氮化物發(fā)光二極管及其制作方法技術領域

《氮化物發(fā)光二極管及其制作方法》涉及一種氮化物發(fā)光二極管及其制作方法，更具體的是一種具電流注入調制層（current modulation layer）氮化物發(fā)光二極管之外延結構設計。

圖1展示了根據(jù)《氮化物發(fā)光二極管及其制作方法》實施的一種具電流注入調制層（current modulation layer）的發(fā)光二極管之外延結構簡圖。

圖2展示了圖1中的具電流注入調制層的剖面圖和截面圖。

圖3演示了采用圖1所示的發(fā)光二極管外延結構制作成的LED芯片的電流傳導路徑。

圖4演示了相關的發(fā)光二極管芯片的電流傳導路徑。

圖中各標號表示：100是生長襯底；200是發(fā)光外延層；210是N型傳導層；220是發(fā)光層；230是電子阻擋層；240是P型傳導層；250是電流注入調制層；251是氮化物絕緣材料；252是開口部；301是N電極；302是P電極。

氮化物發(fā)光二極管及其制作方法專利目的

《氮化物發(fā)光二極管及其制作方法》的目的是提供一種具電流注入調制層（current modulation layer）的發(fā)光二極管之外延結構設計，具體的說是關于導入一種高阻值（high resistivity）的材料以改變注入電流傳導路徑，進而增加發(fā)光效率。其主要的結構實施為分別在N型傳導層或P型傳導層中成長高阻值材料（如In_xAl_yGa_1-x-yN），借由高溫H₂在反應爐內蝕刻（In Situ Etching）直至露出部分電流傳導路徑，再分別成長N型或P型傳導層于以覆蓋而得。

氮化物發(fā)光二極管及其制作方法技術方案

《氮化物發(fā)光二極管及其制作方法》的第一個方面，氮化物發(fā)光二極管，包含N型傳導層，P型傳導層，在N型傳導層和P型傳導層之間具有發(fā)光層；至少在N型傳導層或P型傳導層內包含一層電流注入調制層，其由具有開孔結構的氮化物絕緣材料層構成，所述開孔結構通過在外延生長的反應爐內通入H₂蝕刻而成，用于電流傳導。

優(yōu)先地，所述電流注入調制層的材料可以為未摻雜的In_xAl_yGa_1-x-yN，其中0≤x≤0.1，0≤y≤1，0≤x y≤1，厚度可以取50納米~200納米，借由高溫H₂在反應爐內蝕刻（InSituEtching）形成隨機離散分布的開口結構，其分布密度為1×10⁴~1×10⁸厘米^-2，開孔結構的直徑d為50納米~200納米。

《氮化物發(fā)光二極管及其制作方法》的第二個方面，氮化物發(fā)光二極管的制作方法，通過外延生長方法沉積N型傳導層，發(fā)光層和P型傳導層，其特征在于：至少在N型傳導層或P型傳導層內形成一層電流注入調制層，其由具有開孔結構的氮化物絕緣材料層構成，所述開孔通過在外延生長的反應爐內通入H₂蝕刻而成，用于傳導電流。

優(yōu)先地，所述電流注入調制層的材料為未摻雜的In_xAl_yGa_1-x-yN（0≤x≤0.1，0≤y≤1，0≤x y≤1），通過下面方法形成于N型傳導層（或P型傳導層）內：首先外延生長N型傳導層（或P型傳導層）；接著在N型傳導層（或P型傳導層）上沉積氮化物絕緣材料層；然后在外延生長的反應爐內通入H₂蝕刻所述氮化物絕緣材料層直至露出部分N型傳導層（或P型傳導層）形成開口結構，用于電流傳導；最后繼續(xù)外延生長N型傳導層（或P型傳導層），從而在N型傳導層（或P型傳導層）內形成電流注入調制層。其中，所述H₂氣氛的濃度可取H₂/NH₃=2.5~10，蝕刻的溫度為900攝氏度~1200攝氏度。

氮化物發(fā)光二極管及其制作方法改善效果

《氮化物發(fā)光二極管及其制作方法》采用在外延生長過程中，直接在生長環(huán)境中采用H₂高溫蝕刻氮化物高阻絕緣材料形成電流傳導路徑，無需二次外延即可形成電流注入調制層之方法，此法使得注入電流在N型傳導層與P型傳導層具一更佳之擴展路徑，更有效均勻擴散注入有源區(qū)層，進而增加發(fā)光效率。

