地下徑流在徑流沖蝕通道中的沖刷作用下形成的侵蝕稱作地下沖蝕或地下沖刷侵蝕。沖蝕作用必須具備各種節(jié)理裂隙(尤其是構造節(jié)理、垂直節(jié)理、濕陷裂隙、卸荷裂隙等等)或動植物孔洞等自由空間和通道,或者具備由其它形式潛蝕作用所形成的自由空間和通道,因而地層的結構特征以及許多情況下前期發(fā)生的滲流變形破壞是地下水流沖蝕作用的前提條件。
潛蝕是滲透到地下的水分對巖土的水蝕作用,或地下水在一定水力坡度下,由于動水壓力產生的滲流作用,將土體中較細顆粒沖動帶走的現(xiàn)象??蓪е禄潞退荩茐膲位捌渌そㄖ?。直蝕,即潛蝕作用下直接對巖土體結構造成破壞,一般多指物理潛蝕(化學潛蝕),地下一切以水的各種物理作用為主的侵蝕現(xiàn)象。由此看來,地下物理風化剝蝕及地下重力侵蝕兩種地下侵蝕由于并非地下水直接作用,且無一般無明顯的物質流失。物理潛蝕(機械潛蝕)只包括兩種情況:在多孔介質中的滲流作用下發(fā)生的潛蝕,即滲流潛蝕,其主要作用力是滲流力;地下孔流、空腔流、管流、洞穴流乃至于地下河流等挾沙水流等水動力沖刷作用為主的潛蝕,其主要作用力是地下徑流的沖刷力 。
管涌
所謂管涌,是指在任意方向滲透水流作用下,在砂或砂質土層內部空腔或外部的滲流出口處,細顆粒在粗顆粒形成的孔隙通道中集中移動、流失,或伴隨著細顆粒的流失粗顆粒也繼而流失,從而形成管狀侵蝕通道的現(xiàn)象。這樣定義的優(yōu)點有:(1)指出管涌是在滲流作用下形成的,以與有壓或無壓的孔流、空腔流、管流、洞穴流乃至于地下河流等作用下的各種侵蝕現(xiàn)象相區(qū)別;(2)發(fā)生管涌的滲流方向是任意方向的,避免了有的文獻只把管涌分為“垂直管涌”和“水平管涌”的局限性;(3)指明了發(fā)生管涌的土是砂或砂質土,因為黏性土中一般不發(fā)生管涌;(4)指出管涌既可發(fā)生在土層內部空穴壁或洞穴壁滲流出口處(層內管涌),也可以發(fā)生在土層外部臨空面滲流出口處(即一般意義上的管涌);(5)指明了細顆粒是“集中”移動或流失,并最終能夠形成管狀侵蝕通道,避免了和“滲透壓密”等概念的混淆;(6)對發(fā)生于層間的接觸管涌亦適用;(7)既包含了無害管涌,僅細顆粒移動、流失,雖然此時滲流量和滲流速度增大,但粗顆粒骨架并不發(fā)生破壞),也包含了有害管涌,包含粗顆粒的移動、流失,隨著孔隙擴大和滲流流速增加,較粗的顆粒也相繼被水流逐漸帶走而形成貫通的徑流管道,是一種漸進性質的破壞)。滲流垂直于兩種不同介質接觸面運動時,在土層中形成管狀通道,或滲流沿著兩種不同介質接觸面運動時將顆粒帶出而形成管狀通道的現(xiàn)象,這兩種現(xiàn)象統(tǒng)稱接觸管涌。
滲透壓密
在任意方向的滲流作用下,細顆粒在土體內發(fā)生移動,但由于滲透邊界條件限制而不流失于土體外,飽和土體在滲透力作用下會發(fā)生的體積縮小現(xiàn)象,正如松散堆積體在自重作用下產生自重壓密一樣,這種在滲透力作用下發(fā)生的土體整體或局部體積縮小的現(xiàn)象可稱為滲透壓密。以往大多都是研究土體在外荷載或自重作用下的壓密,很少研究由于滲透力產生的壓密問題。實際上盡管人們已經利用滲透壓密原理為工程服務,但對滲透壓密機理的理論揭示很少,致使限制了對一些問題的深入認識。如土的滲透系數(shù)與施加于試樣的水力比降有關,其本質是滲透壓密作用的反映。水力沖填壩、尾礦壩利用滲透壓密作用提高初期填土的干密度,堤壩的滲流控制時用天然淤積鋪蓋來提高防滲性能等,均屬于利用滲透壓密原理為工程服務的典型實例,但通常只認為是自重作用而忽視了滲透壓密。另外,許多工程問題又與滲透壓密性狀有關,如一些工程的天然鋪蓋,在運行多年后仍產生裂縫,主要是水頭的變化引起鋪蓋滲透壓密產生的不均勻沉降所造成。2100433B
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在工程施工中,特別是地下工程施工中,我們會遇到各種意想不到的情況,會有各種各樣的困難,但是只要我們能夠抓住關鍵,仔細觀察,靈活應用各種施工工藝,一定會能夠解決這些困難。本文主要對高水位無降水地下沖渣溝施工進行了分析,以供同行參考。
