一種變壓器及其制作方法和芯片發(fā)明內(nèi)容

一種變壓器及其制作方法和芯片專利目的

《一種變壓器及其制作方法和芯片》實(shí)施例提供一種變壓器及其制作方法和芯片，能夠使變壓器具有高的Q值，而且結(jié)構(gòu)尺寸小。

一種變壓器及其制作方法和芯片技術(shù)方案

《一種變壓器及其制作方法和芯片》實(shí)施例的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：

一種變壓器的制作方法，所述變壓器包括初級線圈、次級線圈、第一初級調(diào)諧電容和第一次級調(diào)諧電容，所述方法包括：

將所述第一初級調(diào)諧電容和/或所述第一次級調(diào)諧電容排布在所述初級線圈和所述次級線圈所圍成的區(qū)域中；其中所述第一初級調(diào)諧電容包括一個(gè)以上的第二初級調(diào)諧電容，所述第一次級調(diào)諧電容包括一個(gè)以上的第二次級調(diào)諧電容；并聯(lián)連接一個(gè)以上的所述第二初級調(diào)諧電容，和并聯(lián)連接一個(gè)以上的所述第二次級調(diào)諧電容；一個(gè)以上的所述第二初級調(diào)諧電容及其連線、和/或一個(gè)以上的所述第二次級調(diào)諧電容及其之間的連線構(gòu)成一個(gè)局部屏蔽網(wǎng)絡(luò)或一個(gè)局部屏蔽網(wǎng)絡(luò)的其中一部分。

優(yōu)選地，所述將所述第一初級調(diào)諧電容和/或所述第一次級調(diào)諧電容排布在所述初級線圈和所述次級線圈所圍成的區(qū)域中，包括：

將所有的或部分的一個(gè)以上的所述第二初級調(diào)諧電容和/或一個(gè)以上的所述第二次級調(diào)諧電容排布在所述初級線圈和所述次級線圈所圍成的空白區(qū)域中或所述空白區(qū)域的正下方。

優(yōu)選地，所述變壓器包括片上無源變壓器或片上變壓器式巴倫。

優(yōu)選地，所述一個(gè)以上的所述第二初級調(diào)諧電容的電容值完全相等或不完全相等；

和/或，所述一個(gè)以上的所述第二次級調(diào)諧電容的電容值完全相等或不完全相等。

優(yōu)選地，所述方法還包括：

所述初級線圈和所述次級線圈采用同層金屬對稱互繞在同一塊襯底上，且金屬線之間交叉的地方采用上層金屬或下層金屬過渡。

一種變壓器，所述變壓器包括：初級線圈、次級線圈、第一初級調(diào)諧電容和第一次級調(diào)諧電容；其中，所述第一初級調(diào)諧電容包括并聯(lián)連接的一個(gè)以上的第二初級調(diào)諧電容，所述第一次級調(diào)諧電容包括并聯(lián)連接的一個(gè)以上的第二次級調(diào)諧電容；

所述第一初級調(diào)諧電容和/或所述第一次級調(diào)諧電容排布在所述初級線圈和所述次級線圈所圍成的區(qū)域中；且一個(gè)以上的所述第二初級調(diào)諧電容及其之間的連線、和/或一個(gè)以上的所述第二次級調(diào)諧電容及其之間的連線構(gòu)成一個(gè)局部屏蔽網(wǎng)絡(luò)或一個(gè)局部屏蔽網(wǎng)絡(luò)的其中一部分。

優(yōu)選地，所述初級線圈和所述次級線圈采用同層金屬對稱互繞在同一塊襯底上，且金屬線之間交叉的地方采用上層金屬或下層金屬過渡。

優(yōu)選地，所有的或部分的所述第二初級調(diào)諧電容、和/或所有的或部分的所述第二次級調(diào)諧電容排布在所述初級線圈和所述次級線圈所圍成的空白區(qū)域或所述空白區(qū)域的正下方的正下方。

