無(wú)熔絲電容器原理
任何固體絕緣介質(zhì)都具有空隙,裂紋或?qū)щ娦噪s質(zhì)等局部質(zhì)量缺陷,形成了所謂"電弱點(diǎn)",在運(yùn)行中電弱點(diǎn)介質(zhì)加速老化, 造成元件擊穿.人們用內(nèi)熔絲或外熔絲技術(shù)及時(shí)切斷擊穿元件或擊穿的電容器單元,使整臺(tái)電容器和整個(gè)電容器組繼續(xù)保持正 常運(yùn)行,這是多年來(lái)的傳統(tǒng)做法.當(dāng)電容器單元采用全膜介質(zhì)后,人們發(fā)現(xiàn),介質(zhì)的擊穿會(huì)使兩極板在擊穿點(diǎn)形成牢固的熔接, 就象是介質(zhì)薄膜已從極板間抽出一樣,見(jiàn)圖.于是,這一特性就構(gòu)成了無(wú)熔絲電容器的基本工作原理。
(1)首先是在電容器單元和電容器組中,既不裝有內(nèi)熔絲,也不裝有外熔絲.
(2)為盡量降低一個(gè)元件擊穿所引起的其他完好元件上的過(guò)電壓,并減少整個(gè)電容器組的電容變化,電容器單元之間應(yīng)為"先 串后并"的連接方式.
(3)電容器單元內(nèi)部元件的連接方式有兩種:"先并后串"和"先串后并"
美國(guó)在20世紀(jì)80年代初開(kāi)始廣泛采用全膜介質(zhì)電容器后,發(fā)現(xiàn)介質(zhì)擊穿后兩極板能良好地熔焊在一起,在此基礎(chǔ)上研究和開(kāi) 發(fā)出無(wú)熔絲電容器組.首先在 138kV 電容器組的一相上試驗(yàn)性地安裝了 50.4Mvar 的無(wú)熔絲電容器,單元容量為 300kvar.取得經(jīng)驗(yàn)后,于 1989 年10月,世界上第一套無(wú)熔絲電容器組(額定電壓 115kV,中性點(diǎn)不接地運(yùn)行)在美國(guó)佐治亞州投入商業(yè)運(yùn)行,以其結(jié)構(gòu)緊湊,外形美觀,運(yùn)行可靠為人們所稱(chēng)贊,隨后開(kāi)始大量推廣應(yīng)用.目前在美國(guó),無(wú)熔絲電容器組為 廣大用戶所青睞,在市場(chǎng)上占有主導(dǎo)地位.在歐洲和世界其他地區(qū),無(wú)熔絲電容器也有大量應(yīng)用,就連以內(nèi)熔絲技術(shù)著稱(chēng)的 ABB公司也生產(chǎn)無(wú)熔絲電容器.所不同的是,美國(guó)的無(wú)熔絲電容器是指在電容器組中單元之間的連接為先串聯(lián)后并聯(lián),即所謂"先 串后并",電容器單元內(nèi)部元件連接和外熔絲電容器相同,是"先并后串",而 ABB的無(wú)熔絲電容器不僅單元之間"先串 后并",而且電容器單元內(nèi)部元件也是"先串后并",
自愈式電容器采用單層聚丙烯膜做為介質(zhì),表面蒸鍍了一層薄金屬作為導(dǎo)電電極。當(dāng)施加過(guò)高的電壓時(shí),聚丙烯膜電弱點(diǎn)被擊穿,擊穿點(diǎn)阻抗明顯降低,流過(guò)的電流密度急劇增大,使金屬化鍍層產(chǎn)生高熱,擊穿點(diǎn)周?chē)慕饘賹?dǎo)體...
陶瓷電容的原理,用高介電常數(shù)的電容器陶瓷〈鈦酸鋇一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤(pán)作為介質(zhì),并用燒滲法將銀鍍?cè)谔沾缮献鳛殡姌O制成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。具有小的正電容溫度系數(shù)的電容器,用于高穩(wěn)定...
只有超級(jí)電容才能儲(chǔ)能。超級(jí)電容的特點(diǎn) 超級(jí)電容的容量比通常的電容器大得多。由于其容量很大,對(duì)外表現(xiàn)和電池相同,因此也有稱(chēng)作“電容電池”。 超級(jí)電容屬于雙電層電容器,它是世界上已投入量產(chǎn)的雙電層...
