淀池斜板填料基本信息

中文名 淀池斜板填料 類????別 填料
類????型 淀池 對????象 斜板

1. 濕周大，水力半徑小。

2. 層流狀態(tài)好，顆粒沉降不受絮流干擾。

3. 當(dāng)斜管管長為1米時，有效負(fù)荷按3-5噸/米2·時設(shè)計。V0控制在2.5-3.0毫米/秒范圍內(nèi)，出水水質(zhì)最佳。

4. 在取水口處采用蜂窩斜管，管長2.0～3.0米時，可在50-100公斤/米3泥砂含量的高濁度中安全運(yùn)行處理。

5. 采用斜管沉淀池，其處理能力是平流式沉淀池的3-5倍，加速澄清池和脈沖澄清池的2-3倍。

淀池斜板填料造價信息

市場價 信息價 詢價
材料名稱 規(guī)格/型號 市場價
（除稅）		 工程建議價
（除稅）		 行情 品牌 單位 稅率 供應(yīng)商 報價日期
斜板填料 Ф80,PP 查看價格 查看價格

m2 13% 廣州美琳環(huán)?？萍加邢薰?/a>
斜板填料 Ф80,PP 查看價格 查看價格

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厭氧池填料 軟性組合式 查看價格 查看價格

金點(diǎn)

 m3 13% 廣州市金點(diǎn)環(huán)保工程有限公司
好氧池填料 彈性組合填料 含組件 查看價格 查看價格

m3 13% 廣東瑞智環(huán)?？萍加邢薰?湛江市廠商期刊)
斜管填料 Ф35×1000mm 查看價格 查看價格

m2 13% 廣州市綠燁環(huán)保設(shè)備有限公司
好氧池填料 軟性組合式 查看價格 查看價格

金點(diǎn)

 m3 13% 廣州市金點(diǎn)環(huán)保工程有限公司
二沉池斜管填料 PP 查看價格 查看價格

金點(diǎn)

 m3 13% 廣州市金點(diǎn)環(huán)保工程有限公司
MBBR填料 16*10*6孔 查看價格 查看價格

m3 13% 宜興市超華水處理填料有限公司
材料名稱 規(guī)格/型號 除稅
信息價		 含稅
信息價		 行情 品牌 單位 稅率 地區(qū)/時間
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m2 韶關(guān)市2010年4月信息價
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m2 肇慶市2003年3季度信息價
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kg 潮州市2015年2季度信息價
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kg 潮州市2014年4季度信息價
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kg 潮州市2014年3季度信息價
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kg 潮州市2014年2季度信息價
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kg 潮州市2012年4季度信息價
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kg 韶關(guān)市2011年4月信息價
材料名稱 規(guī)格/需求量 報價數(shù) 最新報價
（元）		 供應(yīng)商 報價地區(qū) 最新報價時間
斜板填料 1.名稱:斜板填料;2.規(guī)格、型號: Ф80;3.安裝方式:斜80°放置于沉淀池內(nèi);|2m2 1 查看價格 宜興市水立方環(huán)保設(shè)備有限公司 廣東  順德市 2019-07-16
斜板填料 SYS-XB-10 H=1.0m 間距10cm 厚度3mm PE|66m2 1 查看價格 無錫思宸環(huán)保設(shè)備有限公司 廣西  南寧市 2019-09-04
斜板填料 厚度:0.6mm,孔徑Ф80,高度1-2m|1m3 1 查看價格 江蘇天雨環(huán)保集團(tuán)有限公司 廣西  賀州市 2021-04-06
斜板填料 厚度:0.6mm,孔徑Ф80,高度1-2m|1m3 2 查看價格 宜興市水立方環(huán)保設(shè)備有限公司 廣西  賀州市 2021-04-06
斜板填料 Ф80,PP|54m2 3 查看價格 斜板填料支架 1.名稱:斜板填料支架;2.規(guī)格、型號: Ф50鍍鋅方通制作;3.安裝方式:放置于沉淀池內(nèi);|2m2 1 查看價格 宜興市水立方環(huán)保設(shè)備有限公司 廣東  順德市 2019-07-16
斜板填料支架 S304材質(zhì),D14圓鋼、D80鋼管、50角鋼等|1套 3 查看價格 宜興市諾德環(huán)保設(shè)備有限公司 全國   2020-11-11
斜板填料及支架 角度 60 °|25m3 1 查看價格 廣東岑安機(jī)電有限公司 廣東   2022-05-07

Φ25mm、Φ35m、Φ50mm、Φ80mm

淀池斜板填料材質(zhì)有聚丙烯（PP）聚氯乙烯（PVC）和玻璃鋼（FRP）三種。組裝形式的斜管和直管兩種形式。它適用范圍廣，處理效果高，占地面積小等優(yōu)點(diǎn)。適用于進(jìn)水口除砂，一般工業(yè)和生活給水沉淀、污水沉淀、隔油以及尾張濃縮等處理，即適用于新建工程，又適用于現(xiàn)有舊池的改造，均能取得良好的經(jīng)濟(jì)效益。