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評分: 4.5
分析水下沖孔灌注樁在地下水較為豐富,同時穿越流沙層,圓礫混卵石層等復雜地質條件施工中的質量控制及樁基方案的應用,,并對沖孔灌注樁軸線尺寸容易發(fā)生偏位的質量通病和泥漿排放是城市樁基文明施工的難題提出了有效的治理方案,實踐證明樁型的選用和施工質量控制方法是正確的,也得到了明顯的效果。
刻蝕方法
刻蝕最簡單最常用分類是:干法刻蝕和濕法刻蝕。顯而易見,它們的區(qū)別就在于濕法使用溶劑或溶液來進行刻蝕。
濕法刻蝕是一個純粹的化學反應過程,是指利用溶液與預刻蝕材料之間的化學反應來去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而達到刻蝕目的。其特點是:
濕法刻蝕在半導體工藝中有著廣泛應用:磨片、拋光、清洗、腐蝕
優(yōu)點是選擇性好、重復性好、生產效率高、設備簡單、成本低
缺點是:鉆刻嚴重、對圖形的控制性較差,不能用于小的特征尺寸;會產生大量的化學廢液
干法刻蝕種類很多,包括光揮發(fā)、氣相腐蝕、等離子體腐蝕等。其優(yōu)點是:各向異性好,選擇比高,可控性、靈活性、重復性好,細線條操作安全,易實現(xiàn)自動化,無化學廢液,處理過程未引入污染,潔凈度高。缺點是:成本高,設備復雜。干法刻蝕主要形式有純化學過程(如屏蔽式,下游式,桶式),純物理過程(如離子銑),物理化學過程,常用的有反應離子刻蝕RIE,離子束輔助自由基刻蝕ICP等。
干法刻蝕方式很多,一般有:濺射與離子束銑蝕, 等離子刻蝕(Plasma Etching),高壓等離子刻蝕,高密度等離子體(HDP)刻蝕,反應離子刻蝕(RIE)。另外,化學機械拋光CMP,剝離技術等等也可看成是廣義刻蝕的一些技術。
指泵入口處液體所具有的總水頭與液體汽化時的壓力頭之差,單位用米(水柱)標注,用(NPSH)表示,具體分為如下幾類:
NPSHa——裝置汽蝕余量又叫有效汽蝕余量,越大越不易汽蝕;
NPSHr——泵汽蝕余量,又叫必需的汽蝕余量或泵進口動壓降,越小抗汽蝕性能越好;
NPSHc——臨界汽蝕余量,是指對應泵性能下降一定值的汽蝕余量;
[NPSH]——許用汽蝕余量,是確定泵使用條件用的汽蝕余量,通常取[NPSH]=(1.1~1.5)NPSHc。
離心泵運轉時,液體壓力沿著泵入口到葉輪入口而下降,在葉片入口附近的K點上,液體壓力pK最低。此后由于葉輪對液體作功,液體壓力很快上升。當葉輪葉片入口附近的壓力pK小于液體輸送溫度下的飽和蒸汽壓力pv時,液體就汽化。同時,使溶解在液體內的氣體逸出。它們形成許多汽泡。當汽泡隨液體流到葉道內壓力較高處時,外面的液體壓力高于汽泡內的汽化壓力,則汽泡又重新凝結潰滅形成空穴,瞬間內周圍的液體以極高的速度向空穴沖來,造成液體互相撞擊,使局部的壓力驟然增加(有的可達數(shù)百個大氣壓)。這樣,不僅阻礙液體正常流動,尤為嚴重的是,如果這些汽泡在葉輪壁面附近潰滅,則液體就像無數(shù)個小彈頭一樣,連續(xù)地打擊金屬表面。其撞擊頻率很高(有的可達2000~3000Hz),于是金屬表面因沖擊疲勞而剝裂。如若汽泡內夾雜某種活性氣體(如氧氣等),它們借助汽泡凝結時放出的熱量(局部溫度可達200~300℃),還會形成熱電偶,產生電解,形成電化學腐蝕作用,更加速了金屬剝蝕的破壞速度。上述這種液體汽化、凝結、沖擊、形成高壓、高溫、高頻沖擊負荷,造成金屬材料的機械剝裂與電化學腐蝕破壞的綜合現(xiàn)象稱為氣蝕。
離心泵最易發(fā)生氣蝕的部位有
a.葉輪曲率最大的前蓋板處,靠近葉片進口邊緣的低壓側;
b.壓出室中蝸殼隔舌和導葉的靠近進口邊緣低壓側;
c.無前蓋板的高比轉數(shù)葉輪的葉梢外圓與殼體之間的密封間隙以及葉梢的低壓側;
d.多級泵中第一級葉輪。
提高離心泵抗氣蝕性能有下列兩種措施:
a.提高離心泵本身抗氣蝕性能的措施!