優(yōu)選地，所述一個(gè)以上的所述第二初級調(diào)諧電容的電容值完全相等或不完全相等；

和/或，所述一個(gè)以上的所述第二次級調(diào)諧電容的電容值完全相等或不完全相等。

一種芯片，所述芯片包括上述任一項(xiàng)所述的變壓器。

一種變壓器及其制作方法和芯片改善效果

《一種變壓器及其制作方法和芯片》實(shí)施例一種變壓器及其制作方法和芯片，將所述第一初級調(diào)諧電容和/或所述第一次級調(diào)諧電容排布在所述初級線圈和所述次級線圈所圍成的區(qū)域中；其中所述第一初級調(diào)諧電容包括一個(gè)以上的第二初級調(diào)諧電容，所述第一次級調(diào)諧電容包括一個(gè)以上的第二次級調(diào)諧電容；并聯(lián)連接一個(gè)以上的所述第二初級調(diào)諧電容，和并聯(lián)連接一個(gè)以上的所述第二次級調(diào)諧電容；一個(gè)以上的所述第二初級調(diào)諧電容及其連線、和/或一個(gè)以上的所述第二次級調(diào)諧電容及其之間的連線構(gòu)成一個(gè)局部屏蔽網(wǎng)絡(luò)或一個(gè)局部屏蔽網(wǎng)絡(luò)的其中一部分；如此，能夠使變壓器具有高的Q值，而且結(jié)構(gòu)尺寸小。

由于差分電路對電磁干擾、電源噪聲和地噪聲具有良好的免疫作用，以及對偶次諧波良好的抑制性能，差分結(jié)構(gòu)的電路在射頻電路中使用越來越普遍，如低噪聲放大器、混頻器和功率放大器。射頻通信系統(tǒng)中，天線發(fā)送和接收的信號都是單端信號，因此變壓器或者變壓器式巴倫（balun，balanced to unbalanced）作為單端信號與差分信號相互轉(zhuǎn)換的模塊是現(xiàn)今射頻電路系統(tǒng)中不可或缺的。在接收機(jī)中，變壓器將天線接收到的單端信號轉(zhuǎn)換為差分信號，然后傳輸給差分結(jié)構(gòu)的低噪聲放大器進(jìn)行放大；在發(fā)射機(jī)中，變壓器將差分結(jié)構(gòu)功率放大器輸出的差分信號轉(zhuǎn)換為單端信號，然后傳輸給天線進(jìn)行發(fā)射。從芯片成本以及面積等方面考慮，通常將變壓器和接收發(fā)送模塊集成在同一塊芯片上。

片上變壓器作為無源功率傳輸模塊，其最重要性能之一是插入損耗。當(dāng)變壓器作為單端與差分信號轉(zhuǎn)換模塊位于接收機(jī)低噪放的前端時(shí)，變壓器的插入損耗等同于噪聲系數(shù)。如果變壓器的插入損耗過大，則整個(gè)接收機(jī)的靈敏度會大大的降低。當(dāng)變壓器作為差分與單端信號轉(zhuǎn)換模塊位于發(fā)射機(jī)的前端時(shí)，變壓器的插入損耗等同于發(fā)射信號的功率損耗。如需滿足發(fā)射信號的功率要求，則插入損耗越小越好。

變壓器的插入損耗主要由三個(gè)方面來決定：線圈之間的耦合系數(shù)、線圈電感的品質(zhì)因子（Q值）和輸入輸出回波損耗。其中耦合系數(shù)可通過優(yōu)化變壓器線圈的繞線方式來得到大幅度的改善，如采用疊層結(jié)構(gòu)已可使耦合系數(shù)達(dá)到0.9以上；輸入輸出回波損耗可通過調(diào)諧電容和優(yōu)化線圈的匝數(shù)比來改善。在現(xiàn)今的工藝條件下影響變壓器的插入損耗性能最為嚴(yán)重的是線圈電感的品質(zhì)因子。

影響片上繞線電感品質(zhì)因子的因素有很多，其中之一是電感的渦流損耗。渦流是電感的磁場在導(dǎo)體上所生成的感應(yīng)環(huán)形電流，如襯底、金屬導(dǎo)線和元器件上的感應(yīng)環(huán)形電流。一般來說導(dǎo)體離變壓器線圈的距離越近，引入的渦流損耗越嚴(yán)重。為了減小導(dǎo)體對變壓器線圈自感品質(zhì)因子的影響，2013年前大部分芯片上金屬導(dǎo)線和元器件離線圈一般都較遠(yuǎn)，所以變壓器以及其周圍空白區(qū)域在芯片上所占據(jù)的面積比較的大，整個(gè)芯片面積的利用率較低。