淀池斜板填料常見問題

淀池斜板填料文獻(xiàn)

斜板沉淀池設(shè)計 斜板沉淀池設(shè)計

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頁數(shù)： 14頁

評分： 4.7

. . 環(huán)保設(shè)備課程作業(yè) 作業(yè) 1： 斜板沉淀池設(shè)計計算 采用異向流斜板沉淀池 1. 設(shè)計所采用的數(shù)據(jù) ① 由于斜板沉淀池在絮凝池之后，經(jīng)過加藥處理，故負(fù)荷較高，取 q=3.0mm/s ② 斜板有效系數(shù) η取 0.8 ，η=0.6~0.8 ③ 斜板水平傾角 θ=60° ④ 斜板斜長 L=1.2m ⑤ 斜板凈板距 P=0.05m P 一般取 50~150mm ⑥ 顆粒沉降速度 μ=0.4mm/s=0.0004m/s 2. 沉淀池面積 式中 Q——進(jìn)水流量， m3/d q ——容積負(fù)荷， mm/s 3.斜板面積 η 需要斜板實(shí)際總面積為 4.斜板高度 ° 5.沉淀池長寬 設(shè)斜板間隔數(shù)為 N=130個 則斜板部分長度為 ° 斜板部分位于沉淀池中間，斜板底部左邊距池邊距離 l 2=0.1m，斜板底部右邊距池邊距 離 l 3=0.8m，則池長 L=7.5+0

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氟碳驅(qū)菌涂料用于斜板(管)沉淀池中的實(shí)驗(yàn)研究 氟碳驅(qū)菌涂料用于斜板(管)沉淀池中的實(shí)驗(yàn)研究

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頁數(shù)： 3頁

評分： 4.3

論證了氟碳材料在斜板(管)沉淀池當(dāng)中應(yīng)用的可行性,將氟碳涂料涂到斜板(管)上,利用氟碳涂料具有很低的表面能而對細(xì)菌具有驅(qū)趕作用,來解決斜板(管)沉淀池中由于結(jié)生物膜而帶來的問題;提出可以將氟碳材料加入到斜板(管)的制作材料當(dāng)中,來減小微生物對斜板(管)的附著作用。并在污水處理系統(tǒng)的曝氣池中進(jìn)行了掛板實(shí)驗(yàn),實(shí)驗(yàn)證明生活污水處理可以用涂氟碳材料的斜板(管)沉淀池,以提高斜板(管)沉淀池的效率。

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化學(xué)氣相淀積

CVD (Chemical Vapor Deposition) 指把含有構(gòu)成薄膜元素的氣態(tài)反應(yīng)劑或液態(tài)反應(yīng)劑的蒸氣及反應(yīng)所需其它氣體引入反應(yīng)室，在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的過程。在超大規(guī)模集成電路中很多薄膜都是采用CVD方法制備。

化學(xué)氣相淀積特點(diǎn):淀積溫度低，薄膜成份易控，膜厚與淀積時間成正比，均勻性，重復(fù)性好，臺階覆蓋性優(yōu)良。

化學(xué)氣相淀積是把含有構(gòu)成薄膜元素的氣態(tài)反應(yīng)劑引入反應(yīng)室，在晶圓表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而生成所需的固態(tài)薄膜并淀積在其表面。

目前，在芯片制造過程中，大部分所需的薄膜材料，不論是導(dǎo)體、半導(dǎo)體，或是介電材料，都可以用化學(xué)氣相淀積來制備，如二氧化硅膜、氮化硅膜、多晶硅膜等。它具有淀積溫度低，薄膜成分和厚度易控，薄膜厚度與淀積時間成正比，均勻性與重復(fù)性好，臺階覆蓋好，操作方便等優(yōu)點(diǎn)。其中淀積溫度低和臺階覆蓋好對超大規(guī)模集成電路的制造十分有利。因此是目前集成電路生產(chǎn)過程中最重要的薄膜淀積方法。目前常用的有常壓化學(xué)氣相淀積、低壓化學(xué)氣相淀積以及等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積等。

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化學(xué)汽相淀積工藝正文

用氣態(tài)反應(yīng)原料在固態(tài)基體表面反應(yīng)并淀積成固體薄層或薄膜的工藝過程，類似于汽相外延工藝(見外延生長)。60年代，隨著集成電路平面技術(shù)的發(fā)展，化學(xué)汽相淀積工藝受到重視而得到迅速發(fā)展。當(dāng)時主要是常壓下的化學(xué)汽相淀積，稱為常壓化學(xué)汽相淀積工藝。70年代后期，低壓化學(xué)汽相淀積工藝取得顯著進(jìn)展，在集成電路制造工藝中發(fā)揮了更大的作用。在應(yīng)用低壓化學(xué)汽相工藝的同時，等離子化學(xué)汽相淀積工藝和金屬有機(jī)化學(xué)汽相淀積工藝也得到迅速發(fā)展。