(1)改進泵的吸入口至葉輪附近的結構設計。增大過流面積;增大葉輪蓋板進口段的曲率半徑,減小液流急劇加速與降壓;適當減少葉片進口的厚度,并將葉片進口修圓,使其接近流線型,也可以減少繞流葉片頭部的加速與降壓;提高葉輪和葉片進口部分表面光潔度以減小阻力損失;將葉片進口邊向葉輪進口延伸,使液流提前接受作功,提高壓力。
(2)采用前置誘導輪,使液流在前置誘導輪中提前作功,以提高液流壓力。
(3)采用雙吸葉輪,讓液流從葉輪兩側同時進入葉輪,則進口截面增加一倍,進口流速可減少一倍。
(4)設計工況采用稍大的正沖角,以增大葉片進口角,減小葉片進口處的彎曲,減小葉片阻塞,以增大進口面積;改善大流量下的工作條件,以減少流動損失。但正沖角不宜過大,否則影響效率。
(5)采用抗氣蝕的材料。實踐表明,材料的強度、硬度、韌性越高,化學穩(wěn)定性越好,抗氣蝕的性能越強。
b.提高進液裝置有效氣蝕余量的措施
(1)增加泵前貯液罐中液面的壓力,以提高有效氣蝕余量。
(2)減小吸上裝置泵的安裝高度。
(3)將上吸裝置改為倒灌裝置。
(4)減小泵前管路上的流動損失。如在要求范圍盡量縮短管路,減小管路中的流速,減少彎管和閥門,盡量加大閥門開度等。
以上措施可根據泵的選型、選材和泵的使用現(xiàn)場等條件,進行綜合分析,適當加以應用。
什么叫氣蝕余量?什么叫吸程?各自計量單位及表示字母?
答:泵在工作時液體在葉輪的進口處因一定真空壓力下會產生液體汽體,汽化的氣泡在液體質點的撞擊運動下葉輪等金屬表面產生剝落,從而破壞葉輪等金屬,此時真空壓力叫汽化壓力,氣蝕余量是指在泵吸入口處單位重量液體所具有的超過汽化壓力的富余能量。單位為米液柱,用(NPSH)r表示。
吸程即為必需氣蝕余量Δ/h:即泵允許吸液體的真空度,亦即泵允許幾何安裝高度。單位用米。吸程=標準大氣壓(10.33米)--氣蝕余量--安全量(0.5)標準大氣壓能壓上管路真空高度10.33米
如題:泵氣蝕余量為5.0米,則吸程Δh=10.33-5.0-0.5=4.67米
濕法刻蝕是一種刻蝕方法,是將刻蝕材料浸泡在腐蝕液內進行腐蝕的技術。
主要在較為平整的膜面上刻出絨面,從而增加光程,減少光的反射,刻蝕可用稀釋的鹽酸等。
簡單來說,就是中學化學課中化學溶液腐蝕的概念,它是一種純化學刻蝕,具有優(yōu)良的選擇性,刻蝕完當前薄膜就會停止,而不會損壞下面一層其他材料的薄膜。由于所有的半導體濕法刻蝕都具有各向同性,所以無論是氧化層還是金屬層的刻蝕,橫向刻蝕的寬度都接近于垂直刻蝕的深度。這樣一來,上層光刻膠的圖案與下層材料上被刻蝕出的圖案就會存在一定的偏差,也就無法高質量地完成圖形轉移和復制的工作,因此隨著特征尺寸的減小,在圖形轉移過程中基本不再使用。
目前,濕法刻蝕一般被用于工藝流程前面的晶圓片準備、清洗等不涉及圖形的環(huán)節(jié),而在圖形轉移中干法刻蝕已占據主導地位。2100433B