太陽能面板

性質(zhì):灰色金屬光澤。密度2.32~2.34。熔點1410℃。沸點2355℃。溶于氫氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和鹽酸。硬度介于鍺和石英之間，室溫下質(zhì)脆，切割時易碎裂。加熱至800℃以上即有延性，1300℃時顯出明顯變形。常溫下不活潑，高溫下與氧、氮、硫等反應(yīng)。高溫熔融狀態(tài)下，具有較大的化學(xué)活潑性，能與幾乎任何材料作用。具有半導(dǎo)體性質(zhì)，是極為重要的優(yōu)良半導(dǎo)體材料，但微量的雜質(zhì)即可大大影響其導(dǎo)電性。電子工業(yè)中廣泛用于制造半導(dǎo)體收音機、錄音機、電冰箱、彩電、錄像機、電子計算機等的基礎(chǔ)材料。由干燥硅粉與干燥氯化氫氣體在一定條件下氯化，再經(jīng)冷凝、精餾、還原而得。

多晶硅是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下凝固時，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結(jié)合起來，就結(jié)晶成多晶硅 作為全球最大的生產(chǎn)基地之一，中國出產(chǎn)的太陽能電池和面板占全球總產(chǎn)量的30%以上。

據(jù)中國工業(yè)和信息化產(chǎn)業(yè)部統(tǒng)計，自2002年以來，中國國內(nèi)光伏產(chǎn)業(yè)的年平均增長率超過100%。2008年的總產(chǎn)能超過2000兆瓦。

中國光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展與全球同步，從1998年到2008年10年間，全球太陽能產(chǎn)業(yè)的年復(fù)合增長率是35%。2008年，太陽能電池的總產(chǎn)出達到5456兆瓦、面板的總產(chǎn)出達6791兆瓦。盡管需求下滑，但估計到2009年底，總產(chǎn)能仍將增長56%。

盡管中國國內(nèi)的太陽能面板業(yè)務(wù)在增長，但中國的市場仍然很小。

盡管中國市場規(guī)模不大，但各公司都在努力拓展在中國的業(yè)務(wù)，中國政府的補貼和對使用自然能源的力推助長了這一趨勢。例如，金太陽(Golden Sun)計劃承諾將對建造太陽能發(fā)電場所需的開支，給予高達70%的補貼;到2012年，太陽能發(fā)電場的總?cè)萘恐辽龠_500兆瓦。

薄膜或非晶硅PV產(chǎn)品占一小部分，它的轉(zhuǎn)換效率相對較低，只有6到8%。只有包括尚德電力和天威保變在內(nèi)的約20家廠商在開發(fā)這種產(chǎn)品。單晶硅是三者中技術(shù)最成熟的。其轉(zhuǎn)換效率在實驗室和商品中分別可達25%和15到18%。而各種多晶硅技術(shù)的實驗室和商品的光伏轉(zhuǎn)換效率分別為21%和13到16%。

無論哪種電池和面板類型，研發(fā)的重心都是提高能源轉(zhuǎn)化效率。

太陽能級晶圓成本占晶硅類光伏電池和面板生產(chǎn)總成本的75到85%。

中國有大約60家太陽能電池制造商，它們擁有總計4GW的年產(chǎn)能和2GW的實際產(chǎn)出。中國的面板供應(yīng)商超過300家，年產(chǎn)能超過5GW，但實際產(chǎn)出只有3GW。

對晶硅太陽能電池來說，所涉及的生產(chǎn)工藝包括:晶圓分揀和測試、清洗、蝕刻、擴散到PECVD(等離子體增強化學(xué)氣相沉積設(shè)備)、絲網(wǎng)印刷和燒結(jié)。典型的面板生產(chǎn)工藝包括:太陽能電池分選、單個電池和電池組的焊接、層壓、固合，成型和測試。

中國產(chǎn)品通常帶有CE、IEC、TüV和RoHS等認證。約20家企業(yè)提供薄膜太陽能電池。

特別是江蘇省占中國整個光伏產(chǎn)品產(chǎn)出的70%。而珠江三角洲地區(qū)的制造商更傾向于開發(fā)諸如太陽能燈具和充電器等應(yīng)用。

硅的單晶體。具有基本完整的點陣結(jié)構(gòu)的晶體。不同的方向具有不同的性質(zhì)，是一種良好的半導(dǎo)材料。純度要求達到99.9999%，甚至達到99.9999999%以上。用于制造半導(dǎo)體器件、太陽能電池等。用高純度的多晶硅在單晶爐內(nèi)拉制而成。

熔融的單質(zhì)硅在凝固時硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結(jié)合起來便結(jié)晶成單晶硅。單晶硅具有準金屬的物理性質(zhì)，有較弱的導(dǎo)電性，其電導(dǎo)率隨溫度的升高而增加，有顯著的半導(dǎo)電性。超純的單晶硅是本征半導(dǎo)體。在超純單晶硅中摻入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其導(dǎo)電的程度，而形成p型硅半導(dǎo)體;如摻入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高導(dǎo)電程度，形成n型硅半導(dǎo)體。單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無定形硅，然后用直拉法或懸浮區(qū)熔法從熔體中生長出棒狀單晶硅。單晶硅主要用于制作半導(dǎo)體元件。

用途: 是制造半導(dǎo)體硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶體管、二極管、開關(guān)器件等

單晶硅是一種比較活潑的非金屬元素，是晶體材料的重要組成部分，處于新材料發(fā)展的前沿。其主要用途是用作半導(dǎo)體材料和利用太陽能光伏發(fā)電、供熱等。由于太陽能具有清潔、環(huán)保、方便等諸多優(yōu)勢，近三十年來，太陽能利用技術(shù)在研究開發(fā)、商業(yè)化生產(chǎn)、市場開拓方面都獲得了長足發(fā)展，成為世界快速、穩(wěn)定發(fā)展的新興產(chǎn)業(yè)之一。

這種太陽能面板寬度和長度都是10厘米，厚度不到1厘米，重量只有20克。

暴露在陽光下四至五個小時就足以提供讓電子書閱讀器運行一整天的電源，且效率達到了9.6%。并擁有很長的電池壽命，