截至2013年1月，在氮化鎵發(fā)光二極管中，P側電流由P型電極經(jīng)由透明傳導層（transparent conductive layer）注入P型傳導層乃至進入有源區(qū)（active layer），然而由于P型傳導層中電洞濃度（hole concentration）通常不高（介于10¹⁶~10¹⁷厘米^-3），且其遷移率（hole mobility）也多在10平方厘米/伏·秒以下，如此，造成電流在P型傳導層的分布不易均勻，往往會發(fā)生電流擁擠的現(xiàn)象（current crowding），容易有多余的熱在此處產(chǎn)生，最終影響發(fā)光效率。此外，因為電極下方的高電流密度，其光強度相對高，然而其所發(fā)出的光，容易被電極遮蔽或反射進來而被材料所吸收，造成光輸出功率的損失。

另一方面，N型傳導層雖然不具P型傳導層那樣嚴苛之電傳導特性，在相對均勻之電流分布注入有源區(qū)的情況下，仍是可以得到較佳之發(fā)光效率。

1.氮化物發(fā)光二極管，包含N型傳導層，P型傳導層，在N型傳導層和P型傳導層之間具有發(fā)光層；至少在N型傳導層或P型傳導層內包含一層電流注入調制層，其由具有開孔結構的氮化物絕緣材料層構成，所述開孔結構通過在外延生長的反應爐內通入H₂蝕刻而成，用于電流傳導；當所述電流注入調制層位于N型傳導層內時，其與N型傳導層之鄰近發(fā)光層的表面具有距離，當所述電流注入調制層位于P型傳導層內時，其與P型傳導層之下表面具有距離。

2.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述電流注入調制層的材料為未摻雜的In_xAl_yGa_1-x-yN，其中0≤x≤0.1，0≤y≤1，0≤x y≤1。

3.根據(jù)權利要求1所述的氮化物發(fā)光二極管，其特征在于：所述電流注入調制層的開孔結構為隨機離散分布。

4.根據(jù)權利要求3所述的氮化物發(fā)光二極管，其特征在于：所述電流注入調制層的開孔結構位于所述氮化物絕緣材料層中晶格較差的區(qū)域。

5.根據(jù)權利要求1所述的氮化物發(fā)光二極管，其特征在于：所述電流注入調制層開孔結構的分布密度為1×10⁴~1×10⁸厘米^-2。

6.根據(jù)權利要求1所述的氮化物發(fā)光二極管，其特征在于：所述電流注入調制層的下表面距離P型傳導層的下表面的距離為50納米~200納米。

7.根據(jù)權利要求1所述的氮化物發(fā)光二極管，其特征在于：所述電流注入調制層的厚度為50納米~200納米。

8.氮化物發(fā)光二極管的制作方法，通過外延生長方法沉積N型傳導層，發(fā)光層和P型傳導層，其特征在于：至少在N型傳導層或P型傳導層內形成一層電流注入調制層，其由具有開孔結構的氮化物絕緣材料層構成，所述開孔通過在外延生長的反應爐內通入H₂蝕刻而成，用于傳導電流；當所述電流注入調制層位于N型傳導層內時，其與N型傳導層之鄰近發(fā)光層的表面具有距離，當所述電流注入調制層位于P型傳導層內時，其與P型傳導層之下表面具有距離。

9.根據(jù)權利要求8所述的氮化物發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：所述電流注入調制層的材料為未摻雜的In_xAl_yGa_1-x-yN，其中0≤x≤0.1，0≤y≤1，0≤x y≤1。

10.根據(jù)權利要求8所述的氮化物發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：所述電流注入調制層通過下面方法形成：外延生長N型傳導層或P型傳導層；在N型傳導層或P型傳導層上沉積氮化物絕緣材料層；在外延生長的反應爐內通入H₂蝕刻所述氮化物絕緣材料層直至露出部分N型傳導層或P型傳導層形成開口結構，用于電流傳導；繼續(xù)外延生長N型傳導層或P型傳導層，從而在N型傳導層或P型傳導層內形成電流注入調制層。

11.根據(jù)權利要求10所述的氮化物發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：所述H₂氣氛的濃度為H₂/NH₃=2.5~10。

12.根據(jù)權利要求10所述的氮化物發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：所述H₂蝕刻的溫度為900攝氏度~1200攝氏度。

13.根據(jù)權利要求10所述的氮化物發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：所述H₂蝕刻所述氮化物絕緣材料層中晶格較差的部位形成開口結構。

