轉(zhuǎn)移特性曲線JFET和耗盡型MOSFET的轉(zhuǎn)移特性曲線

轉(zhuǎn)移特性曲線用來描述vDS取一定值時(shí)，iD與vGS間的關(guān)系的曲線，即

它反映了柵源電壓vGS對(duì)iD的控制作用。

由于轉(zhuǎn)移特性和輸出特性都是用來描述vGS、vDS及iD間的關(guān)系的，所以轉(zhuǎn)移特性曲線可以根據(jù)輸出特性曲線繪出。作法如下:在圖XX_01所示的輸出特性中作一條vDS=10V的垂線，將此垂線與各條輸出特性曲線的交點(diǎn)A、B和C所對(duì)應(yīng)的iD、vGS的值轉(zhuǎn)移到iD-vGS直角坐標(biāo)系中，即可得到轉(zhuǎn)移特性曲線 ，如圖XX_02(a)所示。

圖XX_0 改變vDS的大小，可得到一族轉(zhuǎn)移特性曲線，如圖XX_02(b)所示。由此圖可以看出，當(dāng)vDS≥|vp|(圖中為vDS≥5V)后，不同vDS下的轉(zhuǎn)移特性曲線幾乎重合，這是因?yàn)樵陲柡蛥^(qū)內(nèi)iD幾乎不隨vDS而變。因此可用一條轉(zhuǎn)移特性曲線來表示飽和區(qū)中iD與vGS的關(guān)系。在飽和區(qū)內(nèi)iD可近似地表示為 (VP<vGS≤0) (5.1.1)

式中IDSS為vGS=0，vDS≥|vp|時(shí)的漏極電流，稱為飽和漏極電流。

1. 夾斷電壓VP。當(dāng)vDS為某一固定值(例如10V)，使iD等于某一微小電流(例如50mA)時(shí)，柵源極間所加的電壓即夾斷電壓。

2. 飽和漏極電流IDSS。在vGS=0的條件下，場效應(yīng)管發(fā)生預(yù)夾斷時(shí)的漏極電流。對(duì)結(jié)型場效管來說，IDSS也是管子所能輸出的最大電流。

3. 直流輸入電阻RGS。它是在漏源極間短路的條件下，柵源極間加一定電壓時(shí)的柵源直流電阻。

4. 低頻跨導(dǎo)gm。當(dāng)vDS為常數(shù)時(shí)，漏極電流的微小變化量與柵源電壓vGS的微小變化量之比為低頻跨導(dǎo)，即

(5.1.2) gm反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制能力，是表征場效應(yīng)管放大能力的一個(gè)重要參數(shù)。單位為西門子(s)，有時(shí)也用ms或ms表示。需要指出的是，gm與管子的工作電流有關(guān)，iD越大，gm就越大。

在放大電路中，場效應(yīng)管工作在飽和區(qū)(恒流區(qū))，gm可由式和計(jì)算求得，即

5. 輸出電阻rd。當(dāng)vGS為常數(shù)時(shí)，漏源電壓的微小變化量與漏極電流iD的微小變化量之比為輸出電阻rd，即

γ=(δvDS)/(δiD)|vDS=常數(shù)

rd反映了漏源電壓vDS對(duì)iD的影響。在飽和區(qū)內(nèi)，iD幾乎不隨vDS而變化，因此，rd數(shù)值很大，一般為幾十千歐~幾百千歐。

6. 極間電容Cgs、Cgd、Cds。Cgs是柵源極間存在的電容，Cgd是柵漏極間存在的電容。它們的大小一般為1~3pF，而漏源極間的電容Cds約為0.1~1pF。在低頻情況下，極間電容的影響可以忽略，但在高頻應(yīng)用時(shí)，極間電容的影響必須考慮。

7. 最大漏源電壓V(BR)DS。指管子溝道發(fā)生雪崩擊穿引起iD急劇上升時(shí)的vDS值。V(BR)DS的大小與vGS有關(guān)，對(duì)N溝道而言，vGS的負(fù)值越大，則V(BR)DS越小。

8. 最大柵源電壓V(BR)GS。是指柵源極間的PN結(jié)發(fā)生反向擊穿時(shí)的vGS值，這時(shí)柵極電流由零而急劇上升。

9. 漏極最大耗散功率PDM。漏極耗散功率PD(=vDSiD)變?yōu)闊崮苁构茏拥臏囟壬撸瑸榱讼拗乒茏拥臏囟?，就需要限制管子的耗散功率不能超過PDM。PDM的大小與環(huán)境溫度有關(guān)。除了以上參數(shù)外，結(jié)型場效應(yīng)管還有噪聲系數(shù)，高頻參數(shù)等其他參數(shù)。結(jié)型場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)很小，可達(dá)1.5dB以下。