施華洛世奇SLC new 15X56WB

工作原理：折射式

放大倍率：15

產品規(guī)格：15*56mm

變焦類型：定焦

調焦方式：中央調焦

棱鏡系統：屋脊(P鍍膜涂層-消除色散及鬼影)

產品用途：觀鳥、觀景

防水功能：具備充氮防水功能

鍍膜方式：多層SWAROTOP及SWARODURE多層鍍膜， 寬頻及耐磨外層鍍膜

產品體積：215×128×71mm

產品重量：1340g

其他參數：具有充氮防霧效果

創(chuàng)新SWAROBRIGHT干擾鏡

機體: 鋁合金, 外覆特殊橡膠

隨機配件：肩帶及鏡袋

變焦類型：定焦

調焦方式：中央調焦

棱鏡系統：屋脊(P鍍膜涂層-消除色散及鬼影)...

產品用途：觀鳥、觀景

物鏡口徑：56mm

出瞳直徑：3.7mm

出瞳距離：13mm

瞳距調節(jié)：59-72mm

最近焦距：8m

施華洛世奇SLC new 15X56WB詳細參數切換到傳統表格版

物鏡口徑：56mm

出瞳直徑：3.7mm

出瞳距離：13mm

瞳距調節(jié)：59-72mm

最近焦距：8m

實際視場：4.4度

可視角度：64度

屈光度調整： /-5屈光度

黃昏因子：17

視野：77m/1000m

存儲單元分為兩類：SLC（Single-Level Cell 單層單元）和MLC（Multi-Level Cell多層單元）。此外，SLC閃存的優(yōu)點是復寫次數高達100000次，比MLC閃存高10倍。此外，為了保證MLC的壽命，控制芯片都校驗和智能磨損平衡技術算法，使得每個存儲單元的寫入次數可以平均分攤，達到100萬小時故障間隔時間(MTBF)。

對MLC和SLC兩大架構現在網上存在一個普遍的認識誤區(qū)，那就是大家都認為MLC架構的NAND閃存是劣品，只有SLC架構的NAND閃存才能在質 量上有保障。我們先來回憶一下MLC的發(fā)展歷程以及SLC目前的發(fā)展狀況再來給這個假設做定論吧。

MLC技術開始升溫應該說是從2003年2月東芝推出了第一款MLC架構NAND Flash開始，當時作為NAND Flash的主導企業(yè)三星電子對此架構很是不屑，依舊我行我素大力推行SLC架構。第二年也就是2004年4月東芝接續(xù)推出了采用MLC技術的4Gbit和 8Gbit NAND Flash，顯然這對于本來就以容量見長的NAND閃存更是如虎添翼。三星電子長期以來一直倡導SLC架構，聲稱SLC優(yōu)于 MLC，但該公司于2004和2005年發(fā)表的關于MLC技術的ISSCC論文卻初步顯示它的看法發(fā)生了轉變。三星在其網站上仍未提供關于MLC閃存的任 何營銷材料，但此時卻已經開發(fā)出了一款4Gbit的MLC NAND閃存。該產品的裸片面積是156mm2，比東芝的90nm工藝MLC NAND閃存大 了18m㎡。兩家主流NAND閃存廠商在MLC架構上的競爭就從這時開始正式打響了。除了這三星和東芝這兩家外，現在擁有了英特爾MLC技術的IM科技公司更是在工藝和MLC上都希望超越競爭對手，大有后來者居上的沖勁。MLC技術的競爭就這樣如火如荼地進行著。

另一方面我們再來看看SLC技術，存取原理上SLC架構是0和1兩個充電值，即每Cell只能存取1bit數據，有點兒類似于開關電路，雖然簡單但卻 非常穩(wěn)定。如同電腦的CPU部件一樣，要想在一定體積里容納更多的晶體管數，就必須提高生產工藝水平，減小單晶體管體積。目前SLC技術受限于低硅效率問 題，要想大幅度提高制程技術就必須采用更先進的流程強化技術，這就意味著廠商必須更換現有的生產設備，投入大不說而且還是個無底洞。而MLC架構可以一次 儲存4個以上的充電值，因此擁有比較好的存儲密度，再加上可利用現有的生產設備來提高產品容量，廠商即享有生產成本上的優(yōu)勢同時產品良率又得到了保證，自然比SLC架構更受歡迎。