《氮化物發(fā)光二極管及其制作方法》圖4展示了傳統(tǒng)氮化物發(fā)光二極管器件中的電流擁擠的現(xiàn)象（current crowding），其電流分布密度不均衡，電極下面的電流密度最大，其光強度相對高，然而其所發(fā)出的光容易被電極遮蔽或反射進來而被材料所吸收，從而影響了器件的發(fā)光效率。因此，如何提高電流分布的均勻性成為業(yè)內的研究重點之一。

中國專利ZL200410062825.2提出了一種在活性層的p型光導層內形成AlN電流狹窄層的氮化物半導體激光器。這種激光器的線條結構可按如下制造：首先，在MOCVD裝置的反應爐內，在400～600攝氏度下，在形成的元件上形成由AIN而構成的電流狹窄層，直達p型光導層，接著從反應爐內取出，通過使用堿性蝕刻液的光刻法形成條狀開口部后，再裝入MOCVD裝置的反應爐內，生長p型光導層以埋沒電流狹窄層的開口部，進一步依次層疊p型金屬包層等。

美國專利US7817692提出了一種在具有設置條狀開口部的電流狹窄層的氮化鎵系化合物半導體激光器，為了阻止蝕刻形成條狀開口部的過程中過渡蝕刻破壞外延層，將電流狹窄層形成在Al比率小于前述電流狹窄層的半導體層上。

前案技術均以條狀（striped-shaped）氮化物半導體絕緣材料于氮化物雷射二極體N型傳導層或P型傳導層作為電流阻礙層，其都必須透過黃光微影（photolithography）及二次外延工藝方可完成。

《氮化物發(fā)光二極管及其制作方法》主要以一次爐內外延成長完成N型傳導區(qū)及P型傳導區(qū)之電流調制層，在不需二次外延成長，不需額外工藝的情形下，將可節(jié)省時間成本及避免因為二次外延成長所造成之表面污染，而使良率下降。

參考圖1，在生長襯底100上依次沉積有N型傳導層210、發(fā)光層220和P型傳導層240，構成發(fā)光外延層。其中生長襯底100可以是藍寶石、碳化硅、氮化鎵等適于外延生長氮化物半導體材料層的材料。在N型傳導層210與生長襯底100之間可進一步沉積緩沖層用于改善發(fā)光外延層的晶格質量。

N型傳導層210的材料為n-GaN層，在N型傳導層的內部包含電流注入調制層250，其與N型傳導層210的下表面最好具有一定的距離，但也可以直接位于N型傳導層210的底部。電流注入調制層250為具有開口結構252的高阻值絕緣材料層251。高阻值絕緣材料層251的材料可以選用In_xAl_yGa_1-x-yN，其中為了保證In_xAl_yGa_1-x-yN的高阻性，成長此層過程中未摻雜Si及Mg（即為un-dopedIn_xAl_yGa_1-x-yN），如可以為AlN，GaN等材料。N型傳導層210可以通過下面方法形成：首先在生長襯底100上生長N-GaN材料，接著生長50納米~200納米的un-dopedIn_xAl_yGa_1-x-yN層251；然后在反應爐中通入H₂，在H₂氣氛中蝕刻un-dopedIn_xAl_yGa_1-x-yN層251，在un-dopedIn_xAl_yGa_1-x-yN層中形成隨機分布的開口結構252，其中反應爐內的蝕刻條件可按下面進行設置：H₂氛圍H₂/NH₃=2.5~10，蝕刻溫度為900~1200攝氏度，蝕刻時間為30秒~600秒；然后繼續(xù)生長N-GaN層，其填充所述的開口結構并覆蓋所述的AlN層251，形成平整的外延表面，最終形成的電流注入調制層250如圖2所示。AlN層251上分布有一系列的開口252，其分布密度為1×10⁴~1×10⁸厘米^-2，各個開口的直徑d可控制在50納米~200納米之間。

發(fā)光層220一般由In的氮化鎵系化合物半導體所構成，較佳為多量子阱結構，具體可以由In_x1Ga_1-x1N阱層（0＜x1＜1）和In_x2Ga_1-x2N壘層（0≤x2＜1，x1＞x2），以適當次數(shù)交替反復層疊形成。

在發(fā)光層220和P型傳導層之間還設置一層電子阻擋層230，其材料通常為氮化鋁鎵，厚度為10納米~60納米且具有足夠高之勢壘，用以局限從N型注入之電子防止其溢流到P型層。