無(wú)熔絲電容器接線
無(wú)熔絲電容器組的接線有如下圖兩種方式,可根據(jù)具體情況適當(dāng)選用.表1給出了若干計(jì)算舉例,包括元件擊穿后引起的 完好元件過(guò)電壓,完好電容器單元過(guò)電壓及故障相電容的變化,計(jì)算中假定相電壓不變.從表1可以看出,接線方式對(duì)完好元 件和完好單元的過(guò)電壓有很大影響,使用中應(yīng)特別注意對(duì)電容器單元內(nèi)部和電容器組接線方式的選擇.
無(wú)熔絲電容器能隔離故障元件,使電容器在容量?jī)H發(fā)生微小變化的條件下保持正常運(yùn)行,能達(dá)到內(nèi)熔絲電容器或外熔絲電容 器所具有的保護(hù)作用.相比之下,無(wú)熔絲電容器尚具有如下優(yōu)點(diǎn):
(1)和內(nèi)熔絲電容器或外熔絲電容器相比,無(wú)熔絲電容器單元和內(nèi)部元件并聯(lián)儲(chǔ)能較小,元件擊穿時(shí)不易損傷臨近元件或?qū)そ^緣(須知,元件故障若造成對(duì)殼主絕緣的擊穿,其后果是非常嚴(yán)重的),有利于防止故障的擴(kuò)大或外殼爆炸.
(2)和外熔絲電容器相比,裝置結(jié)構(gòu)緊湊,節(jié)省安裝空間.設(shè)備簡(jiǎn)化,使運(yùn)行故障率降低.
(3)因不存在內(nèi)熔絲和外熔絲上的損耗,所以無(wú)熔絲電容器的整體損耗較低.
(4)和內(nèi)熔絲電容器相比,成本較低,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,有利于減少制造質(zhì)量缺陷;元件容量大,數(shù)量少,生產(chǎn)效率較高.
(1)使用于系統(tǒng)電壓等級(jí)較高的場(chǎng)合,以35kV為界.美國(guó)GE公司介紹,無(wú)熔絲電容器適用的下限電壓為 34.5kV,電壓越高 優(yōu)越性越明顯,例如 330kV電容器組的電容器單元為16串,單元內(nèi)元件7串,每相共 112 串,一個(gè)元件(即一個(gè)串聯(lián)段)擊穿 引起的過(guò)電壓不到 1%.ABB 公司也認(rèn)為無(wú)熔絲電容器適用的電壓為 34.5kV 以上.
(2)電容器組的容量限制:主張以內(nèi)熔絲電容器為主的 BB公司認(rèn)為,無(wú)熔絲電容器僅適用于電壓高,容量小的場(chǎng)合.美國(guó) 認(rèn)為無(wú)熔絲電容器的應(yīng)用在整組容量上沒(méi)有限制.
(3)電容器單元參數(shù)限制:研究認(rèn)為,應(yīng)限制流過(guò)元件擊穿點(diǎn)(即每分支)的電流不超過(guò)60A.這就對(duì)電容器單元的電壓和容 美國(guó)GE公司經(jīng)驗(yàn), 元件介質(zhì)厚度以25~30m(重量作出了限制. 對(duì)于內(nèi)部有元件分支的電容器單元, 額定電壓應(yīng)在10kV以上. 量法)或 28~34m(千分尺法)為宜.
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評(píng)分: 4.7
對(duì)目前電容器內(nèi)熔絲提出了兩點(diǎn)個(gè)人看法。一是電容器內(nèi)熔絲設(shè)計(jì)的邊界能量過(guò)于簡(jiǎn)單,僅僅采用單一的液化能量,筆者認(rèn)為不足以滿足內(nèi)熔絲各種工況要求;二是電容器內(nèi)熔絲設(shè)計(jì)應(yīng)當(dāng)考慮電容器外部并聯(lián)數(shù)的影響,外部并聯(lián)的電容器單元在內(nèi)熔絲熔斷時(shí)也對(duì)內(nèi)熔絲放電,放電能量不容忽視。
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評(píng)分: 4.6
探討高壓內(nèi)熔絲全膜并聯(lián)電容器性能的提高問(wèn)題,并與無(wú)熔絲電容器進(jìn)行了對(duì)比,認(rèn)為內(nèi)熔絲的設(shè)計(jì)只滿足于現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)要求是不夠的。為了優(yōu)化熔絲設(shè)計(jì),必須進(jìn)一步研究?jī)?nèi)熔絲在嚴(yán)酷條件下的熔斷過(guò)程,控制好限流特性并降低故障過(guò)電壓。同時(shí),文章還分析了無(wú)功補(bǔ)償裝置中電容器不恰當(dāng)?shù)嘏溆脟娭鹗饺蹟嗥魇菍?dǎo)致群爆故障發(fā)生的主要原因。