1. 濕周大,水力半徑小。
2. 層流狀態(tài)好,顆粒沉降不受絮流干擾。
3. 當(dāng)斜管管長(zhǎng)為1米時(shí),有效負(fù)荷按3-5噸/米2·時(shí)設(shè)計(jì)。V0控制在2.5-3.0毫米/秒范圍內(nèi),出水水質(zhì)最佳。
4. 在取水口處采用蜂窩斜管,管長(zhǎng)2.0~3.0米時(shí),可在50-100公斤/米3泥砂含量的高濁度中安全運(yùn)行處理。
5. 采用斜管沉淀池,其處理能力是平流式沉淀池的3-5倍,加速澄清池和脈沖澄清池的2-3倍。
淀池斜板填料材質(zhì)有聚丙烯(PP)聚氯乙烯(PVC)和玻璃鋼(FRP)三種。組裝形式的斜管和直管兩種形式。它適用范圍廣,處理效果高,占地面積小等優(yōu)點(diǎn)。適用于進(jìn)水口除砂,一般工業(yè)和生活給水沉淀、污水沉淀、隔油以及尾張濃縮等處理,即適用于新建工程,又適用于現(xiàn)有舊池的改造,均能取得良好的經(jīng)濟(jì)效益。
Φ25mm、Φ35m、Φ50mm、Φ80mm
Macroeconomics Rese
一個(gè)是管狀 一個(gè)是板型 形狀不一樣
美生雅素麗作為來自西班牙的品牌,在我國(guó)已經(jīng)成為一個(gè)知名品牌了,他的產(chǎn)品造型多樣,大多高貴典雅落落大方,屬于瓷磚中的上等產(chǎn)品。這個(gè)品牌之所以能成功,其特點(diǎn)主要體現(xiàn)在: 專業(yè)的咨詢服務(wù) 美生·雅素麗擁有訓(xùn)...
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兩家華隆公司以鋼結(jié)構(gòu)為主體, 開展建筑業(yè)產(chǎn)品多元化發(fā)展策略, 廣泛利用鋼結(jié)構(gòu)自身特點(diǎn), 生產(chǎn)制造出多種用途的鋼結(jié)構(gòu)產(chǎn)品,如工廠廠房、辦公樓、倉(cāng)庫(kù)、新式大型立體車庫(kù)、可移 動(dòng)/拆卸式彩板房、網(wǎng)架工程等一系列鋼結(jié)構(gòu)建筑。 鋼結(jié)構(gòu)廠房: 產(chǎn)品特點(diǎn): ★用途廣泛:可適用于工廠、倉(cāng)庫(kù)、辦公樓、體育館、飛機(jī)庫(kù)等。 ★建筑簡(jiǎn)易, 施工期短: 所有構(gòu)件均在工廠預(yù)制完成, 現(xiàn)場(chǎng)只需簡(jiǎn)單拼裝, 從而大大縮短了 施工周期。 ★經(jīng)久耐用,易于維修。 ★美觀實(shí)用:鋼結(jié)構(gòu)建筑線條簡(jiǎn)潔流暢,具有現(xiàn)代感。 ★ 造價(jià)合理:鋼結(jié)構(gòu)建筑自重輕,減少基礎(chǔ)造價(jià),建造速度快,可早日建成投產(chǎn)。 ★強(qiáng)度高,跨度大:鋼材密度雖比其他建筑材料大,但它強(qiáng)度很高,同樣受力情況下, 鋼結(jié)構(gòu)自重小,可以做成跨度較大的結(jié)構(gòu)。 1、 立體車庫(kù): 高效利用空間 ,占地少,容車量大,提高空間 利用率達(dá)數(shù)倍。 存取車快捷便 利,獨(dú)特跨梁設(shè)計(jì),車輛出入無 障礙
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產(chǎn)品特點(diǎn): 一、綠色無害 硅酸鋁保溫材料為新型綠色無機(jī)涂料, 是單組份材料包裝, 無毒無害、 具有優(yōu)良的 吸音、耐高溫、 耐水、耐凍性能、收縮率低、整體無縫、 無冷橋、熱橋形成:質(zhì)量穩(wěn)定可靠、 抗裂、抗震性能好、抗負(fù)風(fēng)壓能力強(qiáng)、容重輕、保溫性能好并具有良好的和易性、保水性、 附著力強(qiáng)、面層不空鼓、施工不下垂、不流掛、減少施工耗、燃燒性能為 A級(jí)不燃材料:溫 度在 -40-800 ℃范圍內(nèi)急冷急熱,保溫層不開裂,不脫落,不燃燒,耐酸、堿、油等。 