跨導(dǎo)增益

跨導(dǎo)增益真空管

對(duì)于真空管，跨導(dǎo)被定義為板（陽(yáng)極）/陰極電流的變化除以電網(wǎng)/陰極電壓的相應(yīng)變化，恒定板（陽(yáng)極）/陰極電壓。g_m典型值為小信號(hào)真空管是1至10毫西門(mén)子。它是真空管的三個(gè)特征常數(shù)之一，另外兩個(gè)是增益μ（mu）和平板電阻r_p或r_a。在范德Bijl公式定義它們之間的關(guān)系如下：

跨導(dǎo)增益場(chǎng)效應(yīng)晶體管

類似地，在場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOSFET中，跨導(dǎo)是漏極電流的改變除以柵極/源極電壓的小改變以及恒定的漏極/源極電壓。g_m的典型值為小信號(hào)場(chǎng)效應(yīng)晶體管是1至30毫西門(mén)子。

使用Shichman-Hodges模型，MOSFET的跨導(dǎo)增益可以表示為：

其中I_D是在直流漏電流偏置點(diǎn)，和V_OV是過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓，這是偏置點(diǎn)柵極-源極電壓和之間的差的閾值電壓（即，V_OV≡V_GS-V_th）。的過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓（有時(shí)也被稱為有效電壓）在約70-200毫伏習(xí)慣上選擇用于65納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)（I_D≈1.13mA/μm），用于g_m的11-32mS/μm。

另外，結(jié)FET的跨導(dǎo)增益由下式給出，其中V_P是夾斷電壓，I_DSS是最大漏極電流。

傳統(tǒng)上，上式中給出的FET和MOSFET的跨導(dǎo)是使用微積分從每個(gè)器件的傳輸方程導(dǎo)出的。然而，卡特賴特已經(jīng)證明，這可以在沒(méi)有微積分的情況下完成。

跨導(dǎo)增益雙極晶體管

所述g_m的雙極小信號(hào)晶體管差別很大，成比例的集電極電流。典型的范圍是1到400毫西門(mén)子。在基極/發(fā)射極之間施加輸入電壓變化，輸出是在具有恒定的集電極/發(fā)射極電壓的集電極/發(fā)射極之間流動(dòng)的集電極電流的變化。

雙極晶體管的跨導(dǎo)增益可以表示為

其中I_C=在Q點(diǎn)的DC集電極電流，V_T=熱電壓，在室溫下通常約為26mV。10毫安，典型電流g_m≈385毫秒。

輸出（集電極）電導(dǎo)由Early電壓決定，與集電極電流成正比。對(duì)于線性操作的大多數(shù)晶體管，它遠(yuǎn)低于100μS。

跨導(dǎo)增益跨導(dǎo)放大器

跨導(dǎo)放大器（gm放大器）推出的電流正比于它的輸入電壓。在網(wǎng)絡(luò)分析中，跨導(dǎo)放大器被定義為電壓控制電流源（VCCS）。看到這些放大器安裝在共源共柵配置，這是常見(jiàn)的，這提高了頻率響應(yīng)。

跨導(dǎo)增益跨阻放大器

跨阻放大器輸出正比于它的輸入電流的電壓?？缱璺糯笃魍ǔ１环Q為跨阻放大器，特別是半導(dǎo)體制造商。

網(wǎng)絡(luò)分析中的跨阻放大器的術(shù)語(yǔ)是電流控制電壓源（CCVS）。一個(gè)基本的反相互阻放大器可以由一個(gè)運(yùn)算放大器和一個(gè)電阻構(gòu)成。只需在運(yùn)算放大器的輸出端和反相輸入端之間連接電阻，并將同相輸入端接地即可。然后，輸出電壓將與反相輸入端的輸入電流成比例，隨著輸入電流的增加而減小，反之亦然。在實(shí)踐中，任何器件的寄生電容連接到運(yùn)算放大器的虛擬地可能使其不穩(wěn)定，并且必須在輸出和反相引腳之間并聯(lián)添加補(bǔ)償電容。達(dá)到這個(gè)補(bǔ)償電容的最佳值可能是不平凡的。專用芯片跨阻（互阻抗）放大器廣泛用于放大來(lái)自超高速光纖鏈路接收端的光電二極管的信號(hào)電流。MAX3724和MAX3725就是例子。