多模多帶系統(tǒng)是當(dāng)今移動通信系統(tǒng)發(fā)展的趨勢，不同頻帶的發(fā)送和接收模塊共用一根或者幾根天線，每一個(gè)頻帶的發(fā)送和接收模塊必然對應(yīng)有一個(gè)變壓器。從現(xiàn)今的工藝條件以及芯片的成本等多方面考慮，片上變壓器的面積不宜過大，其面積通常保持在400微米*400微米以下，因此變壓器線圈的自感值比較小。當(dāng)變壓器工作在低頻帶范圍時(shí)，如工作在幾百兆赫茲頻帶，其輸入輸出端口需分別并聯(lián)一個(gè)大的調(diào)諧電容才能使整個(gè)變壓器諧振在低頻工作頻帶。

另外，如果每個(gè)頻帶的接收或者發(fā)送模塊都對應(yīng)一個(gè)變壓器巴倫，則整個(gè)芯片的面積會非常的大，從而使芯片的成本大大的增加。為了減少變壓器在芯片上的使用個(gè)數(shù)，現(xiàn)今常采用的方法是在變壓器的輸入端和輸出端分別并聯(lián)調(diào)諧電容，通過改變調(diào)諧電容的值可使同一個(gè)變壓器工作在不同的頻帶，從而實(shí)現(xiàn)同一個(gè)變壓器在不同頻帶的復(fù)用。

總的來說，多模多帶系統(tǒng)中變壓器和調(diào)諧電容所占據(jù)的芯片面積非常的大，且變壓器的線圈電感Q值較??；因此為了減小變壓器及其調(diào)諧電容所占的芯片面積，以及提高變壓器線圈電感的Q值，必須采用一些方法使這兩者都得到改善。

圖1為相關(guān)技術(shù)中LC諧振電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為《一種變壓器及其制作方法和芯片》實(shí)施例變壓器的制作方法的實(shí)現(xiàn)流程示意圖；

圖3-1為相關(guān)技術(shù)中匝數(shù)比為1:2的四端口變壓器電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3-2為《一種變壓器及其制作方法和芯片》實(shí)施例圖3-1的版圖實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4-1為相關(guān)技術(shù)中匝數(shù)比為1:2的四端口頻率可調(diào)的變壓器式巴倫電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4-2為《一種變壓器及其制作方法和芯片》實(shí)施例圖4-1的一種版圖實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4-3是圖4-2中局部屏蔽網(wǎng)絡(luò)去除調(diào)諧電容后的金屬互連線的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)示意圖。

《一種變壓器及其制作方法和芯片》涉及無線通信系統(tǒng)的接收和發(fā)射技術(shù)，尤其涉及一種變壓器及其制作方法和芯片。

1.一種變壓器的制作方法，其特征在于，所述變壓器包括初級線圈、次級線圈、第一初級調(diào)諧電容和第一次級調(diào)諧電容，所述方法包括：將所述第一初級調(diào)諧電容和/或所述第一次級調(diào)諧電容排布在所述初級線圈和所述次級線圈所圍成的區(qū)域中；其中所述第一初級調(diào)諧電容包括一個(gè)以上的第二初級調(diào)諧電容，所述第一次級調(diào)諧電容包括一個(gè)以上的第二次級調(diào)諧電容；并聯(lián)連接一個(gè)以上的所述第二初級調(diào)諧電容，和并聯(lián)連接一個(gè)以上的所述第二次級調(diào)諧電容；一個(gè)以上的所述第二初級調(diào)諧電容及其連線、和/或一個(gè)以上的所述第二次級調(diào)諧電容及其之間的連線構(gòu)成一個(gè)局部屏蔽網(wǎng)絡(luò)或一個(gè)局部屏蔽網(wǎng)絡(luò)的其中一部分。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述將所述第一初級調(diào)諧電容和/或所述第一次級調(diào)諧電容排布在所述初級線圈和所述次級線圈所圍成的區(qū)域中，包括：將所有的或部分的一個(gè)以上的所述第二初級調(diào)諧電容和/或一個(gè)以上的所述第二次級調(diào)諧電容排布在所述初級線圈和所述次級線圈所圍成的空白區(qū)域中或所述空白區(qū)域的正下方。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述變壓器包括片上無源變壓器或片上變壓器式巴倫。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述一個(gè)以上的所述第二初級調(diào)諧電容的電容值完全相等或不完全相等；和/或，所述一個(gè)以上的所述第二次級調(diào)諧電容的電容值完全相等或不完全相等。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：所述初級線圈和所述次級線圈采用同層金屬對稱互繞在同一塊襯底上，且金屬線之間交叉的地方采用上層金屬或下層金屬過渡。