二、吸水阻燃 彌補(bǔ)了傳統(tǒng)的墻體保溫涂料中存在的吸水性大, 易老化體積收縮大, 容易造成產(chǎn)品 后期強(qiáng)度低和空鼓開裂降低保溫涂料性能等現(xiàn)象, 同時(shí)又彌補(bǔ)了聚苯顆粒保溫涂料易燃, 防 火性差高溫產(chǎn)生有害氣體和耐侯低, 反彈性大等缺陷。 硅酸鋁保溫材料是墻體保溫材料中安 全系數(shù)最高,綜合性能和施工性能最理想的保溫涂料, 可根據(jù)不同介質(zhì)溫度抹最佳經(jīng)濟(jì)厚度, 性
化學(xué)氣相淀積
CVD (Chemical Vapor Deposition) 指把含有構(gòu)成薄膜元素的氣態(tài)反應(yīng)劑或液態(tài)反應(yīng)劑的蒸氣及反應(yīng)所需其它氣體引入反應(yīng)室,在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的過程。在超大規(guī)模集成電路中很多薄膜都是采用CVD方法制備。
化學(xué)氣相淀積特點(diǎn):淀積溫度低,薄膜成份易控,膜厚與淀積時(shí)間成正比,均勻性,重復(fù)性好,臺(tái)階覆蓋性優(yōu)良。
化學(xué)氣相淀積是把含有構(gòu)成薄膜元素的氣態(tài)反應(yīng)劑引入反應(yīng)室,在晶圓表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng),從而生成所需的固態(tài)薄膜并淀積在其表面。
目前,在芯片制造過程中,大部分所需的薄膜材料,不論是導(dǎo)體、半導(dǎo)體,或是介電材料,都可以用化學(xué)氣相淀積來制備,如二氧化硅膜、氮化硅膜、多晶硅膜等。它具有淀積溫度低,薄膜成分和厚度易控,薄膜厚度與淀積時(shí)間成正比,均勻性與重復(fù)性好,臺(tái)階覆蓋好,操作方便等優(yōu)點(diǎn)。其中淀積溫度低和臺(tái)階覆蓋好對(duì)超大規(guī)模集成電路的制造十分有利。因此是目前集成電路生產(chǎn)過程中最重要的薄膜淀積方法。目前常用的有常壓化學(xué)氣相淀積、低壓化學(xué)氣相淀積以及等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積等。
化學(xué)汽相淀積工藝正文
用氣態(tài)反應(yīng)原料在固態(tài)基體表面反應(yīng)并淀積成固體薄層或薄膜的工藝過程,類似于汽相外延工藝(見外延生長(zhǎng))。60年代,隨著集成電路平面技術(shù)的發(fā)展,化學(xué)汽相淀積工藝受到重視而得到迅速發(fā)展。當(dāng)時(shí)主要是常壓下的化學(xué)汽相淀積,稱為常壓化學(xué)汽相淀積工藝。70年代后期,低壓化學(xué)汽相淀積工藝取得顯著進(jìn)展,在集成電路制造工藝中發(fā)揮了更大的作用。在應(yīng)用低壓化學(xué)汽相工藝的同時(shí),等離子化學(xué)汽相淀積工藝和金屬有機(jī)化學(xué)汽相淀積工藝也得到迅速發(fā)展。
化學(xué)汽相淀積工藝常用于制造導(dǎo)電薄膜(如多晶硅、非晶硅)或絕緣薄膜(如氧化硅、氮化硅和磷硅玻璃等)。這些薄膜經(jīng)過光刻和腐蝕,可形成各種電路圖案,與其他工藝相配合即可構(gòu)成集成電路。常見的淀積薄膜的化學(xué)反應(yīng)式如下:
SiH4─→Si(多晶硅或非晶硅)+2H2
SiH4+4N2O─→SiO2+2H2O+4N2
SiH4+2O2─→SiO2+2H2O
3SiH4+4NH3─→Si3N4+12H2
3SiH2Cl2+10NH3─→Si3N4+6NH4Cl+6H2
