) | |
氣密性 | <5*10 | atm·cm3/s,He | ||
抗彎強(qiáng)度 | >300 | MPa | ||
電阻率 | 30 | μΩ·cm | ||
彈性模量 | >200 | GPa |
封裝之王進(jìn)入LED應(yīng)用鋁瓷
受熱絕不變形
導(dǎo)熱性勝于金屬
絕無界面熱阻
人類所設(shè)計(jì)的最理想封裝材料
輕:比銅輕三分之二,與鋁相當(dāng)
硬:碰不壞,摔不碎
剛:折不彎,不變形
巧:想做什么樣就做成什么樣
廉:平價(jià)材料,個個用得起
美:外表處理后與金屬無異
無需復(fù)雜設(shè)計(jì)僅要薄薄一片
鋁瓷 MIQAM/QB
類別 | 標(biāo)準(zhǔn) | 單位 | ||
A級品 | B級品 | C級品 | ||
熱導(dǎo)率 | >210 | >180 | >150 | W/m.K(25℃) |
密度 | >3.00 | >2.97 | >2.95 | g/cm3 |
膨脹系數(shù) | 7 | 8 | ppm/℃(25℃) | |
氣密性 | <5*10 | atm·cm3/s,He | ||
抗彎強(qiáng)度 | >300 | MPa | ||
電阻率 | 30 | μΩ·cm | ||
彈性模量 | >200 | GPa |
高鋁碳化硅磚(high alumina silicon carbidebrick)是指以高鋁釩土料和碳化硅為主要原料制成的耐火制品 。