Φ25mm、Φ35m、Φ50mm、Φ80mm
1. 濕周大,水力半徑小。
2. 層流狀態(tài)好,顆粒沉降不受絮流干擾。
3. 當斜管管長為1米時,有效負荷按3-5噸/米2·時設計。V0控制在2.5-3.0毫米/秒范圍內(nèi),出水水質(zhì)最佳。
4. 在取水口處采用蜂窩斜管,管長2.0~3.0米時,可在50-100公斤/米3泥砂含量的高濁度中安全運行處理。
5. 采用斜管沉淀池,其處理能力是平流式沉淀池的3-5倍,加速澄清池和脈沖澄清池的2-3倍。
淀池斜板填料材質(zhì)有聚丙烯(PP)聚氯乙烯(PVC)和玻璃鋼(FRP)三種。組裝形式的斜管和直管兩種形式。它適用范圍廣,處理效果高,占地面積小等優(yōu)點。適用于進水口除砂,一般工業(yè)和生活給水沉淀、污水沉淀、隔油以及尾張濃縮等處理,即適用于新建工程,又適用于現(xiàn)有舊池的改造,均能取得良好的經(jīng)濟效益。
Macroeconomics Rese
一個是管狀 一個是板型 形狀不一樣
是現(xiàn)代居室裝飾不可或缺的地面材料之一,96年前它是一種中等質(zhì)量和價格的產(chǎn)品,厚度1.5毫米以上,耐磨層0.1以上,一般采用平整度好的玻璃絲或雙涂底。塑料地板革屬于軟質(zhì)地板,是以聚氯乙烯樹脂為主要原料,...
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陽光板產(chǎn)品規(guī)格: 類型 ( Type) 厚度( mm) (Thickress) 寬長( mm) (Width-length) 重量( kg/m 2) (Weight) 顏色 (Color) 陽光板 (Hollow ) 4 2100 x 5800 2100*6000 0.9 藍色、透明、綠色、湖 蘭色等( Blue, transparent, opal, green, etc.) 6 1.3 8 1.5 10 1.7 注:特殊規(guī)格可按用戶要求加工。 陽光板技術指標: (僅供客戶參考) 序號 (NO) 性能 (Characteristics) 單位 (Unit) 指標值 (Data) 1. 沖擊強度( Impact Strength) J/m 850 2. 透光率( Light Transmission ) % 88 3. 比重( Specific Gravity ) g/cm3 1.
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評分: 4.6
產(chǎn) 品 規(guī) 格 書 Product Specification 客戶名稱: 產(chǎn)品型號: HCX-M75133WW-57 產(chǎn)品名稱: 注塑防水模組 產(chǎn)品描述: 3燈 5730冷白色外殼帶 PC罩防水注塑模組 客戶確認 核準 審核 制作 張歷運 盧干民 張遠 一、產(chǎn)品特點: 線路板采用高導熱玻釬板,光衰小,穩(wěn)定, LED壽命長高達 3萬小時以上; LED采用優(yōu)質(zhì) 5730芯片,亮度高,確保高光效、低耗; 采用防火級 PVC優(yōu)質(zhì)材料注塑,生產(chǎn)工藝及防水性能好; 采用外置恒壓 12V 電源,電源轉(zhuǎn)換效率高; 多種安裝方式,螺絲固定或者背面貼膠,安裝,維修方便; 二、應用范圍: 1.招牌,廣告,燈箱;大型賣場、連鎖便利店; 2 .辦公室、會議室等辦公樓內(nèi)照明; 3.展覽館、圖書館、學校、工廠、機場、停車場等公共照明。 三、光參數(shù): `光電參數(shù) 型號 LED 光源 發(fā)光顏色 色溫 (K
化學氣相淀積
CVD (Chemical Vapor Deposition) 指把含有構(gòu)成薄膜元素的氣態(tài)反應劑或液態(tài)反應劑的蒸氣及反應所需其它氣體引入反應室,在襯底表面發(fā)生化學反應生成薄膜的過程。在超大規(guī)模集成電路中很多薄膜都是采用CVD方法制備。
化學氣相淀積特點:淀積溫度低,薄膜成份易控,膜厚與淀積時間成正比,均勻性,重復性好,臺階覆蓋性優(yōu)良。
化學氣相淀積是把含有構(gòu)成薄膜元素的氣態(tài)反應劑引入反應室,在晶圓表面發(fā)生化學反應,從而生成所需的固態(tài)薄膜并淀積在其表面。
目前,在芯片制造過程中,大部分所需的薄膜材料,不論是導體、半導體,或是介電材料,都可以用化學氣相淀積來制備,如二氧化硅膜、氮化硅膜、多晶硅膜等。它具有淀積溫度低,薄膜成分和厚度易控,薄膜厚度與淀積時間成正比,均勻性與重復性好,臺階覆蓋好,操作方便等優(yōu)點。其中淀積溫度低和臺階覆蓋好對超大規(guī)模集成電路的制造十分有利。因此是目前集成電路生產(chǎn)過程中最重要的薄膜淀積方法。目前常用的有常壓化學氣相淀積、低壓化學氣相淀積以及等離子體增強化學氣相淀積等。