6.一種變壓器，其特征在于，所述變壓器包括：初級線圈、次級線圈、第一初級調(diào)諧電容和第一次級調(diào)諧電容；其中，所述第一初級調(diào)諧電容包括并聯(lián)連接的一個(gè)以上的第二初級調(diào)諧電容，所述第一次級調(diào)諧電容包括并聯(lián)連接的一個(gè)以上的第二次級調(diào)諧電容；所述第一初級調(diào)諧電容和/或所述第一次級調(diào)諧電容排布在所述初級線圈和所述次級線圈所圍成的區(qū)域中；且一個(gè)以上的所述第二初級調(diào)諧電容及其之間的連線、和/或一個(gè)以上的所述第二次級調(diào)諧電容及其之間的連線構(gòu)成一個(gè)局部屏蔽網(wǎng)絡(luò)或一個(gè)局部屏蔽網(wǎng)絡(luò)的其中一部分。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的變壓器，其特征在于，所述初級線圈和所述次級線圈采用同層金屬對稱互繞在同一塊襯底上，且金屬線之間交叉的地方采用上層金屬或下層金屬過渡。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的變壓器，其特征在于，所有的或部分的所述第二初級調(diào)諧電容、和/或所有的或部分的所述第二次級調(diào)諧電容排布在所述初級線圈和所述次級線圈所圍成的空白區(qū)域或所述空白區(qū)域的正下方的正下方。

9.根據(jù)權(quán)利要求6至8任一項(xiàng)所述的變壓器，其特征在于，所述一個(gè)以上的所述第二初級調(diào)諧電容的電容值完全相等或不完全相等；和/或，所述一個(gè)以上的所述第二次級調(diào)諧電容的電容值完全相等或不完全相等。

10.一種芯片，其特征在于，所述芯片包括權(quán)利要求6至9任一項(xiàng)所述的變壓器。

一種變壓器及其制作方法和芯片操作內(nèi)容

《一種變壓器及其制作方法和芯片》實(shí)施例一種變壓器及其制作方法和芯片，是基于變壓器LC諧振電路結(jié)構(gòu)來提高變壓器的Q值的；其中LC諧振電路如圖1所示，它由一個(gè)電感101和一個(gè)電容102并聯(lián)構(gòu)成。由電磁感應(yīng)現(xiàn)象可知，當(dāng)導(dǎo)體處于變化的磁場中時(shí)，導(dǎo)體中會產(chǎn)生感應(yīng)渦流電流。渦流電流所引起的損耗與導(dǎo)體垂直于磁力線的面積成正比，即導(dǎo)體面積越小在電磁場中生成感應(yīng)渦流損耗越?。粨Q句話說，如將一塊大導(dǎo)體分成N等分，則分解后導(dǎo)體中的總渦流損耗將是未分解前的1/N倍。

基于此，《一種變壓器及其制作方法和芯片》實(shí)施例提供的變壓器的制作方法是：將集成在同一塊襯底上的變壓器LC諧振結(jié)構(gòu)中的第一調(diào)諧電容采用許多面積相對較小的第二調(diào)諧電容來代替，然后將這些第二調(diào)諧電容放置在初級線圈和次級線圈所圍成的中心空白區(qū)域或所述空白區(qū)域的正下方，并使第二調(diào)諧電容以及它們之間的連線構(gòu)成一個(gè)局部屏蔽網(wǎng)絡(luò)或一個(gè)局部屏蔽網(wǎng)絡(luò)的一部分。其中，第一調(diào)諧電容包括第一初級調(diào)諧電容和第一次級調(diào)諧電容，對應(yīng)地，第二調(diào)諧電容包括第二初級調(diào)諧電容和第二次級調(diào)諧電容，所述第一初級調(diào)諧電容與所述初級線圈構(gòu)成LC諧振電路，所述第一次級調(diào)諧電容與所述次級線圈構(gòu)成LC諧振電路。《一種變壓器及其制作方法和芯片》實(shí)施例基于此來提高變壓器的Q值，因?yàn)樵撈帘尉W(wǎng)絡(luò)自身的渦流損耗非常小，且可減小襯底的渦流損耗，從而可達(dá)到提高電感的Q值和減小LC諧振網(wǎng)絡(luò)面積的雙重目的。