既然MLC架構技術上更加先進，同時又具備成本和良率等優(yōu)勢，那為什么遲遲得不到用戶的認同呢。除了認識上的誤區(qū)外，MLC架構NAND Flash 確實存在著讓使用者難以容忍的缺點，但這都只是暫時的。為了讓大家能更直觀清楚地認識這兩種架構的優(yōu)缺點，我們來做一下技術參數上的對比。

首先是存取次數。MLC架構理論上只能承受約1萬次的數據寫入，而SLC架構可承受約10萬次，是MLC的10倍。這其中也存在一個誤區(qū)，網上很多媒體都有寫MLC和SLC知識普及的文章，筆者一一拜讀過，可以說內容不夠嚴謹，多數都是你抄我我抄你，相互抄來抄去，連錯誤之處也都完全相同，對網友很不負責。就拿存取次數來說吧，這個1萬次指的是數據寫入次數，而非數據寫入加讀取的總次數。數據讀取次數的多寡對閃存壽命有一定影響，但絕非像寫入那樣嚴重，這個壽命值正隨著MLC技術的不斷發(fā)展和完善而改變著。MLC技術并非一家廠商壟斷，像東芝（Toshiba）已生產了好幾代MLC架構NAND閃存，包括前不久宣布和美國SanDisk公司共同開發(fā)的采用最先進56nm工藝的16Gb（2gigabyte）和 8Gb（1gigabyte）MLC NAND閃存，16Gb是單芯片的業(yè)內最大容量。

東芝在MLC閃存設計方面擁有經驗與技術，去年東芝利用90nm工藝與三星的73nm產品競爭。東芝90nm MLC閃存的位密度達 29 Mbits/ mm2，超過了三星的73nm閃存（位密度為25.8 Mbits/mm2）。對于給定的存儲密度，東芝閃存的裸片面積也比三星的要小。例如東芝的4-Gbit 90nm NAND裸片面積是138 mm2，而三星的4-Gbit 73nm NAND裸片面積是156 mm2，這使東 芝在成本方面更具競爭力。三星方面現在正奮起直追，與東芝之間的競爭異常激烈。再加上IMFT、海力士等廠商的參與，MLC技術發(fā)展勢頭迅猛，今天 MLC NAND Flash寫壽命還只有1萬次，明天也許就會是2萬次、3萬次甚至達到與SLC同等級別的10萬次，這是完全有可能的。

拿MLC NAND Flash的寫壽命我們一起來算筆帳，假如近期筆者購買了一款2GB容量MP3播放器，閃存是東芝產的MLC架構 NAND Flash，理論上只能承受約1萬次數據寫入。筆者是個瘋狂的音樂愛好者，每天都要更新一遍閃存里的歌曲文件，這樣下來一年要執(zhí)行365次數據寫入，1萬次可夠折騰至少27年的，去除7年零頭作為數據讀取對閃存壽命的損耗，這款MP3播放器如果其它部件不出問題筆者就可以正常使用至少20年。 20年對于一款電子產品有著怎樣的意義？就算筆者戀舊，也不可能20年就用一款MP3播放器吧。況且就算是SLC架構，閃存里的數據保存期限最多也只有 10年，1萬次的數據寫入壽命其實一點兒也不少。