化學汽相淀積工藝正文
用氣態(tài)反應原料在固態(tài)基體表面反應并淀積成固體薄層或薄膜的工藝過程,類似于汽相外延工藝(見外延生長)。60年代,隨著集成電路平面技術的發(fā)展,化學汽相淀積工藝受到重視而得到迅速發(fā)展。當時主要是常壓下的化學汽相淀積,稱為常壓化學汽相淀積工藝。70年代后期,低壓化學汽相淀積工藝取得顯著進展,在集成電路制造工藝中發(fā)揮了更大的作用。在應用低壓化學汽相工藝的同時,等離子化學汽相淀積工藝和金屬有機化學汽相淀積工藝也得到迅速發(fā)展。
化學汽相淀積工藝常用于制造導電薄膜(如多晶硅、非晶硅)或絕緣薄膜(如氧化硅、氮化硅和磷硅玻璃等)。這些薄膜經(jīng)過光刻和腐蝕,可形成各種電路圖案,與其他工藝相配合即可構(gòu)成集成電路。常見的淀積薄膜的化學反應式如下:
SiH4─→Si(多晶硅或非晶硅)+2H2
SiH4+4N2O─→SiO2+2H2O+4N2
SiH4+2O2─→SiO2+2H2O
3SiH4+4NH3─→Si3N4+12H2
3SiH2Cl2+10NH3─→Si3N4+6NH4Cl+6H2
SiH4+2xPH3+2(2x+1)O2─→
SiO2·xP2O5(磷硅玻璃)+(3x+2)H2O
化學汽相淀積工藝還可用于其他方面,如制造超導薄膜材料鈮鍺合金(Nb3Ge)、光學掩模材料氧化鐵、光纖芯材鍺硅玻璃(SiO2·xGeO2),以及裝飾性薄膜氮化鈦等。
3NbCl4+GeCl4+8H2─→Nb3Ge+16HCl
4Fe(CO)5+3O2─→2Fe2O3+20CO
與物理汽相淀積薄膜工藝(如蒸發(fā)、濺射、離子鍍等)相比,化學汽相淀積具有設備簡單和成本低的優(yōu)點,化學汽相淀積工藝,也可用于制造體材料,例如,高純?nèi)裙柰橛脷溥€原,在加熱的硅棒上不斷淀積出硅,使硅棒變粗,形成棒狀高純硅錠,成為制備半導體硅單晶的原料。
常壓化學汽相淀積 圖1a是高頻感應加熱的常壓化學汽相淀積裝置,感應受熱基座通常用石墨制成,在基座上放置片狀的襯底。例如,以單晶硅片為襯底,在硅片上淀積氧化硅、氮化硅、多晶硅或磷硅玻璃等薄膜。圖1b是電阻平臺加熱的多噴頭常壓化學汽相淀積裝置,用硅烷、磷烷或氧為原料,以氮氣釋稀,在400℃左右淀積氧化硅或磷硅玻璃。連續(xù)傳送裝置可以提高產(chǎn)量并改善均勻性。
低壓化學汽相淀積 圖2是低壓化學汽相淀積裝置原理,采用管式電阻爐加熱,在爐內(nèi)以直立式密集裝片。片的平面垂直于氣流方向。由于在低壓(約50帕)下工作,氣體分子的平均自由程比常壓下增加1000多倍以上,擴散過程加快,片與片之間的距離約幾毫米。因此,每一個裝片架上可以放100~200個片子,產(chǎn)量比常壓法增加十多倍。這種工藝在半導體器件制造過程中,可淀積多種薄膜,應用很廣。
等離子化學汽相淀積 利用高頻電場使低壓下的氣體產(chǎn)生輝光放電,形成非平衡等離子體,其中能量較高的電子撞擊反應氣體分子,促使反應在較低溫度下進行,淀積成薄膜(圖3)。這種工藝主要用于制備集成電路或其他半導體芯片表面鈍化保護層,以提高器件可靠性和穩(wěn)定性。
參考書目
Donald T.Hawkins ed.,Chemical Vapor Deposition1960~1980, IFI/Plenum Data Co.,New York,1981.
產(chǎn)品簡介:
環(huán)保斜板填料材質(zhì)有聚丙烯(PP)聚氯乙烯(PVC)和玻璃鋼(FRP)三種。組裝形式的斜管和直管兩種形式。環(huán)保斜板填料主要用于各種沉淀和除砂作用。它適用范圍廣,處理效果高,占地面積小等優(yōu)點。適用于進水口除砂,一般工業(yè)和生活給水沉淀、污水沉淀、隔油以及尾張濃縮等處理,即適用于新建工程,又適用于現(xiàn)有舊池的改造,均能取得良好的經(jīng)濟效益。
產(chǎn)品特點:
1. 濕周大,水力半徑小。
2. 層流狀態(tài)好,顆粒沉降不受絮流干擾。
3. 當環(huán)保斜板填料管長為1米時,有效負荷按3-5噸/米2·時設計。V0控制在2.5-3.0毫米/秒范圍內(nèi),出水水質(zhì)最佳。
4. 在取水口處采用蜂窩斜管,管長2.0~3.0米時,可在50-100公斤/米3泥砂含量的高濁度中安全運行處理。
5. 采用環(huán)保斜板填料沉淀池,其處理能力是平流式沉淀池的3-5倍,加速澄清池和脈沖澄清池的2-3倍。
產(chǎn)品規(guī)格:
Φ25mm、Φ35m、Φ50mm、Φ80mm