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對《一種變壓器及其制作方法和芯片》的技術(shù)方案進(jìn)一步詳細(xì)闡述。

圖2為《一種變壓器及其制作方法和芯片》實(shí)施例變壓器的制作方法的實(shí)現(xiàn)流程示意圖，所述變壓器包括初級線圈、次級線圈、第一初級調(diào)諧電容和第一次級調(diào)諧電容；如圖2所示，所述變壓器的制作方法包括：

步驟201，將所述第一初級調(diào)諧電容和/或所述第一次級調(diào)諧電容排布在所述初級線圈和所述次級線圈所圍成的區(qū)域中；這里，所述第一初級調(diào)諧電容包括一個(gè)以上的第二初級調(diào)諧電容，所述第一次級調(diào)諧電容包括一個(gè)以上的第二次級調(diào)諧電容；這里，所述第一初級調(diào)諧電容與所述初級線圈構(gòu)成LC諧振電路，所述第一次級調(diào)諧電容與所述初次級線圈分別構(gòu)成LC諧振電路；這里，所述將所述第一初級調(diào)諧電容和/或所述第一次級調(diào)諧電容排布在所述初級線圈和所述次級線圈所圍成的區(qū)域中，包括：將所有的或部分的一個(gè)以上的所述第二初級調(diào)諧電容和/或一個(gè)以上的所述第二次級調(diào)諧電容排布在所述初級線圈和所述次級線圈所圍成的空白區(qū)域中或所述空白區(qū)域的正下方。

具體包括：將所有的或部分的一個(gè)以上的所述第二初級調(diào)諧電容排布在所述初級線圈和所述次級線圈所圍成的空白區(qū)域中或所述空白區(qū)域的正下方；及，將所有的或部分的一個(gè)以上的所述第二次級調(diào)諧電容排布在所述初級線圈和所述次級線圈所圍成的空白區(qū)域中或所述空白區(qū)域的正下方；及，將所有的或部分的一個(gè)以上的所述第二初級調(diào)諧電容和一個(gè)以上的所述第二次級調(diào)諧電容排布在所述初級線圈和所述次級線圈所圍成的空白區(qū)域中或所述空白區(qū)域的正下方。

步驟202，并聯(lián)連接一個(gè)以上的所述第二初級調(diào)諧電容，和并聯(lián)連接一個(gè)以上的第二次級調(diào)諧電容；一個(gè)以上的所述第二初級調(diào)諧電容及其連線、和/或一個(gè)以上的所述第二次級調(diào)諧電容及其之間的連線構(gòu)成一個(gè)局部屏蔽網(wǎng)絡(luò)或一個(gè)局部屏蔽網(wǎng)絡(luò)的其中一部分。

一般對于片上繞線電感、變壓器和巴倫來說，襯底渦流損耗是制約其繞線電感Q值的影響因子之一。為了減小襯底渦流損耗對線圈電感Q值的影響，最常用的方法是在線圈和襯底之間放置一層電阻率較大的條形狀屏蔽層。《一種變壓器及其制作方法和芯片》實(shí)施例中的局部屏蔽網(wǎng)絡(luò)，是指屏蔽層并不是覆蓋在整個(gè)線圈的下面，而只是在線圈中心空白區(qū)域的正下方放置有屏蔽層。《一種變壓器及其制作方法和芯片》實(shí)施例中所述局部屏蔽網(wǎng)絡(luò)的好處可以大幅度的減小了線圈與屏蔽層之間的寄生電容，從而使線圈的Q值和自諧振頻率得到了較大的提高，所述線圈包括初級線圈和次級線圈。該領(lǐng)域的技術(shù)人員可以根據(jù)各種2013年之前的技術(shù)來實(shí)現(xiàn)《一種變壓器及其制作方法和芯片》實(shí)施例中的局部屏蔽網(wǎng)絡(luò)，這里不再贅述。