P型傳導層240的材料為p-GaN層，在P型傳導層的內部同樣包含電流注入調制層250，其與P型傳導層240的下表面具有一定的距離D（約50納米~200納米），此為確保爐內蝕刻分解un-dopedIn_xAl_yGa_1-x-yN時，不會損傷到電子阻擋層或發(fā)光層，其結構和制備方法與N型傳導層內的電流注入調制層基本相同，在此不再重復表述。

圖3演示了采用圖1所示的發(fā)光二極管外延結構制作成的LED芯片的電流傳導路徑。從圖中可看出：借由控制開口密度及大小，凡是經(jīng)由電極傳導出之電流，在經(jīng)過電流注入調制層時皆有相當程度上影響而改變其電流路徑，進而增加電流分布之均勻性。再者，由于H₂氛圍分解un-dopedIn_xAl_yGa_1-x-yN時，通常從高缺陷密度處（dislocation）生成分解反應，如此可留下較佳晶格質量之隨機分布開口的un-dopedIn_xAl_yGa_1-x-yN，有利于后續(xù)之N型或P型傳導層成長。

進一步地，在該實施中，在爐內insitu完成外延結構設計，避免了黃光微影和二次外延工藝，將可避免因暴露空氣導致之界面污染而引起光電組件電性異常。

2021年6月24日，《氮化物發(fā)光二極管及其制作方法》獲得第二十二屆中國專利優(yōu)秀獎。

印制線路板及其制作方法專利目的

《印制線路板及其制作方法》在于克服2015年10月之前技術的缺陷，提供一種能夠改善焊盤缺損問題、保證焊盤局部區(qū)域無懸鎳的印制線路板及其制作方法。

印制線路板及其制作方法技術方案

《印制線路板及其制作方法》包括以下步驟：準備PCB在制板；確定局部蝕刻區(qū)域：在整板線路圖形的一面上確定局部蝕刻區(qū)域，保證局部蝕刻區(qū)域中所有的焊盤、線路和銅皮均通過金屬孔與另一面的基銅處于導通；制作局部蝕刻區(qū)域圖形：在所述PCB在制板上將局部蝕刻區(qū)域中的焊盤、線路和銅皮制作出來；第一次外層圖形轉移：在制作局部蝕刻區(qū)域圖形后的PCB在制板上貼第一外層干膜，將整板線路圖形暴露出來；圖鍍銅鎳金：對第一次外層圖形轉移后的PCB在制板依次電鍍銅層、鎳層和金層，局部蝕刻區(qū)域中所有的焊盤、線路和銅皮的頂面及側面上均形成銅鎳金包裹圈；外層圖形蝕刻：將整板線路圖形蝕刻出來。

在其中一個實施例中，所述制作局部蝕刻區(qū)域圖形的步驟包括：第二次外層圖形轉移：在所述PCB在制板上貼第二外層干膜，局部蝕刻區(qū)域干膜開窗，將所述局部蝕刻區(qū)域圖形暴露出來，并在所述局部蝕刻區(qū)域上鍍錫，再退膜處理；局部蝕刻：將局部蝕刻區(qū)域中的焊盤、線路和銅皮蝕刻出來。

在其中一個實施例中，所述確定局部蝕刻區(qū)域的具體步驟為：確定整板線路圖形一面上的部分區(qū)域作為判定區(qū)域，將所述判定區(qū)域和整板線路圖形中的孔位圖進行對比，判斷所述判定區(qū)域中所有的焊盤、線路和銅皮是否均與所述基銅處于導通，若處于導通，則輸出該判定區(qū)域為局部蝕刻區(qū)域；若不處于導通，進一步判定能否制作金屬孔使所述判定區(qū)域中所有的焊盤、線路和銅皮均與所述基銅導通，若能，對所述判定區(qū)域制作金屬孔并輸出該判定區(qū)域為局部蝕刻區(qū)域，若不能，則重新確定新的判定區(qū)域。

在其中一個實施例中，確定所述判定區(qū)域的具體步驟為：隨意框選整板線路圖形一面上的部分區(qū)域并進行迭代運算，執(zhí)行指令：若框選區(qū)域旁導體距離該區(qū)域內圖形間距≤10密耳，則合并為新區(qū)域；若框選區(qū)域旁導體距離該區(qū)域內圖形間距＞10密耳，則不合并；依次迭代，直至區(qū)域不再擴大為止，該最終區(qū)域為所述判定區(qū)域。