其次是讀取和寫入速度。這里仍存在認識上的誤區(qū)，所有閃存芯片讀取、寫入或擦除數據都是在閃存控制芯片下完成的，閃存控制芯片的速度決定了閃存里數據 的讀取、擦除或是重新寫入的速度?？赡苣銜矛F成的例子來辯駁，為什么在同樣的控制芯片、同樣的外圍電路下SLC速度比MLC快。首先就MLC架構目前與 之搭配的控制技術來講這點筆者并不否認，但如果認清其中的原因你就不會再說SLC在速度方面存在優(yōu)勢了。SLC技術被開發(fā)的年頭遠早于MLC技術，與之相 匹配的控制芯片技術上已經非常成熟，筆者評測過的SLC產品數據寫入速度最快能達到9664KB/s（ KISS KS900），讀取速度最快能達到13138KB/s（ mobiBLU DAH-1700）， 而同樣在高速USB2.0接口協議下寫入速度最慢的還不足1500KB/s，讀取速度最慢的也沒有超過2000KB/s。都是SLC閃存芯片，都是高速 USB2.0接口協議，為什么差別會如此大。筆者請教了一位業(yè)內資深設計師，得到的答案是閃存控制芯片效能低，且與閃存之間的兼容性不好，這類產品不僅速 度慢而且在數據操作時出錯的概率也大。這個問題在MLC閃存剛投入市場時同樣也困擾著MLC技術的發(fā)展，好在去年12月我們終于看到了曙光。這就是擎泰科技（Skymedi Corporation）為我們帶來的新一代高速USB2.0控制芯片SK6281及SD 2.0/MMC 4.2的combo快閃 記憶卡控制芯片SK6621，在MLC NAND閃存的支持與速度效能上皆有良好表現。其所支持的MLC芯片已經達到了Class4的傳輸速度。

MLC NAND Flash自身技術的原因，只有控制芯片效能夠強時才能支持和彌補其速度上的缺點，支持MLC制程的控制芯片需要較嚴格的標準，以充分發(fā)揮NAND閃存芯片的性能。擎泰科技所推出的系列控制芯片經過長時間可靠性測試及針對不同裝置兼容性進行的比對較正，已能支持目前市場主流的MLC 閃存，如英特爾JS29F16G08CAMB1、JS29F08G08AAMB1，三星K9G4G08U0A、K9G8G08U0M、 K9LAG08U0M、K9HBG08U1M，東芝TC58NVG2D4CTG00、TC58NVG3D4CTG00、TH58NVG4D4CTG00， 美光（Micron）、海力士（Hynix）等等。此外，藉由良好的韌體設計，可大幅提升性能，達到最高的存取速度，例如：SK6621支持MLC可到 Class4水準，其所支持SLC皆可支持到Class6的傳輸速度。SK6281還達到了Vista ReadyBoost速度的需求 （Enhanced for Windows ReadyBoost），且支持單顆MLC時可達22MB/s的讀取速度及6MB/s的寫入速度，綜合下來 并不比SLC慢多少。你手上的MP3播放器USB傳輸速度慢并不全是因為閃存芯片采用了MLC架構，它與控制芯片的關系要更加密切一些。

第三是功耗。SLC架構由于每Cell僅存放1bit數據，故只有高和低2種電平狀態(tài)，使用1.8V的電壓就可以驅動。而MLC架構每Cell需要存 放多個bit，即電平至少要被分為4檔（存放2bit），所以需要有3.3V及以上的電壓才能驅動。最近傳來好消息，英特爾新推出的65納米MLC寫入速 度較以前產品提升了二倍，而工作電壓僅為1.8V，并且憑借低功耗和深層關機模式，其電池使用時間也得到了延長。

第四是出錯率。在一次讀寫中SLC只有0或1兩種狀態(tài)，這種技術能提供快速的程序編程與讀取，簡單點說每Cell就像我們日常生活中使用的開關一樣， 只有開和關兩種狀態(tài)，非常穩(wěn)定，就算其中一個Cell損壞，對整體的性能也不會有影響。在一次讀寫中MLC有四種狀態(tài)（以每Cell存取2bit為例）， 這就意味著MLC存儲時要更精確地控制每個存儲單元的充電電壓，讀寫時就需要更長的充電時間來保證數據的可靠性。它已經不再是簡單的開關電路，而是要控制 四種不同的狀態(tài)，這在產品的出錯率方面和穩(wěn)定性方面有較大要求，而且一旦出現錯誤，就會導致2倍及以上的數據損壞，所以MLC對制造工藝和控制芯片有著更 高的要求。目前一些MP3主控制芯片已經采用了硬件4bit ECC校驗，這樣就可以使MLC的出錯率和對機器性能的影響減小到最低。