《一種變壓器及其制作方法和芯片》實(shí)施例中，所述一個(gè)以上的所述第二初級調(diào)諧電容的電容值可以完全相等或不完全相等；和/或，所述一個(gè)以上的所述第二次級調(diào)諧電容的電容值可以完全相等或不完全相等。在具體實(shí)施的過程中，電容可以以面積的大小來表示電容值的大小，因此，一個(gè)以上的所述第二初級調(diào)諧電容和/或一個(gè)以上的所述第二次級調(diào)諧電容的面積可以完全相等或者可以不完全相等；

《一種變壓器及其制作方法和芯片》實(shí)施例中，所述方法還包括：所述初級線圈和所述次級線圈采用同層金屬對稱互繞在同一塊襯底上，且金屬線之間交叉的地方采用上層金屬或下層金屬過渡。

《一種變壓器及其制作方法和芯片》實(shí)施例提供的變壓器的制作方法，不局限地應(yīng)用于任何帶調(diào)諧電容的片上無源變壓器中，而且還可以應(yīng)用于任何帶調(diào)諧電容的片上變壓器式的巴倫中。這里，所述片上無源變壓器和變壓器式的巴倫的形狀以及結(jié)構(gòu)可以是任意的，只要存在初級線圈和次級線圈所圍的中心空白區(qū)域，都可以將調(diào)諧電容屏蔽網(wǎng)絡(luò)放置在所述空白區(qū)域中或所述空白區(qū)域的正下方。

基于上述的變壓器的制作方法，《一種變壓器及其制作方法和芯片》實(shí)施例還提供一種變壓器，所述變壓器包括：初級線圈、次級線圈、第一初級調(diào)諧電容和第一次級調(diào)諧電容；其中，所述第一初級調(diào)諧電容包括并聯(lián)連接的一個(gè)以上的第二初級調(diào)諧電容，所述第一次級調(diào)諧電容包括并聯(lián)連接的一個(gè)以上的第二次級調(diào)諧電容；

所述第一初級調(diào)諧電容和/或所述第一次級調(diào)諧電容排布在所述初級線圈和所述次級線圈所圍成的區(qū)域中；且一個(gè)以上的所述第二初級調(diào)諧電容及其之間的連線、和/或一個(gè)以上的所述第二次級調(diào)諧電容及其之間的連線構(gòu)成一個(gè)局部屏蔽網(wǎng)絡(luò)或一個(gè)局部屏蔽網(wǎng)絡(luò)的其中一部分。

這里，所述初級線圈和所述次級線圈采用同層金屬對稱互繞在同一塊襯底上，且金屬線之間交叉的地方采用上層金屬或下層金屬過渡；這里，所述第一初級調(diào)諧電容和/或所述第一次級調(diào)諧電容排布在所述初級線圈和所述次級線圈所圍成的區(qū)域中，具體包括：所有的或部分的所述第二初級調(diào)諧電容、和/或所有的或部分的所述第二次級調(diào)諧電容排布在在所述初級線圈和所述次級線圈所圍成的空白區(qū)域或所述空白區(qū)域的正下方的正下方。這里，所述一個(gè)以上的所述第二初級調(diào)諧電容的電容值完全相等或不完全相等；和/或，所述一個(gè)以上的所述第二次級調(diào)諧電容的電容值完全相等或不完全相等。

基于上述的變壓器，《一種變壓器及其制作方法和芯片》實(shí)施例還提供一種芯片，所述芯片包括通過如圖2所示的變壓器的制作方法制作的所述的變壓器。

一種變壓器及其制作方法和芯片實(shí)施案例

實(shí)施例一

圖3-1為相關(guān)技術(shù)中匝數(shù)比為1:2的四端口變壓器電路的結(jié)構(gòu)示意圖，該四端口電路由匝數(shù)比為1:2的初級電感301和次級電感302互相耦合構(gòu)成，且初級電感301并聯(lián)第一初級調(diào)諧電容303，次級電感302并聯(lián)第一次級調(diào)諧電容304。