在其中一個實施例中，保證局部蝕刻區(qū)域中所有的焊盤、線路和銅皮均通過金屬孔與另一面的基銅處于導通的方式為：采用鉆通孔方式，使局部蝕刻區(qū)域中所有的焊盤、線路和銅皮與所述基銅直接導通；或者，采用鉆盲孔和通孔方式，通過盲孔、內部線路和通孔結合使局部蝕刻區(qū)域中所有的焊盤、線路和銅皮與所述基銅間接導通。

在其中一個實施例中，在所述圖鍍銅鎳金步驟后，所述外層圖形蝕刻步驟前，還包括步驟：第三次外層圖形轉移：在圖鍍銅鎳金后的PCB在制板上貼耐鍍金干膜，鍍硬金圖形區(qū)域干膜開窗；電鍍硬金：對鍍硬金圖形區(qū)域進行電鍍硬金處理并退膜。

在其中一個實施例中，所述準備PCB在制板的步驟包括：準備制作PCB在制板的多塊芯板、內層圖形制作、層壓多塊芯板、POFV（Plating Over Filled Via，通孔塞孔后孔上電鍍）工藝、鉆孔以及孔金屬化。一種由上述所述的印制線路板的制作方法制作得到的印制線路板。

印制線路板及其制作方法有益效果

《印制線路板及其制作方法》的有益效果在于：所述局部蝕刻區(qū)域中所有的焊盤、線路和銅皮均通過金屬孔與另一面的基銅處于導通，圖鍍銅鎳金時，局部蝕刻區(qū)域中所有的焊盤、線路和銅皮的頂面及側面上能夠形成銅鎳金包裹圈，在進行外層圖形蝕刻時，銅鎳金包裹圈能夠從頂面及所有側面對局部蝕刻區(qū)域圖形中的焊盤、線路和銅皮進行保護，能夠避免局部蝕刻區(qū)域中出現(xiàn)懸鎳問題，改善焊盤缺損問題、保證焊盤局部區(qū)域無懸鎳。所述印制線路板的制作方法，采用金屬孔進行導通使局部蝕刻區(qū)域的焊盤、線路和銅皮上形成銅鎳金包裹圈，無需另外增加導線導通，蝕刻完成后銅鎳金包裹圈也無需去除，工藝簡單，操作方便，能有效提高焊盤制作能力及合格率。所述印制線路板由上述印制線路板的制作方法制作得到，因此具備所述印制線路板的制作方法的技術效果，所述印制線路板局部區(qū)域焊盤及線路無懸鎳問題，使用性能穩(wěn)定。

水處理新材料及其制作方法專利目的

《水處理新材料及其制作方法》要解決的問題是，提供一種不僅具有上述的水處理效果，且在水中久泡不會松散，可多次重復使用的新材料，便于實現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)，以及水的循環(huán)使用。

水處理新材料及其制作方法技術方案

《水處理新材料及其制作方法》的發(fā)明人經(jīng)過長期的試驗研究，對新材料的配方、成形的形狀，成形的工藝，焙燒溫度等提出了較佳方案。為了既發(fā)揮凹凸棒粘土的優(yōu)越性能，更有利于增加新材料的孔吸率，同時又要能降低凹凸棒粘土的粘性，便于制作成形，且成形材料自重輕，發(fā)明人經(jīng)過對數(shù)十種材料的試驗，優(yōu)選了一種材質較疏松、重量輕的物質作為骨架材料，添加到凹凸棒粘土中，凹凸棒粘土和這種骨架材料的重量比為（50-80）:（20-50），兩者混合均勻后添加適量水攪和，并制作成形，經(jīng)風干后再入爐焙燒。

所述的骨架材料選用煤渣、煤灰、漂珠等，焙燒溫度以800-1100℃度為宜，焙燒時間約4小時左右。制成品的形狀可以是帶有孔的圓柱體、方形體，也可以是環(huán)形圈、小球體。制成品經(jīng)自然冷卻至室溫后，在其表面噴涂適量以芽孢桿菌為主的有益微生物制劑，經(jīng)過這樣處理，該材料放入水中后，在短時間內，其表面即可生成生物膜，而發(fā)揮生物處理效果。