跨導(dǎo)增益運(yùn)算跨導(dǎo)放大器

一個(gè)運(yùn)算跨導(dǎo)放大器（OTA）是集成電路能夠作為跨導(dǎo)放大器的作用。這些通常有一個(gè)允許跨導(dǎo)控制的輸入。

跨導(dǎo)（英語(yǔ)：Transconductance）是電子元件的一項(xiàng)屬性。電導(dǎo)（G）是電阻（R）的倒數(shù)；而跨導(dǎo)增益則指輸出端電流的變化值與輸入端電壓的變化值之間的比值。通常用 g_m表示。

對(duì)于直流電，跨導(dǎo)增益可以定義為：

對(duì)于交流電小信號(hào)模型，跨導(dǎo)增益的定義相對(duì)更為簡(jiǎn)單：

跨阻（轉(zhuǎn)移電阻），也常常被稱為互阻，是跨導(dǎo)的雙重性。它是指兩個(gè)輸出點(diǎn)電壓變化與兩個(gè)輸入點(diǎn)電流變化的比值，記為r_m：

跨阻國(guó)際單位就是歐姆，就像阻力一樣。

跨阻（或轉(zhuǎn)移阻抗）是互阻的交流等效，是互導(dǎo)的二元。

跨導(dǎo)真空管

對(duì)于真空管，跨導(dǎo)被定義為板（陽(yáng)極）/陰極電流的變化除以電網(wǎng)/陰極電壓的相應(yīng)變化，恒定板（陽(yáng)極）/陰極電壓。g_m典型值為小信號(hào)真空管是1至10毫西門(mén)子。它是真空管的三個(gè)特征常數(shù)之一，另外兩個(gè)是增益μ（mu）和平板電阻r_p或r_a。在范德Bijl公式定義它們之間的關(guān)系如下：

跨導(dǎo)場(chǎng)效應(yīng)晶體管

類似地，在場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOSFET中，跨導(dǎo)是漏極電流的改變除以柵極/源極電壓的小改變以及恒定的漏極/源極電壓。g_m的典型值為小信號(hào)場(chǎng)效應(yīng)晶體管是1至30毫西門(mén)子。

使用Shichman-Hodges模型，MOSFET的跨導(dǎo)可以表示為：

其中I_D是在直流漏電流偏置點(diǎn)，和V_OV是過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓，這是偏置點(diǎn)柵極-源極電壓和之間的差的閾值電壓（即，V_OV≡V_GS-V_th）。的過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓（有時(shí)也被稱為有效電壓）在約70-200毫伏習(xí)慣上選擇用于65納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)（I_D≈1.13mA/μm），用于g_m的11-32mS/μm。

另外，結(jié)FET的跨導(dǎo)由下式給出，其中V_P是夾斷電壓，I_DSS是最大漏極電流。

傳統(tǒng)上，上式中給出的FET和MOSFET的跨導(dǎo)是使用微積分從每個(gè)器件的傳輸方程導(dǎo)出的。然而，卡特賴特已經(jīng)證明，這可以在沒(méi)有微積分的情況下完成。

跨導(dǎo)雙極晶體管

所述g_m的雙極小信號(hào)晶體管差別很大，成比例的集電極電流。典型的范圍是1到400毫西門(mén)子。在基極/發(fā)射極之間施加輸入電壓變化，輸出是在具有恒定的集電極/發(fā)射極電壓的集電極/發(fā)射極之間流動(dòng)的集電極電流的變化。

雙極晶體管的跨導(dǎo)可以表示為

其中I_C=在Q點(diǎn)的DC集電極電流，V_T=熱電壓，在室溫下通常約為26mV。10毫安，典型電流g_m≈385毫秒。

輸出（集電極）電導(dǎo)由Early電壓決定，與集電極電流成正比。對(duì)于線性操作的大多數(shù)晶體管，它遠(yuǎn)低于100μS。

跨導(dǎo)通常用g_m表示。對(duì)于直流電，跨導(dǎo)可以定義為：

對(duì)于交流電小信號(hào)模型，跨導(dǎo)的定義相對(duì)更為簡(jiǎn)單：

在SI單位中，西門(mén)子公司，用符號(hào)，S；1西門(mén)子=1安培每伏更換舊的電導(dǎo)率，具有相同的定義，mho（歐姆拼寫(xiě)向后），符號(hào)，?。