化學(xué)汽相淀積工藝常用于制造導(dǎo)電薄膜(如多晶硅、非晶硅)或絕緣薄膜(如氧化硅、氮化硅和磷硅玻璃等)。這些薄膜經(jīng)過光刻和腐蝕，可形成各種電路圖案，與其他工藝相配合即可構(gòu)成集成電路。常見的淀積薄膜的化學(xué)反應(yīng)式如下:

SiH4─→Si(多晶硅或非晶硅)+2H2

SiH4+4N2O─→SiO2+2H2O+4N2

SiH4+2O2─→SiO2+2H2O

3SiH4+4NH3─→Si3N4+12H2

3SiH2Cl2+10NH3─→Si3N4+6NH4Cl+6H2

SiH4+2xPH3+2(2x+1)O2─→

SiO2·xP2O5(磷硅玻璃)+(3x+2)H2O

化學(xué)汽相淀積工藝還可用于其他方面，如制造超導(dǎo)薄膜材料鈮鍺合金(Nb3Ge)、光學(xué)掩模材料氧化鐵、光纖芯材鍺硅玻璃(SiO2·xGeO2)，以及裝飾性薄膜氮化鈦等。

3NbCl4+GeCl4+8H2─→Nb3Ge+16HCl

4Fe(CO)5+3O2─→2Fe2O3+20CO

與物理汽相淀積薄膜工藝(如蒸發(fā)、濺射、離子鍍等)相比，化學(xué)汽相淀積具有設(shè)備簡單和成本低的優(yōu)點(diǎn)，化學(xué)汽相淀積工藝，也可用于制造體材料，例如，高純?nèi)裙柰橛脷溥€原，在加熱的硅棒上不斷淀積出硅，使硅棒變粗，形成棒狀高純硅錠，成為制備半導(dǎo)體硅單晶的原料。

常壓化學(xué)汽相淀積 圖1a是高頻感應(yīng)加熱的常壓化學(xué)汽相淀積裝置，感應(yīng)受熱基座通常用石墨制成，在基座上放置片狀的襯底。例如，以單晶硅片為襯底，在硅片上淀積氧化硅、氮化硅、多晶硅或磷硅玻璃等薄膜。圖1b是電阻平臺加熱的多噴頭常壓化學(xué)汽相淀積裝置,用硅烷、磷烷或氧為原料,以氮?dú)忉屜?在400℃左右淀積氧化硅或磷硅玻璃。連續(xù)傳送裝置可以提高產(chǎn)量并改善均勻性。

低壓化學(xué)汽相淀積 圖2是低壓化學(xué)汽相淀積裝置原理，采用管式電阻爐加熱，在爐內(nèi)以直立式密集裝片。片的平面垂直于氣流方向。由于在低壓(約50帕)下工作，氣體分子的平均自由程比常壓下增加1000多倍以上，擴(kuò)散過程加快，片與片之間的距離約幾毫米。因此,每一個裝片架上可以放100~200個片子,產(chǎn)量比常壓法增加十多倍。這種工藝在半導(dǎo)體器件制造過程中，可淀積多種薄膜，應(yīng)用很廣。

等離子化學(xué)汽相淀積 利用高頻電場使低壓下的氣體產(chǎn)生輝光放電，形成非平衡等離子體，其中能量較高的電子撞擊反應(yīng)氣體分子，促使反應(yīng)在較低溫度下進(jìn)行，淀積成薄膜(圖3)。這種工藝主要用于制備集成電路或其他半導(dǎo)體芯片表面鈍化保護(hù)層，以提高器件可靠性和穩(wěn)定性。

參考書目

Donald T.Hawkins ed.,Chemical Vapor Deposition1960~1980, IFI/Plenum Data Co.,New York,1981.

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產(chǎn)品簡介：

環(huán)保斜板填料材質(zhì)有聚丙烯（PP）聚氯乙烯（PVC）和玻璃鋼（FRP）三種。組裝形式的斜管和直管兩種形式。環(huán)保斜板填料主要用于各種沉淀和除砂作用。它適用范圍廣，處理效果高，占地面積小等優(yōu)點(diǎn)。適用于進(jìn)水口除砂，一般工業(yè)和生活給水沉淀、污水沉淀、隔油以及尾張濃縮等處理，即適用于新建工程，又適用于現(xiàn)有舊池的改造，均能取得良好的經(jīng)濟(jì)效益。

產(chǎn)品特點(diǎn)：

1. 濕周大，水力半徑小。

2. 層流狀態(tài)好，顆粒沉降不受絮流干擾。

3. 當(dāng)環(huán)保斜板填料管長為1米時，有效負(fù)荷按3-5噸/米2·時設(shè)計。V0控制在2.5-3.0毫米/秒范圍內(nèi)，出水水質(zhì)最佳。

4. 在取水口處采用蜂窩斜管，管長2.0～3.0米時，可在50-100公斤/米3泥砂含量的高濁度中安全運(yùn)行處理。

5. 采用環(huán)保斜板填料沉淀池，其處理能力是平流式沉淀池的3-5倍，加速澄清池和脈沖澄清池的2-3倍。

產(chǎn)品規(guī)格：

Φ25mm、Φ35m、Φ50mm、Φ80mm

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