跨導(dǎo)定義

跨導(dǎo)通常用g_m表示。對于直流電，跨導(dǎo)可以定義為：

對于交流電小信號模型，跨導(dǎo)的定義相對更為簡單：

在SI單位中，西門子公司，用符號，S；1西門子=1安培每伏更換舊的電導(dǎo)率，具有相同的定義，mho（歐姆拼寫向后），符號，?。

跨阻（轉(zhuǎn)移電阻），也常常被稱為互阻，是跨導(dǎo)的雙重性。它是指兩個(gè)輸出點(diǎn)電壓變化與兩個(gè)輸入點(diǎn)電流變化的比值，記為r_m：

跨阻國際單位就是歐姆，就像阻力一樣。

跨阻（或轉(zhuǎn)移阻抗）是互阻的交流等效，是互導(dǎo)的二元。

跨導(dǎo)真空管

對于真空管，跨導(dǎo)被定義為板（陽極）/陰極電流的變化除以電網(wǎng)/陰極電壓的相應(yīng)變化，恒定板（陽極）/陰極電壓。g_m典型值為小信號真空管是1至10毫西門子。它是真空管的三個(gè)特征常數(shù)之一，另外兩個(gè)是增益μ（mu）和平板電阻r_p或r_a。在范德Bijl公式定義它們之間的關(guān)系如下：

跨導(dǎo)場效應(yīng)晶體管

類似地，在場效應(yīng)晶體管和MOSFET中，跨導(dǎo)是漏極電流的改變除以柵極/源極電壓的小改變以及恒定的漏極/源極電壓。g_m的典型值為小信號場效應(yīng)晶體管是1至30毫西門子。

使用Shichman-Hodges模型，MOSFET的跨導(dǎo)可以表示為：

其中I_D是在直流漏電流偏置點(diǎn)，和V_OV是過驅(qū)動(dòng)電壓，這是偏置點(diǎn)柵極-源極電壓和之間的差的閾值電壓（即，V_OV≡V_GS-V_th）。的過驅(qū)動(dòng)電壓（有時(shí)也被稱為有效電壓）在約70-200毫伏習(xí)慣上選擇用于65納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)（I_D≈1.13mA/μm），用于g_m的11-32mS/μm。

另外，結(jié)FET的跨導(dǎo)由下式給出，其中V_P是夾斷電壓，I_DSS是最大漏極電流。

傳統(tǒng)上，上式中給出的FET和MOSFET的跨導(dǎo)是使用微積分從每個(gè)器件的傳輸方程導(dǎo)出的。然而，卡特賴特已經(jīng)證明，這可以在沒有微積分的情況下完成。

跨導(dǎo)雙極晶體管

所述g_m的雙極小信號晶體管差別很大，成比例的集電極電流。典型的范圍是1到400毫西門子。在基極/發(fā)射極之間施加輸入電壓變化，輸出是在具有恒定的集電極/發(fā)射極電壓的集電極/發(fā)射極之間流動(dòng)的集電極電流的變化。

雙極晶體管的跨導(dǎo)可以表示為

其中I_C=在Q點(diǎn)的DC集電極電流，V_T=熱電壓，在室溫下通常約為26mV。10毫安，典型電流g_m≈385毫秒。

輸出（集電極）電導(dǎo)由Early電壓決定，與集電極電流成正比。對于線性操作的大多數(shù)晶體管，它遠(yuǎn)低于100μS。

跨導(dǎo)放大器

跨導(dǎo)放大器（g_m放大器）推出的電流正比于它的輸入電壓。在網(wǎng)絡(luò)分析中，跨導(dǎo)放大器被定義為電壓控制電流源（VCCS）?？吹竭@些放大器安裝在共源共柵配置，這是常見的，這提高了頻率響應(yīng)。

跨阻放大器

跨阻放大器輸出正比于它的輸入電流的電壓?？缱璺糯笃魍ǔ１环Q為跨阻放大器，特別是半導(dǎo)體制造商。

網(wǎng)絡(luò)分析中的跨阻放大器的術(shù)語是電流控制電壓源（CCVS）。

一個(gè)基本的反相互阻放大器可以由一個(gè)運(yùn)算放大器和一個(gè)電阻構(gòu)成。只需在運(yùn)算放大器的輸出端和反相輸入端之間連接電阻，并將同相輸入端接地即可。然后，輸出電壓將與反相輸入端的輸入電流成比例，隨著輸入電流的增加而減小，反之亦然。在實(shí)踐中，任何器件的寄生電容連接到運(yùn)算放大器的虛擬地可能使其不穩(wěn)定，并且必須在輸出和反相引腳之間并聯(lián)添加補(bǔ)償電容。達(dá)到這個(gè)補(bǔ)償電容的最佳值可能是不平凡的。

專用芯片跨阻（互阻抗）放大器廣泛用于放大來自超高速光纖鏈路接收端的光電二極管的信號電流。MAX3724和MAX3725就是例子。

運(yùn)算跨導(dǎo)放大器

一個(gè)運(yùn)算跨導(dǎo)放大器（OTA）是集成電路能夠作為跨導(dǎo)放大器的作用。這些通常有一個(gè)允許跨導(dǎo)控制的輸入。2100433B