第五是制造成本。為什么硬盤容量在成倍增大的同時生產成本卻能保持不變，簡單點說就是在同樣面積的盤片上存儲更多的數據，也就是所謂的存儲密度增大 了。MLC技術與之非常類似，原來每Cell僅存放1bit數據，而現在每Cell能存放2bit甚至更多數據，這些都是在存儲體體積不增大的前提下實現的，所以相同容量大小的MLC NAND Flash制造成本要遠低于SLC NAND Flash。

綜上所述，MLC技術是今后NAND Flash的發(fā)展趨勢，就像CPU單核心、雙核心、四核心一樣，MLC技術通過每Cell存儲更多的bit來實 現容量上的成倍跨越，直至更先進的架構問世。而SLC短期內仍然會是市場的佼佼者，但隨著MLC技術的不斷發(fā)展和完善，SLC必將退出歷史的舞臺。

SLC(信令鏈路編碼)

某個方向上的信令鏈路一般都編成一個組，叫信令鏈路組。這條信令鏈路在這個組中的號碼就是SLC。SLC號是做數據的時候工程人員定義的。

“SLC特訓系統”是中國校園健康行動學生健康安全教育辦公室秘書長梁鐘聯合眾多教育、軍事、救援和培訓專家為中國青少年特制的一套科學有效的訓練系統，也是京都特訓營的核心教程。主要通過“生存”、“勵志”和“超越”三個方面的素質教育和科學培訓，幫助受訓對象樹立正確的人生觀，掌握生存技能，激發(fā)成才動力，構建和諧健康的親子關系、師生關系和人際關系，讓青少年在珍愛生命健康成長的基礎上勵志成才，最終實現超越自我超越夢想的目標。

SLC MLC課程簡介

“生存”課程

“生存” ，是一切的前提。當前，由于社會發(fā)展、環(huán)境改變等諸多因素影響，我國學生的綜合素質現狀不容樂觀。數據顯示：我國每年約有1.6萬名中小學生非正常死亡，平均每天有40多名學生死于食物中毒、溺水、交通事故等意外事件；環(huán)境變化引起自然災害頻發(fā)，社會因素引起的校園暴力事件頻發(fā)；特別是近幾年來一些重大災害和事故中，學生傷亡慘重！而且一些隱藏在學生日常生活中的人生觀、價值觀扭曲，心理健康問題和各種安全隱患問題凸顯！這些血的教訓警示我們：加強青少年的自護自救教育和生存技能培訓已經刻不容緩！

SLC MLC“勵志”課程

“勵志”，是一門學問，不僅僅是要激活一個人的財富欲望，更要激活一個人的生命能量，喚醒一個民族的創(chuàng)造熱情。勵志，并不是讓弱者取代另一個人成為強者，而是讓一個弱者能與強者比肩，擁有實力相當的生命力和創(chuàng)造力。勵志，即是喚醒一個人的內在潛能。惟有從內心深處展開的力量，用心靈體驗總結出的精華，才是一個人真正獲得尊嚴和自信的有效途徑。

SLC MLC“超越”課程

“超越”，是從劣勢向優(yōu)勢轉化的臨界狀態(tài)，從量變到質變的微妙平衡點。超越，就是認識自我，敢于挑戰(zhàn)自我，戰(zhàn)勝自我，超越自我，超越他人而走向成功的過程。超越是指一個人能夠突破自身的局限性及時空的限制，與時俱進的正確認識客觀規(guī)律，掌握規(guī)律，并在正確判斷事物發(fā)展趨勢后做出科學的決策的一種思維方式。超越是一個很高的境界，只有能實現自我超越的人，才能在改造主觀世界的同時改造客觀世界，才能在為社會造福的同時實現自我的夢想和價值。

SLC MLC課程原則

以人為本

因材施訓

寓教于樂

激發(fā)潛能

Software Licens Code 軟件許可碼，即軟件注冊碼和授權機制。2100433B