圖3-2為《一種變壓器及其制作方法和芯片》實(shí)施例圖3-1的版圖實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)示意圖，如圖3-2所示，初級線圈301和次級線圈302采用同層金屬對稱互繞在同一塊襯底上，金屬線之間交叉的地方采用上層金屬或下層金屬305過渡。第一初級調(diào)諧電容303和第一次級調(diào)諧電容304設(shè)置在所述初級線圈301和所述次級線圈302所圍成的中心空白區(qū)域下方；其中，第一初級調(diào)諧電容303和第一次級調(diào)諧電容304都由許多面積較小的小電容并聯(lián)構(gòu)成，小電容作為第二初級調(diào)諧電容和第二次級調(diào)諧電容。每一個(gè)小電容以及它們之間的連線形成了一張鋪滿初級線圈301和次級線圈302中心區(qū)域下方的局部屏蔽網(wǎng)絡(luò)，從而使襯底渦流損耗減小。另外，由于每一個(gè)小電容的面積相對于中心空白區(qū)域非常的小，所以整個(gè)調(diào)諧電容網(wǎng)絡(luò)的渦流損耗非常小，從而變壓器的初級線圈301和次級線圈302的電感Q值得到提高。

實(shí)施例二

圖4-1為相關(guān)技術(shù)中匝數(shù)比為1:2的四端口頻率可調(diào)變壓器式巴倫電路的結(jié)構(gòu)示意圖；該變壓器式巴倫電路由一個(gè)初級線圈401和一個(gè)次級線圈402互相耦合而成，初級線圈401與次級線圈402的匝數(shù)比為1:2。次級線圈402并聯(lián)的一個(gè)第一次級調(diào)諧電容404，而初級線圈401并聯(lián)四個(gè)第一初級調(diào)諧電容403其中各個(gè)第一初級調(diào)諧電容403的電容值可以相同，也可以不同，且每一個(gè)第一初級調(diào)諧電容403串聯(lián)一個(gè)開關(guān)405，通過控制開關(guān)405的開與關(guān)可改變初級線圈401并聯(lián)的調(diào)諧電容值。

圖4-2為《一種變壓器及其制作方法和芯片》實(shí)施例圖4-1的一種版圖實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)示意圖，如圖4-2所示，初級線圈401與次級線圈402的匝數(shù)比為1:2，采用同層金屬對稱互繞在同一塊襯底上，金屬線之間交叉的地方用上層或下層金屬406過渡。初級線圈401的四個(gè)第一初級調(diào)諧電容403設(shè)置在初級線圈401和次級線圈402所圍成的中心空白區(qū)域下方。每個(gè)第一初級調(diào)諧電容403由許多個(gè)小面積的小電容并聯(lián)構(gòu)成，小電容作為第二初級調(diào)諧電容，且所有的小電容的上極板連接到雙十字局部屏蔽網(wǎng)絡(luò)407上。四個(gè)第一初級調(diào)諧電容403的下極板分別連接在一起，然后通過一條與初級線圈401和次級線圈402金屬線垂直的下層金屬導(dǎo)線408連接到變壓器外部的開關(guān)。每個(gè)第一次級調(diào)諧電容404也可以由許多個(gè)小面積的小電容并聯(lián)構(gòu)成，只是排布位置不是排布在所述初級線圈401和次級線圈402所圍成的中心空白區(qū)域下方。

需要說明的是，各第一次級調(diào)諧電容404也可以排布在初級線圈401和次級線圈402所圍成的中心空白區(qū)域；在具體實(shí)施例的過程，主要考慮該中心空白區(qū)域的面積能不能排布下各第一次級調(diào)諧電容404；基于此，圖4-2只是圖4-1所示的可調(diào)變壓器式巴倫電路的一種版圖實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)示意圖，該領(lǐng)域的技術(shù)人員基于上述的描述，可以對圖4-2所示的版圖實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)示意圖有適當(dāng)變化。

圖4-3是圖4-2中局部屏蔽網(wǎng)絡(luò)去除調(diào)諧電容后的金屬互連線的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)示意圖，如圖4-3所示，該網(wǎng)絡(luò)中的金屬線沒形成任何形狀的環(huán)形回路，因此線與線之間沒有渦流回路通過。另外，金屬互連線屏蔽網(wǎng)絡(luò)中只有有限的幾條金屬線垂直通過金屬線圈的下面，所以線圈與屏蔽網(wǎng)絡(luò)之間的寄生電容非常小，變壓器線圈電感的自諧振頻率幾乎不變。

2020年7月14日，《一種變壓器及其制作方法和芯片》獲得第二十一屆中國專利獎優(yōu)秀獎。

《一種高容量鎳氫電池及其制作方法》涉及電池，尤其涉及一種高容量鎳氫電池及其制作方法。

《一種防輻射干粉砂漿及其制作方法》屬于建筑材料領(lǐng)域，具體涉及一種防輻射干粉砂漿及其制作方法。