跨導(dǎo)（英語：Transconductance）是電子元件的一項(xiàng)屬性。電導(dǎo)（G）是電阻（R）的倒數(shù)；而跨導(dǎo)增益則指輸出端電流的變化值與輸入端電壓的變化值之間的比值。通常用 g_m表示。

對于直流電，跨導(dǎo)增益可以定義為：

對于交流電小信號模型，跨導(dǎo)增益的定義相對更為簡單：

跨導(dǎo)增益真空管

對于真空管，跨導(dǎo)被定義為板（陽極）/陰極電流的變化除以電網(wǎng)/陰極電壓的相應(yīng)變化，恒定板（陽極）/陰極電壓。g_m典型值為小信號真空管是1至10毫西門子。它是真空管的三個(gè)特征常數(shù)之一，另外兩個(gè)是增益μ（mu）和平板電阻r_p或r_a。在范德Bijl公式定義它們之間的關(guān)系如下：

跨導(dǎo)增益場效應(yīng)晶體管

類似地，在場效應(yīng)晶體管和MOSFET中，跨導(dǎo)是漏極電流的改變除以柵極/源極電壓的小改變以及恒定的漏極/源極電壓。g_m的典型值為小信號場效應(yīng)晶體管是1至30毫西門子。

使用Shichman-Hodges模型，MOSFET的跨導(dǎo)增益可以表示為：

其中I_D是在直流漏電流偏置點(diǎn)，和V_OV是過驅(qū)動(dòng)電壓，這是偏置點(diǎn)柵極-源極電壓和之間的差的閾值電壓（即，V_OV≡V_GS-V_th）。的過驅(qū)動(dòng)電壓（有時(shí)也被稱為有效電壓）在約70-200毫伏習(xí)慣上選擇用于65納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)（I_D≈1.13mA/μm），用于g_m的11-32mS/μm。

另外，結(jié)FET的跨導(dǎo)增益由下式給出，其中V_P是夾斷電壓，I_DSS是最大漏極電流。

傳統(tǒng)上，上式中給出的FET和MOSFET的跨導(dǎo)是使用微積分從每個(gè)器件的傳輸方程導(dǎo)出的。然而，卡特賴特已經(jīng)證明，這可以在沒有微積分的情況下完成。

跨導(dǎo)增益雙極晶體管

所述g_m的雙極小信號晶體管差別很大，成比例的集電極電流。典型的范圍是1到400毫西門子。在基極/發(fā)射極之間施加輸入電壓變化，輸出是在具有恒定的集電極/發(fā)射極電壓的集電極/發(fā)射極之間流動(dòng)的集電極電流的變化。

雙極晶體管的跨導(dǎo)增益可以表示為

其中I_C=在Q點(diǎn)的DC集電極電流，V_T=熱電壓，在室溫下通常約為26mV。10毫安，典型電流g_m≈385毫秒。

輸出（集電極）電導(dǎo)由Early電壓決定，與集電極電流成正比。對于線性操作的大多數(shù)晶體管，它遠(yuǎn)低于100μS。

跨導(dǎo)增益跨導(dǎo)放大器

跨導(dǎo)放大器（gm放大器）推出的電流正比于它的輸入電壓。在網(wǎng)絡(luò)分析中，跨導(dǎo)放大器被定義為電壓控制電流源（VCCS）。看到這些放大器安裝在共源共柵配置，這是常見的，這提高了頻率響應(yīng)。

跨導(dǎo)增益跨阻放大器

跨阻放大器輸出正比于它的輸入電流的電壓?？缱璺糯笃魍ǔ１环Q為跨阻放大器，特別是半導(dǎo)體制造商。

網(wǎng)絡(luò)分析中的跨阻放大器的術(shù)語是電流控制電壓源（CCVS）。一個(gè)基本的反相互阻放大器可以由一個(gè)運(yùn)算放大器和一個(gè)電阻構(gòu)成。只需在運(yùn)算放大器的輸出端和反相輸入端之間連接電阻，并將同相輸入端接地即可。然后，輸出電壓將與反相輸入端的輸入電流成比例，隨著輸入電流的增加而減小，反之亦然。在實(shí)踐中，任何器件的寄生電容連接到運(yùn)算放大器的虛擬地可能使其不穩(wěn)定，并且必須在輸出和反相引腳之間并聯(lián)添加補(bǔ)償電容。達(dá)到這個(gè)補(bǔ)償電容的最佳值可能是不平凡的。專用芯片跨阻（互阻抗）放大器廣泛用于放大來自超高速光纖鏈路接收端的光電二極管的信號電流。MAX3724和MAX3725就是例子。

跨導(dǎo)增益運(yùn)算跨導(dǎo)放大器

一個(gè)運(yùn)算跨導(dǎo)放大器（OTA）是集成電路能夠作為跨導(dǎo)放大器的作用。這些通常有一個(gè)允許跨導(dǎo)控制的輸入。