中文名 | 最大短路功率 | 外文名 | maximum short-circuit power |
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所屬學(xué)科 | 電氣工程 | 公布時(shí)間 | 1998年 |
《電氣工程名詞》第一版。 2100433B
1998年,經(jīng)全國(guó)科學(xué)技術(shù)名詞審定委員會(huì)審定發(fā)布。
常見最大的做到7W,COB芯片的散熱要求太高,一般廠家都不敢做大瓦數(shù)的。這個(gè)芯片壞的比較快。當(dāng)然其它材料的話可能會(huì)大一點(diǎn)。希望可以幫到你。
常見最大的做到7W,COB芯片的散熱要求太高,一般廠家都不敢做大瓦數(shù)的。這個(gè)芯片壞的比較快。當(dāng)然其它材料的話可能會(huì)大一點(diǎn)。希望可以幫到你。
如果你理解了單相接地故障的故障,那么電流流過另外兩個(gè)相的電流不會(huì)受到影響,而流過一個(gè)相的電流是零序電流的三倍。雖然其余兩相電流不受影響,但相電壓會(huì)增加。建議查閱電力系統(tǒng)分析書,可以了解詳細(xì)的計(jì)算公式。
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評(píng)分: 4.3
國(guó)內(nèi)開挖斷面最大的鐵路雙線隧道江西板背隧道日前貫通。據(jù)承建單位中鐵十八局集團(tuán)介紹,板背隧道是國(guó)家重點(diǎn)工程浙贛線電氣化改造工程江西段最長(zhǎng)的隧道,全長(zhǎng)931米,斷面最大跨度16米,最大高度13米。施工采取了短臺(tái)階開挖法等技術(shù),大大縮短了掘進(jìn)循環(huán)時(shí)間,為浙贛線電氣化提速改造工程全面完工創(chuàng)造了條件。
最大持續(xù)功率,又叫做額定功率、標(biāo)定功率等,是指在標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境條件下,發(fā)動(dòng)機(jī)機(jī)以標(biāo)定轉(zhuǎn)速允許長(zhǎng)期連續(xù)運(yùn)行的最大有效功率。
選擇斷路器時(shí),用最大短路容量。
設(shè)計(jì)院在設(shè)計(jì)一套裝置時(shí),電氣上主要的把握就是考慮各級(jí)母線關(guān)合電流的等級(jí),也就是考慮電網(wǎng)短路電流及發(fā)電機(jī)反饋電流的條件下,發(fā)生故障時(shí)斷路器的分?jǐn)嗄芰?。接觸比較多的鋼廠和石化,其供電方式一般是將110kV電壓經(jīng)三繞組變壓器后送到各處。歷史悠久一點(diǎn)的廠大都采用6kV電壓等級(jí),這是因?yàn)殚_始的設(shè)備大都采用6kV電壓等級(jí)。隨著規(guī)模的擴(kuò)大,包括設(shè)備規(guī)模和供電規(guī)模的擴(kuò)大,采用6kV電壓等級(jí)時(shí),往往能導(dǎo)致最大短路電流超過40kA,也就是需要采用50kA等級(jí)的斷路器。而50kA斷路器的成本要比40kA的高的多,所以開關(guān)器件選型困難。新上的系統(tǒng)或改造的系統(tǒng),都是10kV的電壓等級(jí),其主要原因就在于此。
最大耗散功率(Maximum dissipation power):
(1)對(duì)于雙極型晶體管:
BJT的總耗散功率為Pc=Ie Vbe Ic Vcb Ic rcs ≈ Ic Vcb),并且Pc關(guān)系到輸出的最大交流功率Po:Po = (供給晶體管的直流功率Pd) – (晶體管耗散的功率Pc) = [η/(1–η)]Pc ∝ Pc,即輸出交流功率與晶體管的耗散功率成正比(η= Po / Pd是轉(zhuǎn)換效率)。晶體管功率的耗散(消耗)即發(fā)熱,如果此熱量不能及時(shí)散發(fā)掉, 則將使集電結(jié)的結(jié)溫Tj升高, 這就限制了輸出功率的提高;最高結(jié)溫Tjm(一般定為175 oC)時(shí)所對(duì)應(yīng)的耗散功率即為最大耗散功率Pcm 。為了提高Po,就要求提高Pc, 但Pc的提高又受到結(jié)溫的限制,為使結(jié)溫不超過Tjm,就需要減小晶體管的熱阻Rt;最大耗散功率Pcm ∝1/ Rt 。最高結(jié)溫Tjm時(shí)所對(duì)應(yīng)的最大耗散功率為(Pcms≥Pcm ):穩(wěn)態(tài)時(shí), Pcm = (Tjm–Ta) / Rt ;瞬態(tài)時(shí),Pcms = (Tjm–Ta) / Rts 。
提高PCM的措施,主要是降低熱阻RT和降低環(huán)境溫度Ta ;同時(shí),晶體管在脈沖和高頻工作時(shí), PC增大, 安全工作區(qū)擴(kuò)大,則最大耗散功率增大,輸出功率也相應(yīng)提高。
(2)對(duì)于MOSFET:
其最大輸出功率也要受到器件散熱能力的限制:Pcm = (Tjm–Ta) / Rt,MOSFET的最高結(jié)溫Tjm仍然定為175 oC, 發(fā)熱中心是在漏結(jié)附近的溝道表面處, 則Rt主要是芯片的熱阻 (熱阻需要采用計(jì)算傳輸線特征阻抗的方法來求出)。