水處理新材料及其制作方法有益效果

1、《水處理新材料及其制作方法》經(jīng)應用于廢水處理生產(chǎn)試驗證明，長期浸泡于水中不會崩散，且自重輕，出池、入池操作方便；

2、該發(fā)明不僅在水中久泡不會松散，而且它的孔吸率進一步增大，能更好地釋放微量元素，降解氨氮，便于有益微生物固著，處理效率高、效果好，更利于環(huán)保；

3、一次投料可長期使用，實現(xiàn)了連續(xù)化生產(chǎn)和水的循環(huán)使用；

4、當處理過的水質達不到要求時，則需對該材料進行活化處理，處理后的材料又可重復使用，從而節(jié)約了水處理成本；

5、該發(fā)明比其它水處理材料，如凹凸棒粘土、活性炭，麥飯石、沸石等，在處理效果相當?shù)那闆r下成本則更低。

蒸壓灰砂磚及其制作方法專利目的

《蒸壓灰砂磚及其制作方法》提供一種高摻量磷石膏蒸壓灰砂磚及其制作方法，解決了磷石膏摻加量不高的技術問題。

蒸壓灰砂磚及其制作方法技術方案

一種蒸壓灰砂磚，所述蒸壓灰砂磚包括以下重量百分比的原料：磷石膏15-45％、粉煤灰5-15％、骨料25-45％、改性劑5-13％、電石渣10-25％，所述改性劑為二氧化硅和三氧化二鋁的混合物，其中二氧化硅與三氧化二鋁的質量比為3-6:5-9。優(yōu)選的，所述蒸壓灰砂磚包括以下重量百分比的原料：磷石膏20-40％、粉煤灰7-13％、骨料29-38％、改性劑6-11％、電石渣13-21％。優(yōu)選的，所述蒸壓灰砂磚包括以下重量百分比的原料：磷石膏30％、粉煤灰10％、骨料35％、改性劑10％、電石渣15％。優(yōu)選的，所述蒸壓灰砂磚包括以下重量百分比的原料：磷石膏40％、粉煤灰15％、骨料25％、改性劑5％、電石渣15％。

一種蒸壓灰砂磚的制作方法，包括以下步驟：

S1、按照原料重量百分比稱取各個原料；S2、首先將電石渣、骨料、磷石膏和改性劑進行均勻計量經(jīng)皮帶送入給料斗內，再將給料斗內的物料和粉煤灰同時加入攪拌機，混合攪拌均勻，攪拌時間為3-5分鐘；S3、將步驟S2攪拌均勻的物料送入消解倉，存放消解3-5小時，隨后送入混粉機，再送入全自動液壓磚機壓制，經(jīng)過0.8-1.2兆帕飽和蒸汽、110-150℃蒸養(yǎng)、恒壓3-9小時制得成品。

優(yōu)選的，步驟S2所述攪拌過程中控制水份為10％-13％。

優(yōu)選的，步驟S3所述物料送入全自動液壓磚機壓制，經(jīng)過1.0兆帕飽和蒸汽、125-135℃蒸養(yǎng)。優(yōu)選的，步驟S3所述物料送入全自動液壓磚機壓制，恒壓4-7小時制得成品。

蒸壓灰砂磚及其制作方法改善效果

《蒸壓灰砂磚及其制作方法》蒸壓灰砂磚采用高摻量的磷石膏作為原料，配合新的改性劑以及其他成分，制得的蒸壓灰砂磚不會因為磷石膏摻比量的增加影響產(chǎn)品的性能指標，恰好相反還提高了產(chǎn)品的性能指標，如強度高、耐水性佳、耐久性好，提高了磷石膏的利用率，降低了大量磷石膏堆積造成的土地占有和環(huán)境污染；

《蒸壓灰砂磚及其制作方法》蒸壓灰砂磚科學的配方配合其制作方法，制得的蒸壓灰砂磚抗壓強度為15-18兆帕，抗折強度為2-3兆帕，軟化系數(shù)大于1，當產(chǎn)品遇水其致密度增加，進一步提高強度，碳化系數(shù)大于1，吸水率小于18％，凍融后質量損失小于3％，凍融后抗壓強度增加，制得的產(chǎn)品，凍融后抗壓強度增加、質量好，是其他蒸壓灰砂磚無法達到的；另外，在《蒸壓灰砂磚及其制作方法》蒸壓灰砂磚的制作過程中，蒸壓條件為1.0兆帕飽和蒸汽下，溫度只需130℃，能夠節(jié)約蒸汽成本，進而節(jié)約生產(chǎn)成本、降低能耗。