SiH4+2xPH3+2(2x+1)O2─→
SiO2·xP2O5(磷硅玻璃)+(3x+2)H2O
化學(xué)汽相淀積工藝還可用于其他方面,如制造超導(dǎo)薄膜材料鈮鍺合金(Nb3Ge)、光學(xué)掩模材料氧化鐵、光纖芯材鍺硅玻璃(SiO2·xGeO2),以及裝飾性薄膜氮化鈦等。
3NbCl4+GeCl4+8H2─→Nb3Ge+16HCl
4Fe(CO)5+3O2─→2Fe2O3+20CO
與物理汽相淀積薄膜工藝(如蒸發(fā)、濺射、離子鍍等)相比,化學(xué)汽相淀積具有設(shè)備簡(jiǎn)單和成本低的優(yōu)點(diǎn),化學(xué)汽相淀積工藝,也可用于制造體材料,例如,高純?nèi)裙柰橛脷溥€原,在加熱的硅棒上不斷淀積出硅,使硅棒變粗,形成棒狀高純硅錠,成為制備半導(dǎo)體硅單晶的原料。
常壓化學(xué)汽相淀積 圖1a是高頻感應(yīng)加熱的常壓化學(xué)汽相淀積裝置,感應(yīng)受熱基座通常用石墨制成,在基座上放置片狀的襯底。例如,以單晶硅片為襯底,在硅片上淀積氧化硅、氮化硅、多晶硅或磷硅玻璃等薄膜。圖1b是電阻平臺(tái)加熱的多噴頭常壓化學(xué)汽相淀積裝置,用硅烷、磷烷或氧為原料,以氮?dú)忉屜?在400℃左右淀積氧化硅或磷硅玻璃。連續(xù)傳送裝置可以提高產(chǎn)量并改善均勻性。
低壓化學(xué)汽相淀積 圖2是低壓化學(xué)汽相淀積裝置原理,采用管式電阻爐加熱,在爐內(nèi)以直立式密集裝片。片的平面垂直于氣流方向。由于在低壓(約50帕)下工作,氣體分子的平均自由程比常壓下增加1000多倍以上,擴(kuò)散過程加快,片與片之間的距離約幾毫米。因此,每一個(gè)裝片架上可以放100~200個(gè)片子,產(chǎn)量比常壓法增加十多倍。這種工藝在半導(dǎo)體器件制造過程中,可淀積多種薄膜,應(yīng)用很廣。
等離子化學(xué)汽相淀積 利用高頻電場(chǎng)使低壓下的氣體產(chǎn)生輝光放電,形成非平衡等離子體,其中能量較高的電子撞擊反應(yīng)氣體分子,促使反應(yīng)在較低溫度下進(jìn)行,淀積成薄膜(圖3)。這種工藝主要用于制備集成電路或其他半導(dǎo)體芯片表面鈍化保護(hù)層,以提高器件可靠性和穩(wěn)定性。
參考書目
Donald T.Hawkins ed.,Chemical Vapor Deposition1960~1980, IFI/Plenum Data Co.,New York,1981.
產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
環(huán)保斜板填料材質(zhì)有聚丙烯(PP)聚氯乙烯(PVC)和玻璃鋼(FRP)三種。組裝形式的斜管和直管兩種形式。環(huán)保斜板填料主要用于各種沉淀和除砂作用。它適用范圍廣,處理效果高,占地面積小等優(yōu)點(diǎn)。適用于進(jìn)水口除砂,一般工業(yè)和生活給水沉淀、污水沉淀、隔油以及尾張濃縮等處理,即適用于新建工程,又適用于現(xiàn)有舊池的改造,均能取得良好的經(jīng)濟(jì)效益。
產(chǎn)品特點(diǎn):
1. 濕周大,水力半徑小。
2. 層流狀態(tài)好,顆粒沉降不受絮流干擾。
3. 當(dāng)環(huán)保斜板填料管長(zhǎng)為1米時(shí),有效負(fù)荷按3-5噸/米2·時(shí)設(shè)計(jì)。V0控制在2.5-3.0毫米/秒范圍內(nèi),出水水質(zhì)最佳。
4. 在取水口處采用蜂窩斜管,管長(zhǎng)2.0~3.0米時(shí),可在50-100公斤/米3泥砂含量的高濁度中安全運(yùn)行處理。
5. 采用環(huán)保斜板填料沉淀池,其處理能力是平流式沉淀池的3-5倍,加速澄清池和脈沖澄清池的2-3倍。
產(chǎn)品規(guī)格:
Φ25mm、Φ35m、Φ50mm、Φ80mm