拋光片是將納米級(jí)二氧化硅顆粒與高效粘合劑混合后,均勻地涂覆于聚酯薄膜的表面,經(jīng)干燥和固化反應(yīng)而成。
中文名稱 | 拋光片 | 特點(diǎn) | 由于拋光原始顆粒細(xì)微、粒度尺 |
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使用方法 | 使用時(shí)只需添加純凈水作為拋光 | 性能 | 光纖高度和反射衰減指標(biāo) |
拋光片使用方法
使用時(shí)只需添加純凈水作為拋光介質(zhì)。在拋光過(guò)程中,拋光膜的納米涂層會(huì)逐漸地釋放出拋光顆粒,參與拋光作用,使光纖端面達(dá)到高度光滑。拋光膜可以重復(fù)使用多次,但是根據(jù)拋光機(jī)的類型、拋光條件、拋光質(zhì)量要求的不同,使用次數(shù)也不相同。
1) 確定D1
精磨后的光纖端面沒(méi)有任何異常深劃傷或者缺陷;
2) 徹底清潔研磨機(jī)夾具和橡膠墊等部位,尤其保證橡膠墊表面完好,沒(méi)有異物;
3) 向橡膠墊表面噴灑適量得純凈水,用無(wú)塵紙均勻擦試,當(dāng)表面初干后,馬上把拋光膜貼在上面;
4) 向拋光膜表面均勻噴灑少量的純凈水,用無(wú)塵紙均勻擦試,趕出拋光膜下面的空氣;
5) 用壓縮空氣吹掃拋光膜表面,除去灰塵或者異物;
6) 再向拋光膜表面均勻噴灑適量的純凈水;
7) 輕放連接器夾具,使連接器端面與拋光膜均勻接觸,再施加適當(dāng)壓力,設(shè)定拋光時(shí)間,啟動(dòng)研磨機(jī)開(kāi)始拋光;
8) 研磨機(jī)停止工作后,小心地取下夾具,取出拋光膜,擦干以備再次使用。
由于拋光原始顆粒細(xì)微、粒度尺寸小于可見(jiàn)光的波長(zhǎng),所以均勻地分布后形成外觀透明或半透明的拋光膜。專門為光纖連接器的最終超精密拋光設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)的,使用后連接器端面沒(méi)有任何劃傷或缺陷,光纖高度和反射衰減指標(biāo)均達(dá)到國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。
拋光片就是把一塊鐵板經(jīng)過(guò)打磨等等工藝后最后出來(lái)的東西一些建筑上面用得很多的
大理石拋光片有哪些規(guī)格?拋光片要怎么保養(yǎng)呢?
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評(píng)分: 4.6
MEMS器件、保護(hù)電路、空間太陽(yáng)電池等的制作需要使用硅雙面拋光片,并且要求拋光片的厚度很薄,傳統(tǒng)的硅拋光片加工工藝已經(jīng)不能滿足這一要求。介紹了一種用于超薄硅單晶雙面拋光片加工的拋光工藝方法。通過(guò)對(duì)硅片拋光機(jī)理[1]、拋光方式、拋光工藝的研究和對(duì)拋光工藝試驗(yàn)結(jié)果的分析,解決了超薄硅單晶雙面拋光片在加工過(guò)程中碎片率高、拋光片背面表面質(zhì)量不易控制的技術(shù)難題,研制出了高質(zhì)量的超薄硅單晶雙面拋光片。
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評(píng)分: 4.5
雙層注射模是滿足多品種同模成型的注射模具。該具不僅解決雙層注射的頂出問(wèn)題,并設(shè)置了實(shí)現(xiàn)順序分型的簡(jiǎn)易定距拉緊機(jī)構(gòu),且能實(shí)現(xiàn)流道自動(dòng)脫落。
包括目檢、幾何尺寸檢測(cè)和熱氧化層錯(cuò)檢測(cè)等。目檢是在正面高強(qiáng)度光或大面積散射光照射下目測(cè)拋光片上的原生缺陷和二次缺陷。這些缺陷包括邊緣碎裂、沾污、裂紋、弧坑、鴉爪、波紋、槽、霧、嵌入磨料顆粒、小丘、桔皮、淺坑、劃道、亮點(diǎn)、退刀痕和雜質(zhì)條紋等。幾何尺寸的檢測(cè)包括硅片的厚度、總厚度變化、彎曲度和平整度的檢測(cè)。厚度為硅片中心上、下表面兩個(gè)對(duì)應(yīng)點(diǎn)之間的距離;總厚度變化為同一硅片上厚度最大值與最小值之差;彎曲度為硅片的中線面與參考平面之間距離的最大值與最小值之差;平整度指硅片表面上最高點(diǎn)與最低點(diǎn)的高度差,用總指示讀數(shù)表征。硅片的熱氧化層錯(cuò)檢測(cè)是指硅拋光片表面的機(jī)械損傷、雜質(zhì)沾污和微缺陷等在硅片熱氧化過(guò)程中均會(huì)產(chǎn)生熱氧化層錯(cuò),經(jīng)擇優(yōu)腐蝕后,在金相顯微鏡下觀測(cè)熱氧化層錯(cuò)的密度,以此鑒定硅片表面的質(zhì)量。2100433B
2005年度國(guó)家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)。 2100433B
主要完成人:屠海令、周旗鋼、王 敬、方 峰、萬(wàn)關(guān)良、張果虎、常 青、李鐵柱、劉 斌、戴小林
主要完成單位:北京有色金屬研究總院、有研半導(dǎo)體材料股份有限公司、國(guó)泰半導(dǎo)體材料有限公司